磁性功能材料及应用56等.ppt
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1、磁性功能材料及应用,电子薄膜与集成器件国家重点实验室微电子与固体电子学院,梁迪飞(211楼401),,磁性功能材料及应用,Part 1 绪论 Part 2 磁电子学材料及应用Part 3 软磁材料及应用 Part 4 永磁材料及应用Part 5 旋磁铁氧体材料及其应用Part 6 电磁波吸收材料的发展及其在EMC中的应用,第五章 旋磁铁氧体材料,旋磁铁氧体(又称微波铁氧体)是指适用于微波频段的旋磁媒质。旋磁铁氧体在微波技术有着广泛的应用,利用其旋磁特性及非线性效应等可制成多种铁氧体器件(如隔离器、相移器、环行器、调制器等线性器件;振荡器、倍频器、限幅器、放大器等非线性器件),静态:H0,h()
2、=0,B=H,为实数;动态交变场(高频软磁):H=0,h()0,B=H,为 复数;交变场+恒磁场(旋磁:20056000MHz):H 0,h()0,为张量;,概述:什么是旋磁材料?,磁动力学方程,磁化强度在进动时遇到的阻尼作用是一个极为复杂的物理过程,微观机理不是十分清楚,宏观表达式目前主要有以下三种形式:,(1)兰道-利弗雪兹型,(2)布洛赫-布洛因伯根型,(3)吉尔伯特型,5-1 旋磁铁氧体材料的基本要求,一、饱和磁化强度Ms 4Ms(几百几千高斯)越大,旋磁作用越强。有利于缩小器件的体积。张量磁化率:x=m(i+ir)/(i+j r)2-2 xk=m/(i-j r)-2 i=Hi;=(弛
3、豫);m=4Ms;阻力矩促使进动迅速衰减,要达到进动,加大功率h由上式可知:x,xk都与4Ms有关,当 4Ms m x,xk 旋磁作用,高的旋磁特性,低的损耗,宽的频率范围,高的功率负荷以及良好的温度稳定性,2 4Ms高,将易于使铁氧体要微波讯号作用下出现低场损耗(自然共振)对于多晶材料,由于晶界及畴壁的退磁场作用,然共振角频率 自:H K 自(HK+4Ms)随4Ms自,工作=H接近自而产生低场损耗,对于低场器件,应用低4Ms,使自 工作;3 此外,4Ms大小还将影响恒磁场、应用功率(hc)、样品形状等。因此选择4Ms应全面考虑,二、铁磁共振线宽H,定义:当 一定,调节外加磁场,产生铁磁共振,
4、则代表损耗的磁导率虚部 达到最大max,这种现象称为铁磁共振。当=(1/2)max 所对应两个磁场分别为Ha和Hb,则定义 H=Ha-Hb 为铁磁共振吸收线宽。1H愈窄,谐振点吸收愈大,如谐振式隔离器的优值 R=(4/rH)2;远离谐振点,吸收往往愈小(与电损耗有关)即尾巴小,因此希望H小好;2 但如应用f0,Hi大,如3公分(f=c/=1010Hz)低场器件,H较宽,也无多大影响,因随f,谐振Hi,谐振峰远离低场区;3.一般H小,可降低磁损耗,但也与器件的其它性能有关;4.对于远 离共振区的器件,可用Heff,三、电阻率和介电损耗tg,在总损耗中除磁损耗外还包括材料的介电损耗(传导损耗和极化
5、损耗),均与Fe2+有关;一般:Fe2+tg 介电损耗:tg 1/;实际上可用直流电阻率或20MHz时测tg 来衡量旋磁铁氧体的介电损耗,也采用在微波频率 f 直接测 tg;四、居里温度 Tc 居里温度影响微波铁氧体的温度稳定性,在高功率或高温环境中应用时,必须考虑材料的居里温度。大多数单元石榴石的居里温度都在550560K左右。,五、自旋波线宽(自旋波损耗的参量),定义:波数k的自旋波(波取向的波数),由于阻尼作用其振幅将衰减,当振幅衰减至1/e(起始振幅)所需时间-自旋波弛豫时间 K,HK=2/K 用HKL 表 k=0(均匀一致进动)的自旋波线宽,即材料的本征线宽(不由自旋波杂质引起),即
6、由S-L-l耦合作用引起的损耗;可作为材料 承受功率高低的标准之一六、基本磁化曲线及磁滞回线 对于在低场区应用的旋磁材料,可能由于磁化尚未饱和,材料的磁化强度将信赖于外加恒磁场,其变化关系即为静态基本磁化曲线。在此情况下,基本磁化曲线是旋磁材料的一个指标。,5-2 旋磁铁氧体材料的损耗,旋磁损耗分类:磁损耗(共振损耗,低场损耗),电损耗(介电损耗)损耗机理:,一、自旋波频谱,定义:由于热骚动或其他因素影响,磁有序体中某些对磁性有贡献子自旋,偏离原来的有序排列方向,这个局部偏离的自进动,由于交换作用及磁偶极矩作用,将向磁有序体的其他部分传播,这种自旋进动的传播就是自旋波;自旋波分类:行波:振幅相
7、同,相位不同;驻波:振幅不同,相位相同;平面自旋波mk=mkoej(kt-kr)一般:将波矢k较大(k小)-自旋波;波矢k较小(k大)-静磁模;,在等效场:Heff=He-NzMo+Hex+Hdip作用下:旋转椭球样品的本征自旋波频谱:k2=(i+ex2k2)(i+ex2k2+mSin2k)kHe、形状、Ms、传播方向k和波长。可见:1.自旋波频谱可粗略分为三个区:1交换区;|k|k2(10/l,l为样品线度);2静磁区;|k|k1(10/l);3 k1 k k2 偶极区,2.外加场增加自旋波频谱曲线升高;3.对自旋波频谱曲线,最下面一条k=0当k0,k=0-Nzm,与 薄片加垂直于表面的恒磁
8、场时的铁磁共振频率相同,上面 一条 k=/2,当 k0,对应k=(0-Nz m)(0-Nz m+m)1/2 比球形 r球=rHe=0 更高,比棒状r棒=0+1/2 m要低;4.自旋波是色散波,即同一频率对应一系列不同方向和不同k值的 自旋波5 自旋波的群速Vg=dk/dK是波数K和的函数,以此原理可 制成自 旋波延迟线,并可磁控其延迟特性。,二、铁磁共振能量的驰豫过程,1.S-L-l(自旋-轨道-晶格)的耦合作用,自旋磁矩进动时,由 S-L耦合使晶格振动,将一致进动的能量送给晶格,转化为 热能,弛豫过程损耗能量快慢可用3表示,其决定于S-L-l 的耦合强弱,即L是否存在及其大小如何;H对应于内
9、 禀线宽Hkl-由本征特性S-L耦合引起称为kl弛豫。2.S-S耦合作用(自旋-自旋耦合非一致进动)将均匀进动(k=0)磁子的能量送给k0的自旋波,由自旋波谱知自旋 波是简并波,自旋波从均匀进动吸收能量(最终也经S-L-l耦合使l振动发热消耗掉)。,降低磁损耗的途径:,1.选择合适He,使一致进动和自旋波简并度很小,但微波 器件的工作条件限制了He和样品形状,通常简并不可 避 免;2.尽量减小散射中心,减小自旋波的产生;多晶:1在晶粒的边界和内部由于存在气孔和非磁杂质而形 的退磁场不均匀性;2.晶粒各向异性的分散性;3.少量弛豫离子;,三、影响单晶体铁氧体H的因素,单晶弛豫过程:1.S-S(二
10、磁子)弛豫:不均匀性引起散射:不均匀性愈多,自 旋波愈多;自旋波振幅愈大;T2 及H H 简并 2.电子转移(Fe2+Fe3+e):和弛豫杂质离子;弛豫通过 S-L 耦合将均匀进动能量耦合至晶格损耗掉,特点是H 有 温度峰;H 杂质 3.KL弛豫,决定了高纯样品的本征损耗,要求HK L 0;,对YIG单晶小球:H单晶=H简并+H杂质+HK L1.S-S弛豫:与自旋波(不均匀性)多少有关;1.磁性离子在晶格中排列的均匀程度 YIG:无阳离子空位:Y全占12面体;Fe3+占四,八面体;尖晶石:有阳离子空位,64个A位占8个,32个B位占16个;尖晶石的均匀性比YIG差H简并 2.工艺不当引起内部缺
11、陷,另相(与成分,工艺有关),如YIG:多Fe 出现Fe2O3或Fe3O4另相(工艺也可出现);3.表面抛光的粗糙度;目前微波使用单晶YIG小球,当表面抛光 好时,H=0.10.5Oe;109m 2.H具有温度峰的弛豫过程-H杂质;3.HKL-内禀线宽:S-L的本征特征,HKL与温度有关(S-L与T有关);,四、影响多晶铁氧体的因素,H多晶=H单晶+H磁晶+H空隙影响因素:1.多晶由任意取向的小单晶组成,各小单晶内的有效内场 不同引起HK(H磁晶);2.多晶内存在气孔与另相,在气孔与另相的表面出现磁荷,引起不均匀性局部退磁场HP(H空隙);因此多晶的H多晶比H单晶大数倍及几十倍;,例:对YIG
12、(Y3Fe5O12)单晶小球,若无磁晶各向异性,即Hk0;若工作频率f0=3000MhHz 共振磁场H 0=H0 H0=f/(/2)=f/2.8=3000/2.8=1071(Oe)实际上YIG存在各向异性场Hk=(4/3)|k1/Ms|=57Oe 当 H0111时:H0+Hk=H0+(4/3)|k1/Ms|=0/H0=0/-(4/3)|k1/Ms|=1071-57=1014Oe 当 H0100时:H0=f0/2.8+2(k1/Ms)=1071+86=1157Oe,1.HK磁晶各向异性降低Hk 的具体办法:A.选 k1 小的材料如 Y3Fe5O12,MgFe2O4,MnFe2O4,Li0.5Fe
13、2.5O4及其复合铁氧体 MgMnAl B用非磁性离子取代磁性离子使 k;如Al3+代MgMn中的 Fe3+;Zn2+代NiFe2O4的Ni2+使得4Ms k1;C采用正负 k 补偿;如NiFe2O4中加CoFe2O4,可使k10,但一 般不用Fe2O3(+k1),因Fe2+引起 损耗增大;D加In3+,Zr4+,Sn4+,Ti4+到YIG中代Fe3+可使k10,H2.HP 气孔 另相磁荷各处内场不同H0不同.H;故降低HP的方法是:提高密度,减小另相气孔;(原材料、配方、工艺),四、影响多晶铁氧体的因素,H多晶=H单晶+H磁晶+H空隙影响因素:1.多晶由任意取向的小单晶组成,各小单晶内的有效
14、内场 不同引起HK(H磁晶);2.多晶内存在气孔与另相,在气孔与另相的表面出现磁荷,引起不均匀性局部退磁场HP(H空隙);因此多晶的H多晶比H单晶大数倍及几十倍;,5-3 微波铁氧体材料简介,一、微波铁氧体的基本要求:高的旋磁比、低的损耗、宽频频、高的功率负荷及良好的温度稳定性;二、分类多晶与单晶;多晶主要有尖晶石、石榴石和磁铅石三种三、基础磁特性饱和磁化强度4s:200550010-4T居里温度Tc:100600在微波频段其介电常数约为:816,特点:4Ms高,Tc高,成本低,应用频率高,H由几十-几百Oe;为了提高电阻率常用缺铁配方、加入微量的MnCO3、并在氧气氛中烧结;这了降低烧结温度
15、、提高密度可以在材料中加入CuO和Bi2O3 主要有:Mg系 Ni系 Li系,5-3-1 尖晶石系旋磁材料,(一)、MgMn系 分子式:Mg2+xFe3+1-xMg2+1-xFe3+xO44Ms:3003000 10-4T,工程上主要有镁-锌、镁-锰、镁-锰-铝系等,各向异性常数较小,易烧结成高密度、窄线宽的样品;(二)、Ni系(NiZn):特点:高功率,环境稳定性好;加少量Mn,Co可以避免出现Fe2+;加Zn 4Ms;加Al 4Ms H;(三)、Li系 磁滞回线呈矩形,用于锁式相移器以及高功率器件;,5-3-2 石榴石型旋磁铁氧体材料:主要应用于低频段高功率器件,常组成以YIG为基础的多元
16、铁氧体;分为两类:(1)YIG:YAlIG,YGdIG,YGaIG;1.YIG(Y3Fe15O12):4Ms=1700Gs,H多晶=0.20.5Oe,因 L=0,k1小,H主要决定于气孔(除杂质外);2.YAlIG,YGaIG,其中Al,Ga 取代 Fe3+,4Ms;但取代后由 也,所以|k1/Ms|近似不变,H几乎不变;3.YGdIG:Gd3+(4f7)取代Y,主要目的下降4Ms(室温),且|M/T|小稳定性好;由于无轨道L,H较小;YGdIG 可出现c;,(2)钙钒系:YCaVIG,BiGaVIG;优点:1.与YAlIG相比,如4Ms相同,Tc,H高功率特性较好;2.掺入V可降低 T烧;3
17、.Ca,V代Y降低成本;1.YCaVIG:加In3+离子分布为:Y3-2xCa2-xFe2-yIny(Fe3-xVx)O12 当为Y1.4Ca1.6Fe3.7In0.5V0.8O12 时;其性能:4Ms=750Gs,H=8Oe,Tc=160oC,=109cm 2.BiCaVIG系 用Bi代替Y得到Bi3-2yCa2yFe2(Fe3-yVy)O12,只有当y0.96时才能得单相,4Ms最高只有700Gs,适用于低频段,高功率器件,因Bi可助熔,又在1100oC烧成,H小;3.加入In3+,Zr4+,Sn4+,Ti4+可降低H(取代Fe3+),5-3-3 六角晶系旋磁材料 作毫米波器件,内场高,所
18、需外加场小,器件体积小,本节描述了微波铁氧体,所利用的物理现象是材料受静磁场和微波场两者作用时出现的旋磁共振。这种效应的内在性质是非互易的,它是由磁导率的张量(非标量)性质造成的。这种非互易特性已广泛地用于各种器件中。饱和磁化强度Ms是一个基本量,它不仅是效率的一个因素,而且还因为在内场下存在自然共振(不加静磁场)。对于给定的应用,磁化强度是选择材料时首先要考虑的一个量。在任何共振效应中一样,线宽是头等重要的。线宽主要与自旋运动的阻尼效应有关,通过研究非共振线宽(Heff)或与自旋(Hk)有关的非线性效应,线宽问题可能解决。相反,在多晶中,共振时观察到的主模线宽H是由磁晶各向异性展宽的,或是由
19、与缺陷和气孔率有关的寄生效应展宽的。,6-1 石榴石铁氧体的晶体结构,慨述:石榴石:损耗低,可以方便调整Ms,H,HK;主要应用:微波及光波领域;1石榴石一般化学式:A3B2(C3)O12 为十二面体;为八面体;()四面体;A:二价金属离子;如:Ca2+,Fe2+,Mg2+,Mn2+;B:三价Fe3+或其它3d过渡族金属离子如Al3+Cr3+Mn3+C:一般为Si4+2天然石榴石:(FeMn)3Al2(SiO4)3 3磁性石榴石铁氧体由稀土R3+和Fe3+取代Mn2+,Si4+生成化 学式为R3Fe5O12(3R2O35Fe2O3)简称RIG(YIG)可用于微波,激光,磁光,磁泡。,第六章石榴
20、石铁氧体晶体结构及基本特性,单位晶胞,一、单位晶胞 1由金属离子16a(八面体)构成体心立方结构.点阵常数a=12.5 埃,基本上仍有O2-密堆而成(面心);由于R3+太大,不能占 四面体(24d)和八面体(16a),占氧位又太小,而占12面体(24c)位,所以石榴石结构比尖晶石结构复杂一些。2除96个O2-外,具有三种金属离子位置。1.4个O2-包围的四面体位有24个(简称24d或d位)由Fe3+所占;2.由6个O2-包围的八面体有16个(简称16a或a位);由Fe3+所占 3.由8个O2-包围的12面体有24个(简称24c或c位);由R3+所占,3每个小立方构成体心立方结构,含占据八面体位
21、(16a)的 金属离子2个;4四面体(24d)与十二面体(24c)位的金属离子处于小立方的 6 个晶面的中心线的1/4(或3/4),故每个小立方包含3个 占据四面体和3个占据十二面体位的金属离子;5单位晶胞有8个小立方,因此单位晶胞的64个空位(82a+8 3d+8 3c)全被金属离子占据.金属离子分 布 式如下:R3Fe2(Fe3)O12,石榴石铁氧体结构特点:1金属离子间隙完全被金属离子占据,制造中要求配方 准确,烧结温度高;2相对于尖晶石结构,新增十二面体金属离子位置,增 加了离子取代途径,有利于改善材料性能;离子置换条件:金属离子总和=8 R2O3过量,出现RFe2O3 如不满足(钙钛
22、矿结构铁氧体);化学价平衡=24 Fe2O3过量,出现Fe2O3或 Fe3O4另相,二、离子取代规律采用离子取代来改变石榴石铁氧体的某些磁特性,以满足各种应用上的需要。规律:总的说来,与尖晶石铁氧体一样,除应满足摩尔比外其占位倾向性也应由金属离子半径、化学键及晶场等因素决定。YIG中各种离子占位倾向性详见书中表,6-2 石榴石铁氧体的饱和磁化强度,一、分子磁矩的计算两近邻磁性离子Me-O-Me之间超交换作用决定于离子间距及夹角;Fe3+(a)-O2-Fe3+(d)夹角126.6o 2.0 0 1.8 8 Fe3+(d)-O2-R3+(c)夹角122.2o;1.88 2.43存在六种类型的超交换
23、作用:a-a,d-d,c-c,a-d,a-c,d-c。作用最强的为:a-d,其次为:d-c。a-d位置上的离子磁距反向排列,a-c位置上的离子磁距同向排列,在0K的各位置磁矩排列:24c 16a(24d)R3 Fe23+Fe33+O12 3mR B 25 B 35 B 分子磁矩 nB=|mc-(md-ma)|=|3mR-5|对YIG Y3+的 nB=0总 nB=5 B 方向与 24d 相同;对Gd3Fe5O12 Gd 的 nB=7 B 总nB=3 7-5=16 B方向与24c和16a相同;,二、石榴石磁化强度的温度特性,特性:大多数石榴石铁氧体(R3Fe5O12)的MsT曲线 均具有抵消点c,
24、即在f以下某一温度 T,合成净磁矩为0;原因:超交换作用存在于a-d 最强,c-d 较弱,随着 温度增加,热骚动作用更容易影响 c-d位,使 c 位的Mc不完全平行;c a d R3 Fe23+(Fe33+)O12 当T|md-ma|净Ms与Mc方向相同;T=c,|mc|=|md-ma|净Ms=0;Tc,|mc|md-ma|净Ms与d位同向;,三、YIG多元铁氧体的饱和磁化强度,离子分布式:则 nB=|mc-(md-ma)|式中,mc=xmR;ma=10-y(5-mMa);md=15-z(5-mMd);故改变c、a、d位中取代离子R、Ma、Md的种类及其数量x、y、z,就可以改变石榴石型铁氧体
25、的饱和磁距。,(一)置换YIG铁氧体中的Y离子对Ms的影响 用Gd置换Y离子:GdxY3-xFe5O12,当 x增加,达到一定值时,如 x=1.2,可出现c,且c随x增加移向高温;在工作温度内 MsT 曲线较平坦,以此可提高温度稳定性;以Ca,Bi等取代价贵的Y,可降低成本,并可人为地控制磁 性能以满足不同频段器件的要求;(二)置换YIG铁氧体中的Fe3+离子对Ms的影响In3+,Sc3+,Cr3+对八面体(16a)位置 Fe3+的取代,|md-ma|增加,而使0K时的饱和磁距增加,但超交换作用降低,居里温度下降;Al3+、Ga3+取代占四面体(d)位置(YIG中)Fe3+,Ms 与 f 均是
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