电磁场与电磁波1均匀平面波对分界平面的垂直入射.ppt
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1、一、均匀平面波对分界面的垂直入射二、均匀平面波对多层介质分界平面的垂直入射三、均匀平面波对理想介质分界平面的斜入射四、均匀平面波对多层介质分界平面的斜入射,讨论内容,入射方式:垂直入射、斜入射,媒质类型:,分析方法:,基本模型,1、对导电媒质分界面的垂直入射,z 0中,导电媒质1的参数为,z 0中,导电媒质2的参数为,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,1、对导电媒质分界面的垂直入射,媒质1中的入射波:,媒质1中的反射波:,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,1、对导电媒质分界面的垂直入射,媒质1中的合成波:,媒质2中的透射波:,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,在分界面z=0 上,电场强度
2、和磁场强度切向分量连续,即,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,若媒质2理想导体,即2=,则2c=0,故有,和 是复数,表明反射波和透射波的振幅和相位与入 射波都不同,且,若两种媒质均为理想介质,即1=2=0,则得到,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,2、对理想导体表面的垂直入射,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,媒质1中的入射波:,媒质1中的反射波:,2、对理想导体表面的垂直入射,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,媒质1中的合成波,合成波瞬时形式:,合成波的平均能流密度矢量,理想导体表面上的感应电流,媒质1中的合成波,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,2、对理想导体表面的垂直入射:合
3、成波的特点,(n=0,1,2,3,),(n=0,1,2,3,),媒质1中的合成波是驻波。,电场波节点(的最小值的位置):,电场波腹点(的最大值的位置),一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,两相邻波节点之间任意两点的电场同相。同一波节点两侧的 电场反相,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,坡印廷矢量的平均值为零,不发生能量传输过程,仅在两 个波节间进行电场能量和磁场能的交换。,一、均匀平面波对分界平面的垂直入射,在时间上有/2 的相移,在空间上错开/4,电场的波腹(节)点正好是 磁场的波节(腹)点;,【例1】一均匀平面波沿+z方向传播,其电场强度矢量为求相伴的磁场强度;若在传播方向上z=0处,放
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