单片机系统扩展技术6-1单片机系统扩展的基本概念.ppt
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1、第六章 单片机系统扩展技术,6-1 单片机系统扩展的基本概念,6-2 程序存储器扩展技术,6-3 数据存储扩展,6-4 输入/输出口扩展,6-1 MCS-51单片机系统扩展的基本概念,单片机在一块芯片上集成了计算机的主要硬件资源。因此,在智能仪器仪表,小型检测及控制系统中,往往直接采用单片机构成最小应用系统而不再扩展外围芯片。但是,在许多情况下,例如构造一个机电测控系统时,考虑到传感器接口,伺服控制接口以及人机对话接口等需要,最小应用系统不能满足系统功能要求,必须在片外扩展相应的外围芯片,这就是单片机系统扩展。单片机系统扩展一般包括程序存储器(ROM或EPROM)扩展、数据存储器(RAM)扩展
2、、输入/输出口(I/O)扩展、定时/计数器扩展、中断系统扩展等。,6-1-1 MCS-51单片机最小应用系统,简单介绍两种类型芯片构成的最小应用系统。,18051/8751最小应用系统 8051/8751是片内有ROM/EPROM的单片机,因此,用这种芯片构成的最小应用系统结构简单,工作可靠。,8051/8751最小应用系统:,28031最小应用系统,8031是片内无程序存储器的单片机芯片,因此,其最小应用系统应在片外扩展EPROM。右图为用8031外接程序存储器构成的最小系统。,6-1-2 MCS-51单片机的外部扩展性能,1.MCS-51单片机的片外总线结构 单片机都是通过片外引脚进行系统
3、扩展的。为了满足系统扩展的要求,MSC-51系列单片机片外引脚可以构成如图6-3所示的三总线结构,即地址总线(AB),数据总线(DB)和控制总线(CB)。所有外部芯片都通过这三组总线进行扩展。,2MSC-51单片机的系统扩展能力,为配置外围设备而扩展的I/O口与片外数据存储器统一编址,系统不再提供另外的地址线。当系统要大量配置外围设备以及要扩展较多的I/O口时,将占去大量的RAM地址。当应用系统存储扩展容量或扩展I/O口地址超过单片机地址总线范围时,可采用换体法解决。如图所示。,6-2 程序存储器扩展技术,6-2-1 EPROM:可擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后,某些存储单元的
4、PN结表面形成浮动栅,阻挡通路,实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅,原有信息全部擦除,便可再次改写。作为MCS-51单片机的外部程序存储器,其典型产品有2716(2K*8)、2732(4K*8)、2764(8K*8)27512(64K*8)等。图6-2-1给出了双列直插式封装的 EPROM芯片的管脚配置图。图中Ai(i=0,1,2,15)为地址线,O0O7 为数据线,为片选线,为数据输出选通线,Vpp为编程电源,Vcc为主电源,PGM为编程脉冲输入。,介绍两种不同的程序存储器扩展电路:EPROM、EEPROM。,28引脚EPROM芯片管脚配置,2764A EPROM扩展电路,2764A是一
5、种8K8位EPROM,单一+5V供电,工作电流为75mA,维持电流为35mA,读出最大时间为250ns,28脚双列直插封装。其扩展电路示于图6-6。若要同时扩展两片2764A,只需将P2.5 经一非门接至第二片2764A的片选端,其它引脚与第一片2764A同名引脚相连即可。,6-2-2 EEPROM 扩展电路,EEPROM是一种电擦除可编程只读存储器,其主要特点是能在计算机系统中进行在线修改,并能在断电的情况下保持修改的结果。因而在智能化仪器仪表、控制装置等领域得到普遍采用。常用的EEPROM芯片主要有Intel 2817A、2864A等。,1.2817A EEPROM扩展2817A存储容量为
6、2K8位,采用单一+5V电源供电,最大工作电流为150mA,维持电流55mA,读出时间最大为250ns。由于片内设有编程可需的高压脉冲产生电路,因而无需外加编程脉冲即可工作。2817A为28脚双列直插封装,管脚配置如图6-8。图中A0A10为地址线,O0O7 为数据线,为片选线,为输出使能,为写入使能,RDY/为状态指示,2817A管脚配置,图6-9给出了2817A与8031单片机的硬件连接图。图中,采用了将外部数据存储器空间与程序存储器空间合并的方法,即将信号 与信号 相“与”,其输出作为单一的公共存储器读选通信号。这样,8031即可对2817A进行读写了。图中8031采用查询方式对2817
7、A的写操作进行管理。,2817A EEPROM扩展电路,6-3 数据存储器扩展,在单片机应用系统中,作为数据存储器使用的有静态读/写存储器RAM,动态读/写存储器RAM和EEPROM等。下面着重介绍静态RAM和动态RAM的扩展。,6-3-1 静态RAM扩展电路 常用的静态RAM芯片有6116,6264,62256等,其管脚配置如图6-13所示。,常用静态RAM芯片管脚配置,6264静态RAM扩展,6264是8K8位静态随机存储器芯片,CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗200MW,典型存取时间200ns,28脚双列直插式封装。与6116相比,地址线增加两根,为A0A12,且有两个片选端
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