晶体管高频等效电路.ppt

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5.2 晶体管高频等效电路,射频集成电路主要工艺,双极（Bipolar）：纯双极、BiCMOS和SiGeHBT（异质结）,砷化钾 GaAs（一种化合半导体材料）具有最高的工作 频率：50100GHz；在超高速微电子学和光 电子学中应用广泛,双极晶体管较之CMOS晶体管的优点：,1、在相同的偏置电流下 跨导大,2、有较高的增益带宽积,由于跨导与偏置电流成正比，结果：在较小的功耗下可获得大增益；提高工作频率（低于10GHz）,三种双极工艺器件的截止频率：,CMOS 噪声低、线性好、与数字集成电路兼容 3GHz以上,共射放大器原理图,基极偏置VBEQ 决定基极偏置电流 IBQ,输入信号为,5.2.1 双极型晶体管共射小信号等效电路,输出电流公式,混合 型等效电路,理解电路中各元件的物理意义,从两个层次上加强对等效电路的理解,理解晶体管作为放大器的本质,晶体管作为放大器的本质,一个电压控制的电流源 正向传输,放大器的输入阻抗，电阻和电容、,放大器输出电阻（很大）,5.2.2 场效应管小信号模型,恒流区特性,伏安特性为：,成平方律关系,转移跨导（对 的控制能力）,小信号等效电路,