CMOS集成电路设计 (2).ppt
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1、模拟集成电路设计原理,课程摘要,采用当今流行的CMOS工艺,讨论模拟集成电路的分析和设计原理。建立模拟集成电路设计的基础-工艺和器件模型模拟集成电路分析、设计和仿真的方法 层次化、自下而上的分析方法。直观的、基于简单分析模型的分析方法。电路设计步骤 模拟工具的正确使用,参考书,P.R.Gray“Analysis and Design of Analog Integrated Circuits”2.Behzad Razavi“模拟CMOS集成电路设计”3.Phillip E.Allen“CMOS 模拟集成电路设计”其它参考书:Alan Hastings“The Art of Analog Lay
2、out”R.J.Baker“CMOS:混合信号电路设计”David A John、Ken Martin“Analog Integrated Circuits Design”HSPICE Users Manual”,1.,考核标准和联系方式,考核标准 平时作业 设计课题 期中练习 期末联系方式,15%15%15%55%,导论,1.1 模拟集成电路设计的特点,层次化设计设计步骤鲁棒(robust)设计,1.2 模拟集成电路的应用1.3 模拟信号处理1.4 混合信号电路举例,模拟集成电路的一般概念,什么是模拟电路?,模拟信号模拟信号的采样信号,一般概念(续),什么是模拟集成电路设计?,特定模拟电路、
3、或系统的功能和性能,设计,选择合适的集成电路工艺,成功的设计结果,模拟集成电路设计步骤,电路设计,物理版图设计 根据工艺版图设计规则设计器件、器件之间的互联 电源和时钟线的分布 与外部的连接,电路测试 电路制备后对电路功能和性能参数的测试验证产品开发,层次设计,描述层次,设计,电路层次,系统,系统说明/仿真Matlab、ADMS,电路性能 netlist/simulation,版图布局 layout,参数化模块/单元 layout,行为模型,物理,模型,电路,宏模型Matlab,器件,器件特性,版图描述design rule,器件模型spice model,层次设计,结构,开关电容电路、*VC
4、O和PLL、*A/D D/A、,复杂电路,运算放大器、带隙基准、*比较器,简单电路,单级放大器、差动放大器、电路偏置、电流镜电路,器件,CMOS工艺、器件物理、器件Spice参数、*版图设计、*电路模拟,模拟集成电路设计步骤,设计要求描述,设计定义,电路设计,与设计指标比较,执行设计,仿真,物理层设计,物理层设计,物理层验证,提取寄生参数,芯片设计,测试和产品开发,芯片制造,测试和验证,产品生产,与设计指标比较,集成和分立模拟电路的区别,器件制备在同一衬底上,器件具有相似的性能参数,易于匹配。器件参数由几何尺寸决定。,器件的品种和参数的限制,无源器件的面积大、参数的范围小、精度差。MOS工艺中
5、的Bipolar晶体管的品种少、性能差。,采用计算机仿真验证,无法用电路试验板验证。计算机验证的直观性差,受仿真方法和器件参数的影响大。,模拟和数字集成电路的区别,电路的不同,模拟信号数字信号;不规则的形状规则的形状,设计层次,电路级系统级,设计方法,全定制标准单元,器件参数的影响,器件参数的连续性固定;精确的模型时序模型;设计优化(trade-off/robusting)软件编程动态范围(Dynamic range)受电源/噪声限制没有限制,CAD,难以利用自动设计工具,模拟集成电路设计的特点,直观的设计,模拟设计的复杂性,设计参数多,速度、功耗、增益、精度、电源电压、线性度等参数不同参数间
6、的折中,设计难度大,高性能电路设计难点噪声、串扰、电源电压下降等温度对性能的影响大,器件二级效应对性能的影响大,模拟电路二级效益的建模和仿真存在难题。仿真不能发现所有设计问题,解决方法:直观和经验设计,鲁棒设计,鲁棒设计,电路性能随工艺、电源电压、温度而变化,器件模型参数的改变,阈值电压、二级效应参数 工艺角参数TT、FF、SS、FNSP、SNFP,电源电压对器件工作区的影响,电压变化范围:20%,温度的范围,室温:25度、或50度民品、军品,计算机模拟易于仿真在最坏条件下的电路性能,模拟集成电路的应用,模拟电路本质上是不可替代的,自然界是“模拟”的,声、光、电等模拟量模数和数模转换,模拟集成
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