存储器和存储器技术.ppt
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1、第4章 存储器和高速缓存技术,4.1 存储器和存储器件,4.1.1 存储器的分类,存储器根据用途和特点可以分为两大类:1.内部存储器,简称为内存或主存 快速存取 容量受限制 2.外部存储器,简称为外存容量大速度慢,4.1 存储器和存储器件,存储器容量以字节为单元,常用的有 210字节=1KB,220字节=1024KB=1MB,230字节=1024MB=1GB,240字节=1024GB=1TB,4.1.2 微型计算机内存的行列结构,4.1 存储器和存储器件,在微机中,存储器按8位二进制数(一个字节)编址,每一个单元都有一个地址。计算机内存采用行列结构。,图4.1 32行32列组成的矩阵和外部的连
2、接,4.1 存储器和存储器件,易失性 只读性 存储容量 速度 功耗,4.1.3 选择存储器件的考虑因素,4.1 存储器和存储器件,1.SRAM由双稳电路构成,存储信息稳定。速度快,功耗大,容量小。用于存储容量较小的系统中。,4.1.4 随机存取存储器RAM,4.1 存储器和存储器件,典型RAM芯片举例:静态RAM Intel 2114,静态RAM Intel 2114 1K4的SRAM,1024个字,数据线4条,地址线10 根。,6.2.1:静态存储电路,4.1 存储器和存储器件,地址线的引脚与芯片的单元数有关数据线的引脚与芯片的字长有关地址范围从全0到全1的所有编码,4.1 存储器和存储器件
3、,利用电容存储电荷的原理保存信息,由于电容存在的漏电现象而使其存储的信息不稳定,故DRAM芯片需要定时刷新。容量高,功耗低,需要刷新。用于大容量的系统中。,2.DRAM,4.1 存储器和存储器件,从上一次对整个存储器刷新结束时刻,到本次对整个存储器完成全部刷新一遍为止,这一段时间间隔称为刷新周期。一般为2ms,4ms或8ms。刷新方法:动态MOS存储器通常采用逐行“读出”方式进行刷新,并且通常采用一次刷新一行存储元的方法。常用的刷新方式有三种,一种是集中式,另一种是分散式,第三种是异步式。,DRAM的刷新,在整个刷新间隔内,前一段时间重复进行读/写周期或维持周期,不进行任何刷新操作。等到需要进
4、行刷新操作时,则暂停读/写或维持周期,逐行且集中地刷新整个存储器,它适用于高速存储器。以2116芯片为例:假设芯片的信息维持时间为2ms,若采用集中式刷新,则如下图所示:,集中式刷新:,这种刷新方法的特点:(1)由于刷新工作集中进行,对芯片的正常读/写周期不产生影响;(2)同样由于刷新工作的集中进行,会造成芯片“死时间”过长的问题。(因为芯片在刷新过程中,需禁止外部I/O的读/写操作),把一个存储系统周期tc分为两半,周期前半段时间tm用来读/写操作或维持信息,周期后半段时间tr作为刷新操作时间。对于2116芯片来说,每经过128个系统周期时间,整个存储器便全部刷新一遍。假设存储器片的读/写周
5、期为0.5 s,则系统周期时间为1s,每隔128s,整个存储器便被刷新一次。,分散式刷新:,显然,这种方法的缺陷至少有两点:(1)增加了系统周期,进而降低了系统速度;(2)刷新过于频繁。,是前两种方式的结合。例如:2ms内分散地把128行刷新一遍:2000s12815.5 s,即每隔15.5 s刷新一行。,异步式刷新方式,4.1 存储器和存储器件,刷新一次刷新过程就是对存储器进行一次读取、放大和再写入。方法:常用的是“只有行地址有效”。DRAM控制器 时序功能 地址处理功能 仲裁功能,4.1 存储器和存储器件,图4.2 DRAM控制器的原理图,4.1 存储器和存储器件,4.1.5 只读存储器R
6、OM,掩膜ROM可编程只读ROM可读写ROM闪烁存储器,分 类,EPROM(紫外线擦除)EEPROM(电擦除),4.2 存储器的连接,高速CPU和较低速度存储器之间的速度匹配问题。高速CPU与低速存储器之间的速度如果不匹配,应在CPU访问存储器的周期内插入等待脉冲TW。,4.2.1 存储器和CPU的连接考虑,4.2 存储器的连接,CPU总线的负载能力问题。一个存储器系统,通常由多片存储器芯片组成,需加驱动器。,4.2 存储器的连接,片选信号和行地址、列地址的产生机制。存储器往往由多片存储器芯片组成,在CPU与存储器芯片之间必须设有片选择译码电路,一般由CPU的高位地址译码产生片选,而低位地址送
7、给存储器芯片的地址输入端,以提供存储芯片内部的行、列地址。,4.2 存储器的连接,对芯片内部的寻址方法 用行列矩阵结构对存储单元进行选择,在CPU连接时,通过低位地址线和芯片连接,为芯片提供行地址和列地址。,存储体存储器芯片的主要部分,用来存储信息 地址译码电路根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元 片选和读写控制逻辑选中存储芯片,控制读写操作,4.2 存储器的连接,4.2 存储器的连接,全译码法 适用于组合容量较大的存储器 结构复杂 部分译码法 线译码法 适用于容量较小的存储器 结构简单,4.2.2 片选信号的构成方法,4.2 存储器的连接,全译码示例:,4.2 存储器的连接,部分
8、译码示例:,4.2 存储器的连接,A14 A1300的情况不能出现00000H01FFFH的地址不可使用,线选译码示例:,存储器容量扩展的三种方法,1、位扩展,要求:用1K4位的SRAM芯片 1K8位的SRAM存储器,1、位扩展,容量=2108位举例验证:读地址为0 的存储单元的内容,1、位扩展,要点:(1)芯片的地址线A、读写控制信号WE#、片选信号CS#分别连在一起;(2)芯片的数据线D分别对应于所搭建的存储器的高若干位和低若干位。,2、字扩展,要求:用1K位的SRAM芯片 2K8位的SRAM存储器,2、字扩展,分析地址:A10用于选择芯片A9A0用于选择芯片内的某一存储单元,2、字扩展,
9、容量=211 8位举例验证:读地址为 0的存储单元的内容读地址为 10 0 的存储单元 的内容,2、字扩展,要点:(1)芯片的数据线D、读写控制信号WE#分别连在一起;(2)存储器地址线A的低若干位连接各芯片的地址线;(3)存储器地址线A的高若干位作用于各芯片的片选信号CS#。,3、字位扩展,需扩展的存储器容量为M N位,已有芯片的容量为L K位(LM,KN),用M/L 组 芯片进行字扩展;每组内有N/K 个 芯片进行位扩展。,1、根据CPU芯片提供的地址线数目,确定CPU访存的地址范围,并写出相应的二进制地址码;2、根据地址范围的容量,确定各种类型存储器芯片的数目和扩展方法;3、分配CPU地
10、址线。CPU地址线的低位(数量存储芯片的地址线数量)直接连接存储芯片的地址线;CPU高位地址线皆参与形成存储芯片的片选信号;4、连接数据线、R/W#等其他信号线,MREQ#信号一般可用作地址译码器的使能信号。需要说明的是,主存的扩展及与CPU连接在做法上并不唯一,应该具体问题具体分析,三、主存储器与CPU的连接,举例,例1:设CPU有16根地址线,8根数据线,并用MREQ#作访存控制信号(低电平有效),用R/W#作读/写控制信号(高电平为读,低电平为写)。现有下列存储芯片:1K*4位SRAM;4K*8位SRAM;8K*8位SRAM;2K*8位ROM;4K*8位ROM;8K*8位ROM;及3:8
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