电工学少学时第九章.ppt
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1、第9章 基本放大电路,第9章 基本放大电路,9.2 放大电路的工作原理,9.3 放大电路的静态分析,9.1 双极性晶体管,9.9 差分放大电路,9.4 放大电路的动态分析,9.5 双极性晶体管基本放大电路,9.8 多级放大电路,9.10 互补对称放大电路,9.1 双极性晶体管,一、基本结构,NPN型,基极,发射极,集电极,NPN型,符号:,NPN型三极管,一、基本结构,N型锗,PNP型,符号:,PNP型三极管,9.1 双极性晶体管,二、晶体管的电流放大作用,以 NPN 型三极管为例讨论,三极管若实现放大,必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。,不具备放大作用,基区:最薄,掺杂浓度最低
2、,发射区:掺杂浓度最高,发射结,集电结,结构特点:,集电区:面积最大,这些结构特点是它具有电流放大作用的内在条件。,三、电流分配和放大原理,1.三极管放大的外部条件,发射结正向偏置、集电结反向偏置,(2)对 PNP 型三极管 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB,从电位的角度看:(1)对 NPN 型三极管 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB,即 VC VBVE 集电极电位最高,即 VE VBVC 发射极电位最高,共射极放大电路,2.各电极电流关系及电流放大作用,结论:,1)三电极电流关系 IE=IB+IC2)IC IB,IC IE 3)IC IB,基极电流的微小变化IB能够引起较
3、大的集电极电流变化IC,这就是三极管的电流放大作用。,3.三极管内部载流子的运动规律,发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。,进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE,多数扩散到集电结。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电区而被集电极收集,形成ICE。,集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。,四、特性曲线,即管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。,为什么要研究特性曲线:1)直观地分析管子的工作状态 2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路,重点讨论应用最广泛的共发射极
4、接法的特性曲线,发射极是输入回路、输出回路的公共端,共发射极电路,输入回路,输出回路,测量晶体管特性的实验线路,1.输入特性,特点:非线性,死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。,正常工作时发射结电压:NPN型硅管 UBE 0.60.7VPNP型锗管 UBE 0.2 0.3V,2.输出特性,IB=0,20A,输出特性曲线通常分三个工作区:,截止区,饱和区,放大区,2.输出特性,IB=0,20A,放大区,(1)放大区,在放大区,发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置,晶体管工作于放大状态。,(2)截止区,IB 0 以下区域为截止区,有 IC 0。,在截止区发射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置,
5、晶体管工作于截止状态。,截止区,(3)饱和区,饱和区,当UCE UBE时,晶体管工作于饱和状态。在饱和区,IB IC,发射结处于正向偏置,集电结也处于正偏。深度饱和时,硅管UCES 0.3V,锗管UCES-0.1V。,IB,IC UCE=(UCCRC IC)ICM=UCC/RC,例9.1.1 图示电路,晶体管的=100,求开关 S 合向 a、b、c 时的 IB、IC 和 UCE,并指出晶体管的工作 状态(忽略 UBE)。,UCC=15 V UBB1=5 V UBB2=1.5 VRB1=500 k RB2=50 k RC=5 k,解:晶体管饱和时集电极电流近似为,晶体管刚饱和时的基极电流为:,晶
6、体管处于放大状态。,例9.1.1 图示电路,晶体管的=100,求开关 S 合向 a、b、c 时的 IB、IC 和 UCE,并指出晶体管的工作 状态(忽略 UBE)。,(1)开关 S 合向 a 时,=0.01 mA,UCC=15 V UBB1=5 V UBB2=1.5 VRB1=500 k RB2=50 k RC=5 k,UCE=UCCRCIC=(1551031103)V=10 V,(2)开关 S 合向 b 时,UCE=0 V 晶体管处于饱和状态。(3)开关 S 合向 c 时 IB=0,IC=0,UCE=UCC=15 V 晶体管处于截止状态。,五、主要参数,1.电流放大系数,直流电流放大系数,交
7、流电流放大系数,当晶体管接成共发射极电路时,,表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数,晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。,注意:,和 的含义不同,但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下,两者数值接近。,常用晶体管的 值在20 200之间。,例:在UCE=6 V时,在 Q1 点IB=40A,IC=1.5mA;在 Q2 点IB=60 A,IC=2.3mA。,在以后的计算中,一般作近似处理:=。,Q1,Q2,在 Q1 点,有,由 Q1 和Q2点,得,2.集-基极反向截止电流 ICBO,ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流,受温度的影响大。温度ICBO,3.集-射极反向截止
8、电流(穿透电流)ICEO,ICEO受温度的影响大。温度ICEO,所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,4.集电极最大允许电流 ICM,5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO,集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降,当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。,当集射极之间的电压UCE 超过一定的数值时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。,6.集电极最大允许耗散功率PCM,PCM取决于三极管允许的温升,消耗功率过大,温升过高会烧坏三极管。PC PCM=IC UCE,硅管允许结温约为150C,锗管约为7090C。,ICUCE=P
9、CM,安全工作区,由三个极限参数可画出三极管的安全工作区,管子工作在放大状态,利用IB对IC的控制作用。,1、用于交流放大电路中,IC=ICEO 0,c、e之间相当于断路,三极管相当于一个开关处于断开状态。,UCES 0,c、e之间相当于短路,三极管相当于一个开关处于接通状态。,2、用于数字电路中,管子工作在截止或饱和状态,利用其开关特性。,截止时:,饱和时:,“开”,“关”,半导体三极管应用,常见三极管的外形结构,实物照片,放大的概念:,放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。,放大的实质:用小能量的信号通过三极管的电流控制作用,将放大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。,对放大电
10、路的基本要求:1.要有足够的放大倍数(电压、电流、功率)。2.尽可能小的波形失真。另外还有输入电阻、输出电阻、通频带等其它技术指标。,本章主要讨论电压放大电路,同时介绍功率放大电路。,9.2 放大电路的工作原理,9.2 放大电路的工作原理,共发射极基本交流放大电路,电路组成:晶体管T 基极电源EB与基 极电阻RB 集电极电源EC 集电极电阻RC 耦合电容C1、C2,基本放大电路各元件作用,晶体管T-放大元件,iC=iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区。,基极电源EB与基极电阻RB-使发射结 处于正偏,并提供大小适当的基极电流。,共发射极基本电路,基本放大电路各元件作用,集电
11、极电源EC-为电路提供能量。并保证集电结反偏。,集电极电阻RC-将变化的电流转变为变化的电压。,耦合电容C1、C2-隔离输入、输出与放大电路直流的联系,同时使信号顺利输入、输出。,信号源,负载,共发射极基本电路,单电源供电时常用的画法,共发射极基本电路,符号规定,UA,大写字母、大写下标,表示直流量。,uA,小写字母、大写下标,表示交直流量。,ua,小写字母、小写下标,表示交流分量。,uA,ua,交直流量,交流分量,t,UA直流分量,共射放大电路的电压放大作用,uo=0uBE=UBEuCE=UCE,(1)无输入信号(ui=0)时:,结论:,(1)无输入信号电压时,三极管各电极都是恒定的 电压和
12、电流:IB、UBE和 IC、UCE。,(IB、UBE)和(IC、UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点,称为静态工作点。,UBE,无输入信号(ui=0)时:,uo=0uBE=UBEuCE=UCE,?,有输入信号(ui 0)时,uCE=UCC iC RC,uo 0uBE=UBE+uiuCE=UCE+uo,(2)有输入信号(ui 0)时:,结论:,(2)加上输入信号电压后,各电极电流和电压的大 小均发生了变化,都在直流量的基础上叠加了 一个交流量,但方向始终不变。,+,集电极电流,直流分量,交流分量,动态分析,静态分析,结论:,(3)若参数选取得当,输出电压可比输入电压大,即电路具有电压放
13、大作用。,(4)输出电压与输入电压在相位上相差180,即共发射极电路具有反相作用。,*实现放大的条件,(1)晶体管必须工作在放大区。发射结正偏,集 电结反偏。(2)正确设置静态工作点,使晶体管工作于放大 区。(3)输入回路将变化的电压转化成变化的基极电 流。(4)输出回路将变化的集电极电流转化成变化的 集电极电压,经电容耦合只输出交流信号。,2.直流通路和交流通路,因电容对交、直流的作用不同。在放大电路中如果电容的容量足够大,可以认为它对交流分量不起作用,即对交流短路。而对直流可以看成开路。这样,交直流所走的通路是不同的。,直流通路:无信号时电流(直流电流)的通路,用来计算静态工作点。,交流通
14、路:有信号时交流分量(变化量)的通路,用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。,例:画出下图放大电路的直流通路,直流通路,直流通路用来计算静态工作点Q(IB、IC、UCE),对直流信号电容 C 可看作开路(即将电容断开),断开,断开,对交流信号(有输入信号ui时的交流分量),XC 0,C 可看作短路。忽略电源的内阻,电源的端电压恒定,直流电源对交流可看作短路。,短路,短路,对地短路,交流通路,用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。,例:画放大电路的交流通路方法,交流放大电路的分析方法,静态:放大电路无信号输入(ui=0)时的工作状态。,静态分析:确定放大电路的静态值。
15、静态工作点Q:IB、IC、UCE。,交流放大电路有静态分析和动态分析两种方法。,动态:放大电路有信号输入(ui 0)时的工作状态。,动态分析:计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。,9.3 放大电路的静态分析,静态:放大电路无信号输入(ui=0)时的工作状态。,分析方法:估算法、图解法。分析对象:各极电压电流的直流分量。所用电路:放大电路的直流通路。,设置Q点的目的:(1)使放大电路的放大信号不失真;(2)使放大电路工作在较佳的工作状态,静态是动态的基础。,静态工作点Q:IB、IC、UCE。,静态分析:确定放大电路的静态值。,9.3.1 用估算法确定静态值,1.直流通路估算 IB
16、,根据电流放大作用,2.由直流通路估算UCE、IC,由KVL:UCC=IB RB+UBE,由KVL:UCC=IC RC+UCE,所以 UCE=UCC IC RC,例1:用估算法计算静态工作点。,已知:UCC=6V,RC=2k,RB=180k,=50。,解:,注意:电路中IB 和 IC 的数量级不同,例2:用估算法计算图示电路的静态工作点。,由例1、例2可知,当电路不同时,计算静态值的公式也不同。,由KVL可得:,由KVL可得:,9.3.2 用图解法确定静态值,用作图的方法确定静态值,步骤:1.用估算法确定IB,优点:能直观地分析和了解静 态值的变化对放大电路 的影响。,2.由输出特性确定IC
17、和UCC,直流负载线方程,9.3.2 用图解法确定静态值,直流负载线斜率,直流负载线,由IB确定的那条输出特性与直流负载线的交点就是Q点,O,(二)静态工作点的影响,9.4 放大电路的动态分析,动态:放大电路有信号输入(ui 0)时的工作状态。,分析方法:微变等效电路法,图解法。所用电路:放大电路的交流通路。,动态分析:计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。,分析对象:各极电压和电流的交流分量。,目的:找出Au、ri、ro与电路参数的关系,为设计 打基础。,9.4 放大电路的动态分析,一、放大电路的主要性能指标 1.电压放大倍数 Au,其分贝值:|Au|(dB)=20lg|Au|
18、,定义:,当输入信号为正弦交流信号时,:反映放大电路的放大能力,在放大电路中:,2.输入电阻 ri,定义:,当输入信号为正弦交流信号时,放大电路,信号源,输入电阻,ri 大 Ui 大 Uo 大;ri 大 Ii 小 可减轻信号源的负担;,ri 越大越好,ri RS。,可见:,输入电阻,3.输出电阻 ro,当输入信号为正弦交流信号时:,定义:,放大电路,负载,输出电阻,当输出端接有负载时:,放大器的电压放大倍数:,若 ro 小,带载能力强;反之带载能力差。,可见:,ro 越小越好,ro RL。,输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路的输出电阻愈小,负载变化时输出电压的变化愈小,因此一般总是希
19、望得到较小的输出电阻。,4.放大电路的频率特性,在前面的分析中,设输入信号是单一频率的正弦波,但实际上,放大器的输入信号通常是非正弦的,由于耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等的存在,它们的容抗随频率变化,故当信号频率不同时,放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。,频率特性,幅频特性:电压放大倍数的模|Au|与频率 f 的关系,相频特性:输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率 f 的关系,通频带,f,|Au|,fL,fH,|Auo|,幅频特性,下限截止频率,上限截止频率,耦合、旁路电容造成。,三极管结电容、造成,O,注:放大器只有工作在通频带范围内才能避免产生频率失
20、真。,二、微变等效电路法,微变等效电路:把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管线性化,等效为一个线性元件。,线性化的条件:晶体管在小信号(微变量)情况下工作。因此,在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似代替。,微变等效电路法:利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。,晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。,当信号很小时,在静态工作点附近的输入特性在小范围内可近似线性化。,1.晶体管的微变等效电路,UBE,对于小功率三极管:,rbe一般为几百欧到几千欧。,(1)输入回路,Q,输入特性,晶体管的输入电
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- 电工学 学时 第九
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