薄膜技术基础.ppt
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1、薄膜技术与薄膜材料,主讲教师:张显电子材料与元器件教研室,绪论,一、本课程主要内容:薄膜制备的真空技术基础薄膜的物理气相沉积蒸发法薄膜的物理气相沉积溅射法及其它PVD法薄膜的化学沉积薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜材料的表征方法薄膜材料及其应用,二、要求了解并掌握薄膜材料最基本的制备技术和表征方法,最基本的薄膜生长理论和几个典型的应用;多思考,多想象,多实践;有一定的作业任务;考查:考试与读书报告三、参考书1 郑传涛,薄膜材料与薄膜技术,化学工业出版社,2004。2 顾培夫,薄膜技术,浙江大学出版社,1990。3 杨邦朝、王文生,薄膜物理与技术,电子科技大学出版社,1994。4 王力衡、黄运添、郑
2、海涛,薄膜技术,清华大学出版社,1991。,下载课件:请登录 校园网教务系统,在其 中寻找该门课程,读书报告:具体要求在教务系统的本门课程讨论中,第1章 薄膜制备的真空技术基础,1.1 气体分子运动论的基本概念1.2 气体的流动状态和真空抽速1.3 真空的获得与真空泵简介1.4 真空的测量,1、气体分子的运动速度及其分布 气体分子运动论认为:气体的大量分子每时每刻都处于无规则的热运动之中,其平均速度取决于气体所具有的温度;同时,在气体分子之间以及气体分子与容器壁之间,发生着不断的碰撞过程,这种碰撞过程的结果之一是使气体分子的速度服从一定的统计分布。气体分子的运动速度服从麦克斯韦尔-玻耳兹曼(M
3、axwell-Boltzmann)分布:(1-1)式中,M为气体分子的相对原子质量,T为热力学温度,R为气体常数。气体分子运动速度的一维分量i(i=x,y,z三个坐标分量方向)均满足分布函数:(1-2)上式表明:气体分子的速度分布只取决于分子的相对原子质量M与气体热力学温度T 的比值。,1.1 气体分子运动论的基本概念,根据式1-1,还可以求出气体分子的平均运动速度:(1-3)可见:温度越高、气体分子的相对原子质量越小,则分子的平均运动速度越大;不同种类气体分子的平均运动速度也只与T/M的平方根成正比。在常温条件下,一般气体分子的运动速度是很高的。比如在T=300K时,空气分子的平均运动速度a
4、 460m/s。同时由气体的速度分布函数还可以证明,每摩尔气体分子的动能等于(3/2)RT,也只与其热力学温度有关。,2、气体的压力和气体分子的平均自由程,(1)气体的压力 气体分子与容器壁的不断碰撞对外表现为气体具有一定的压力。理想气体的压力p与气体分子的动能,或者说是与气体的热力学温度成正比,用理想气体状态方程式描述:(1-4)式中,n 单位体积内的分子数;NA 为阿伏加德罗(Avogadro)常数;n/NA 即等于单位体积内气体分子的摩尔数。真空:宇宙空间所存在的“自然真空”;利用真空泵抽取所得的“人为真空”。绝对真空:完全没有气体的空间状态。一般意义上的“真空”并不是指“什么物质都不存
5、在”。目前,即使用最先进的真空制备手段所能达到的最高真空度下,每立方厘米体积中仍有几百个气体分子。因此,平常所说的真空均指“相对真空状态”。在真空技术中,常用“真空度”习惯用语和“压强”物理量表示真空程度,通常说成“某空间的真空度为多大的压强”。某空间的压强越低意味着真空度越高,反之,压强高的空间则真空度低。,描述气体压强的单位很多,如下表:注:1托就是指在标准状态下,1毫米汞柱对单位面积上的压力。本书采用我国国家标准规定采用的Pa(或 MPa、Gpa)作为气体压力的基本单位。,(2)气体分子的平均自由程,分子平均自由程:气体分子在两次碰撞的间隔时间里走过的平均距离。假设某种气体分子的有效截面
6、直径为d,则该气体分子的平均自由程应该等于(1-5)因此,气体分子的平均自由程与单位体积内的气体分子数n成反比。在常温常压的条件下,气体分子的平均自由程是极短的。例如,在此条件下,空气分子的有效截面直径d 0.5nm,平均自由程 50nm。由平均自由程还可以求出气体分子的平均碰撞频率=a/。在常温常压的条件下,每个气体分子每秒钟内要经历1010 次碰撞。由于气体分子的运动轨迹是一条在不断碰撞的同时不断改变方向的折线,因此,尽管它的平均运动速度很高,但是单位时间里,其定向运动的距离却较小。由于气体分子的平均自由程与单位体积内的气体分子数n成反比,而压强p与n成正比,因此自由程随气体压力的下降而增
7、加。在真空度优于0.1Pa时,气体分子间的碰撞几率已很小,主要是气体分子与容器壁之间的碰撞。分子平均自由程的概念在真空和薄膜技术中有着非常重要的作用。在薄膜材料的制备过程中,薄膜的沉积主要是通过气体分子对衬底的碰撞过程来实现的。,3、气体分子的通量,真空及薄膜技术中常碰到的另一个物理量,是气体分子对于单位面积表面的撞频率,即单位时间内单位面积表面受到气体分子碰撞的次数,称为气体分子的通量(1-6)在薄膜材料的制备过程中,薄膜的沉积主要是通过气体分子对于衬底的碰撞过程来实现的。此时,薄膜的沉积速度正比于气体分子的通量。将式1-3和式1-4代入上式后,可以求出气体分子的通量(1-7)即气体分子的通
8、量与气体的压力呈正比,但与气体的热力学温度以及其相对原子质量的1/2次方成反比。上式又称为克努森(Knudsen)方程,它是真空和薄膜技术中最常用的方程式之一。,例:作为上式的一个应用,我们来计算一下在高真空环境中,清洁表面被环境中的杂质气体分子污染所需要的时间。,求解:假设每一个向清洁表面运动过来的气体分子都是杂质,并均被表面所俘获。由式1-7,可以求出表面完全被一层杂质气体分子覆盖所需要的时间(1-8)式中,N为沉积表面的单位面积上能容纳的一分子层内的气体分子数。由上式可得,在常温常压的条件下,洁净表面被杂质完全覆盖所需要的时间约为3.510-9s;而在10-8Pa的高真空中,这一时间可延
9、长至10h左右。这说明,在薄膜制备技术中获得和保持适当的真空环境是极端重要的。,4、真空区域的划分,低真空 102 Pa:真空干燥,低压化学气相沉积。中真空 102 10-1:低压化学气相沉积,溅射沉积。高真空 10-1 10-5:溅射沉积,真空蒸发沉积,电子 显微分析,真空浇铸。超高真空 10-5:表面物理,表面分析。,1.2气体的流动状态和真空抽速,1、气体的流动状态 在空间中存在压力差,导致气体的宏观定向流动。气体的流动状态影响因素:容器几何尺寸,气体的压力、温度及气体的种类。图1.2显示了气体流动状态与真空容器尺寸和气体压力间的关系。气体的流动状态可借助一个无量纲的参数克努森(Knud
10、sen)准数Kn来划分。定义:(1-9)式中,D为气体容器的尺寸;为气体分子的平均自由程。根据Kn的大小,气体的流动状态可分为:(1)分子流状态:Kn110。气体压较高,气体分子平均自由程较短,相互碰撞较频繁,如工作压力较高的化学气相沉积系统就工作在这各状态下。,与分子流状态相比,黏滞流状态的气体流动模式要复杂得多。根据另一个无量纲参数雷诺(Reynolds)准数Re划分气体的黏滞流状态。定义:(1-11)式中,d为容器的特征尺寸(如管路的直径);、分别是气体的流速、密度和动力学黏度系数。根据Re的大小,气体的黏滞流状态又可分为:(1)层流状态:Re2200,流速较高。此时气体不再能够维持相互
11、平行的层状流动模式,而会转变为一种旋涡式的流动模式,如图1.3b所示。这种气流中不断出现低气压的旋涡称为紊流状态。雷诺准数Re相当于气体流动的惯性动量与其受到的黏滞阻力之比,它们各自起着破坏与稳定气流的作用。因此,气体流动速度越慢,气体密度越小,容器尺寸越小,气体黏度系数越大,越有利于气流形成层流。注意:在一个真空系统中的不同部分,Kn、Re的数值以及相应的气体流动状态可能是截然不同的。如真空室同与之相接的气体输送管路,很可能出现不同的气体流动状态。,2、气体管路的流导流导C:在真空系统内,真空管路中气体的通过能力。(1-12)式中,p1和p2为部件两端的气体压力;Q为单位时间内通过该真空部件
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