电力电子学陈坚第七章.ppt
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1、7章 辅助元器件和系统,1,电力电子学电力电子变换和控制技术(第三版)陈 坚 编著华中科技大学,7章 辅助元器件和系统,2,第七章 辅助元器件和系统,7.1 触发、驱动器7.2 过电流保护和过电压保护7.3 开关器件的开通、关断过程与安全工作区7.4 缓冲器7.5 电感(电抗器)、方波变压器和脉冲变压器7.6 滤波器7.7 散热系统 7.8 控制系统和辅助电源,7章 辅助元器件和系统,3,电力电子变换器中,周期性地改变开关的通、断状态,可实现DC/DC、DC/AC、AC/DC、AC/AC电力变换和控制。电力电子变换器中除开关电路外,还必须有一些辅助元器件和系统,如触发驱动器、过流过压保护系统、
2、缓冲器、电感、电容、变压器、滤波器、散热系统、辅助电源、控制系统等。本章介绍这些辅助元器件和系统,7.0 辅助元器件和系统,7章 辅助元器件和系统,4,电力电子变换器系统框图示例,7章 辅助元器件和系统,5,第七章 辅助元器件和系统,7.1 触发、驱动器7.2 过电流保护和过电压保护7.3 开关器件的开通、关断过程与安全工作区7.4 缓冲器7.5 电感(电抗器)、方波变压器和脉冲变压器7.6 滤波器7.7 散热系统 7.8 控制系统和辅助电源,7章 辅助元器件和系统,6,晶闸管SCR的触发驱动器 GTO的触发驱动器 BJT的驱动器 P-MOSFET、IGBT的驱动器,7.1 触发、驱动器,触发
3、控制器从控制系统接收控制信号,经过处理后输出触发驱动电压(电流),开通或关断元器件,不同的开关器件,不同的应用情况,要求不同的触发驱动器,已有各类开关元器件的触发驱动器可供选用。,7章 辅助元器件和系统,7,晶闸管SCR的触发驱动器 GTO的触发驱动器 BJT的驱动器 P-MOSFET、IGBT的驱动器,7章 辅助元器件和系统,8,有隔离变压器的SCR触发驱动器,SCR只要求有脉冲电流触发其开通,脉冲电流Ig上升沿要陡,强触发数值要足够大(脉冲足以使SCR立即开通),7章 辅助元器件和系统,9,有隔离变压器的SCR驱动器,SCR只要求有脉冲电流触发其开通,脉冲电流Ig上升沿要陡,强触发数值要足
4、够大(脉冲足以使SCR立即开通),晶闸管SCR触发驱动器,7章 辅助元器件和系统,10,晶闸管SCR触发驱动器,由发光二极管LED和光控晶闸管LAT组成 光电耦合隔离较变压器隔离电磁干扰小,但光控晶闸管LAT必须能承受电路的高压 快速光耦响应时间可小于1.5s 高压电力系统、直流输电等用的SCR触发器大都采用光纤电缆传送驱动信号,7章 辅助元器件和系统,11,晶闸管SCR的触发驱动器 GTO的触发驱动器 BJT的驱动器 P-MOSFET、IGBT的驱动器,7章 辅助元器件和系统,12,GTO的触发驱动器,GTO要求有正值门极脉冲电流+Ig触发其开通,负值脉冲电流-Ig使其关断 MOS管M1、M
5、2接收从控制系统输入的高频互补式方波电压后,向GTO输出+Ig触发其开通,并使C充电。要关断已处于通态的GTO(M1、M2已无输入信号)时,需触发开通SCR,C放电形成-Ig,关断GTO,7章 辅助元器件和系统,13,晶闸管SCR的触发驱动器 GTO的触发驱动器 BJT的驱动器 P-MOSFET、IGBT的驱动器,7章 辅助元器件和系统,14,BJT理想驱动条件及理想波形,BJT的驱动器,基极驱动电流的波形:晶体管开通的瞬间,驱动电流应有足够陡的前沿和比稳态驱动电流大得多的前沿峰值电流,以保证晶体管迅速进入饱和状态;基极电流的稳态值:应使晶体管处于饱和或临界饱和状态,以降低通态损耗;,驱动电流
6、后沿加一个较大的负电流:以保证迅速地将晶体管b-e之间的结间存储电荷抽出,加快关断过程,降低开关损耗,并有利于提高开关频率。基极驱动电路必须隔离,响应快,波形不失真。有过流或晶体管进入放大区工作的保护功能。,7章 辅助元器件和系统,15,BJT的驱动器及驱动波形,BJT要求有正值基极电流+IB强触发开通,并要求有持续的较小的驱动电流,保持其通态。最好有-IB使其关断时间缩短,有较小的负基极电流维持其可靠的断态 与R并联的C提供了强触发+IG,输入端P为低电平时,TR1通,TR2通,有+iG驱动BJT 输入端为高电平时,TR1断,TR3通,C经TR3放电,形成BJT关断所需的-iB,7章 辅助元
7、器件和系统,16,P点有输入信号时,反相器输出VB=0,光耦驱动器TL1导通使A点为高电位,经R1使T1导通,为BJT提供+IB 当P点无输入信号时,VP=0,光耦驱动LT2导通,使A点为低电位,T2导通,C经T2、R2放电,为BJT提供关断电流-IB,有光耦隔离的BJT的驱动器,7章 辅助元器件和系统,17,BJT的其他驱动电路,7章 辅助元器件和系统,18,晶闸管SCR的触发驱动器 GTO的触发驱动器 BJT的驱动器 P-MOSFET、IGBT的驱动器,7章 辅助元器件和系统,19,基于大脉冲电流TTL驱动器,一般选取正UGE=1215V,关断过程中,为尽快使栅极输入电容放完电,并将P-M
8、OSFET或IGBT置于反偏的最大安全工作区,应施加一负偏压UGE,但它受IGBT的GE间最大反向耐压限制,一般取-2-10V,7章 辅助元器件和系统,20,有脉冲变压器的驱动器,P-MOSFET、IGBT等都是电压型驱动器件,要求有持续的电平+VG使其开通并保持其通态;关断时最好加持续的负电平-VG,并维持其可靠的断态 P有正信号输入时,AM截止,开通P-MOSFET;P=0时,AM开通,C放电,P-MOSFET截止,7章 辅助元器件和系统,21,有光耦隔离的驱动器,P有正信号输入时,放大器输出A点正电位使T1导通,P-MOSFET开通,并保持通态 P无信号输入时,A点为负电位,T2导通,稳
9、压管DZ两端电压抽出C电荷,并在P-MOSFET管上栅-源极加负压,使其关断并保持断态,7章 辅助元器件和系统,22,第七章 辅助元器件和系统,7.1 触发、驱动器7.2 过电流保护和过电压保护7.3 开关器件的开通、关断过程与安全工作区7.4 缓冲器7.5 电感(电抗器)、方波变压器和脉冲变压器7.6 滤波器7.7 散热系统 7.8 控制系统和辅助电源,7章 辅助元器件和系统,23,过电流保护过电压保护开关器件串联、并联应用时的均压、均流保护,7.2 过电流保护和过电压保护,7章 辅助元器件和系统,24,过电流保护过电压保护开关器件串联、并联应用时的均压、均流保护,7.2 过电流保护和过电压
10、保护,7章 辅助元器件和系统,25,过电流保护,可同时采用多种过流(过载、短路)保护,各尽所能协调配合,实现可靠地选择性保护。电子保护:动作阈值高,延时小,封锁脉冲,停机 快速熔断器:既可作短路保护又可作过载保护 SCR被触发导通,烧断熔断器,切断电路 开关管设死区延时开通,防止直通,7章 辅助元器件和系统,26,过电流保护过电压保护开关器件串联、并联应用时的均压、均流保护,7.2 过电流保护和过电压保护,7章 辅助元器件和系统,27,过电压保护,避雷器击穿对地放电,防止雷电过电压设置Co,抑制操作开关S通、断时过电压线路上并接RC过电压缓冲器线路上并接压敏电阻RV用缓冲器抑制开关管通、断时的
11、过电压,7章 辅助元器件和系统,28,过电流保护过电压保护开关器件串联、并联应用时的均压、均流保护,7.2 过电流保护和过电压保护,7章 辅助元器件和系统,29,开关管串并联均压均流保护,开关管并联使用时要均流串L P-MOS管通态电阻rT温度系数为正(温度高,rT大)开关管并联自动均流。BJT的rT温度系数为负,不宜并联使用。IGBT大电流时,rT温度系数为正。,开关管串联使用时要均压并RC 取R11=R12远小于rT1、rT2稳压均压 取R13=R14,C13=C14动态均压,7章 辅助元器件和系统,30,第七章 辅助元器件和系统,7.1 触发、驱动器7.2 过电流保护和过电压保护7.3
12、开关器件的开通、关断过程与安全工作区7.4 缓冲器7.5 电感(电抗器)、方波变压器和脉冲变压器7.6 滤波器7.7 散热系统 7.8 控制系统和辅助电源,7章 辅助元器件和系统,31,线路电感L=0时开关器件的开通、关断过程线路电感L0时开关器件的开通、关断过程安全工作区,7.3 开关器件的开通、关断过程与安全工作区,7章 辅助元器件和系统,32,开关器件的开通、关断过程,可以近似认为在一个开关周期Ts=Ton+Toff期间io=Io不变,开通关断过程中iT线性变化 断态:+VG=0,rT=,iT=0,D续流Io,VT=VD,A点 通态:有+VG,rT=0,iT=Io,D截止,VT=0,C点
13、,7章 辅助元器件和系统,33,开关器件的开通、关断过程,开通:断态通态,rT从 0,iT从0线性上升至Io,VT从VDI0关断:通态断态,rT从0,iT从Io线性下降至0,VT从0VD,开通过程中工作点如何从A过渡到C?VT按什么规律降至0?关断过程中工作点从C如何过渡到A?VT按什么规律上升至VD?取决于电 路中的电感L及开关管的并联电容C,7章 辅助元器件和系统,34,开关器件的安全工作区,无串联电感时:开通过程:ABC(高压下电流上升AB,负载电流下电压下降BC)关断过程:CBA(负载电流下电压上升 对应CB,高压下电流下降 对应BA)有串联电感时:开通过程AQEC,比ABC好 关断过
14、程CBHPA,比CBA差,7章 辅助元器件和系统,35,线路电感L=0时开关器件的开通、关断过程线路电感L0时开关器件的开通、关断过程安全工作区,7.3 开关器件的开通、关断过程与安全工作区,7章 辅助元器件和系统,36,线路电感L=0时开关器件开通关断过程,7章 辅助元器件和系统,37,有+VG后延时td,rT从0,有-VG,经存储时间trv,rT 从0 开通:rT,iTIo之前,D仍导电,VT=VD 在tri期间itIo,D仍导电,VTVD,AB。此后,在tfv期间,iT=Io,D截止,rT,VT0,BC 关断:rT,在trv期间VTVD,D仍截止,iT Io,CB 此后,在tfi期间VT
15、=VD,D导电,rT,iT0,BA,线路电感L=0时开关器件开通关断过程,7章 辅助元器件和系统,38,线路电感L=0时开关器件开通关断过程,开通电流iT上升期:iT=Iot/tri(7-1)关断电流iT下降期:iT=Io(1-t/tfi)(7-2)若认为vT在开通关断过程中也呈线性变化在则:,(7-5),(7-6),7章 辅助元器件和系统,39,线路电感L=0时开关器件的开通、关断过程线路电感L0时开关器件的开通、关断过程安全工作区,7.3 开关器件的开通、关断过程与安全工作区,7章 辅助元器件和系统,40,线路电感L 0时开通过程,开通过程:断态时,VT=VD,iT=0。工作点为A,有VG
16、后,rT,iT=Io.t/tri,tri 期间上升时,D仍在导电,VT=VD-LdiT/dt=VD-LIo/tri=VQVD,工作点从A立刻转移到Q点,在tri期间再从QE,此后iT Io,rT,VT从VQ0,工作点从EC。,7章 辅助元器件和系统,41,线路电感L 0时关断过程,关断过程:通态时VT=0,iT=Io,工作点为C,撤除VG后,rT,VT,在trv期间VTVD前,D仍反偏截止,iT=Io,工作点从CB,此后rT,一旦VTVD时,D导电iT线性减小,vT=VD-LdiT/dt=VD+LIo/tfi=VCEP,工作点立即从BH,在iT从Io0期间工作点从HP,一旦iT=0,工作点从P
17、A(iT=0,VT=VD),7章 辅助元器件和系统,42,线路电感L=0时开关器件的开通、关断过程线路电感L0时开关器件的开通、关断过程安全工作区,7.3 开关器件的开通、关断过程与安全工作区,7章 辅助元器件和系统,43,安全工作区,L=0时,开通轨迹ABC,关断轨迹CBAL 0时,开通轨迹AQEC,关断轨迹CBHPAL改善了开通轨迹,恶化了关断轨迹安全工作区:VTVCEP,KJ线左侧 iTICM,NM线下方 Pt=VTiT,功率限制线左下侧,7章 辅助元器件和系统,44,第七章 辅助元器件和系统,7.1 触发、驱动器7.2 过电流保护和过电压保护7.3 开关器件的开通、关断过程与安全工作区
18、7.4 缓冲器7.5 电感(电抗器)、方波变压器和脉冲变压器7.6 滤波器7.7 散热系统 7.8 控制系统和辅助电源,7章 辅助元器件和系统,45,全控型开关管LCRD型复合缓冲器电力二极管、晶闸管的RC缓冲电路P-MOSFET、IGBT的限幅箝位缓冲器,7.4 缓冲器,7章 辅助元器件和系统,46,全控型开关管LCRD型复合缓冲器电力二极管、晶闸管的RC缓冲电路P-MOSFET、IGBT的限幅箝位缓冲器,7.4 缓冲器,7章 辅助元器件和系统,47,全控型开关管LCRD复合缓冲器,缓冲电路由Ls、Cs、Ds、Rs组成,T用于全控型开关管GTO、BJT、IGBT、P-MOS。串联电感Ls用于
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