半导体光催化基础第二章表面及表面态研究方法.ppt

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1、表面及表面态研究方法,常用表面分析技术简介,表面分析技术是建立在超高真空、电子离子光学、微弱信号检测、计算机技术等基础上的一门综合性技术。表面分析技术通过用一束“粒子”或某种手段作为探针来探测样品表面，这些探针可以是电子、离子、光子、电场和热，在探针的作用下，从样品表面发射或散射粒子或波，它们可以是电子、离子、中性粒子或光子，这些粒子携带着表面的信息，检测这些粒子的能量、动量分布、荷质比、束流强度等特征或波的频率、方向、强度、偏振等情况就可得到有关表面的信息。,常用表面分析技术,1.XPS:,2.AES,3.SIMS,4.ISS,材料表面分析的基本内容和分析方法,表面分析的基本内容大致可分为表

2、面元素组成分析、表面结构分析和从表面经界面到基体的纵深分析；材料的表面元素组成分析包括元素的点分析、线分析、选区分析和面分布分析以及表面分子中原子的化学状态、化学键和分子结构分析；材料的表面结构分析包括表面形貌分析、表面点阵结构分析、表面缺陷分析；材料的纵深分析包括有损和无损的元素浓度或元素的化学状态的纵深分布分析。,材料的表面分析基本内容及相应分析方法,1 元素的定性定量组成分析XPS AES SIMS ISS XRF EELS2 元素组成的选区和微区分析SAX iXPS AES SIMS3 元素组成的面分布分析iXPS SAM SSM4 元素的化学状态分析XPS AES XAES SIMS

3、 EELS5 原子和分子的价带结构分析UPS INS XPS6 分子中化学键官能团分子量分子结构式的分析SIMS RAIRS SERS EELS7 痕量元素和痕量杂质分析SIMS XRF8 表面点阵结构分析LEED RHEED ILEED LEELS SEXAFS9 表面形貌分析STM AFM APFIM FEM10 材料的纵深分析SIMS AES XPS,XPS 引言,X射线光电子谱是重要的表面分析技术之一。它不仅能探测表面的化学组成，而且可以确定各元素的化学状态，因此，在化学、材料科学及表面科学中得以广泛地应用。X射线光电子能谱是瑞典Uppsala大学K.Siegbahn及其同事经过近20

4、年的潜心研究而建立的一种分析方法。他们发现了内层电子结合能的位移现象，解决了电子能量分析等技术问题，测定了元素周期表中各元素轨道结合能，并成功地应用于许多实际的化学体系。,XPS 引言,K.Siegbahn给这种谱仪取名为化学分析电子能谱(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)，简称为“ESCA”，这一称谓仍在分析领域内广泛使用。随着科学技术的发展，XPS也在不断地完善。目前，已开发出的小面积X射线光电子能谱，大大提高了XPS的空间分辨能力。,XPS X射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪,XPS X射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪X射线源是用于产

5、生具有一定能量的X射线的装置，在目前的商品仪器中，一般以Al/Mg双阳极X射线源最为常见。,XPS X射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪,XPS X射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪作为X射线光电子谱仪的激发源，希望其强度大、单色性好。同步辐射源是十分理想的激发源，具有良好的单色性，且可提供10 eV10 keV连续可调的偏振光。在一般的X射线光电子谱仪中，没有X射线单色器，只是用一很薄(12m)的铝箔窗将样品和激发源分开，以防止X射线源中的散射电子进入样品室，同时可滤去相当部分的轫致辐射所形成的X射线本底。,XPS X射线光电子谱仪,X射线光电子谱仪将X射线用石英晶体的(1010)面沿Bragg

6、反射方向衍射后便可使X射线单色化。X射线的单色性越高，谱仪的能量分辨率也越高。除在一般的分析中人们所经常使用的Al/Mg双阳极X射线源外，人们为某些特殊的研究目的，还经常选用一些其他阳极材料作为激发源。半峰高宽是评定某种X射线单色性好坏的一个重要指标。,XPS X射线光电子谱基本原理,X射线光电子谱基本原理X射线光电子能谱的理论依据就是Einstein的光电子发射公式，在实际的X射线光电子谱分析中，不仅用XPS测定轨道电子结合能，还经常用量子化学方法进行计算，并将二者进行比较。,XPS X射线光电子谱仪的能量校准,能量坐标标定,XPS X射线光电子谱仪的能量校准,能量坐标标定,Seah给出的结

7、合能标定值,XPS X射线光电子谱仪的能量校准,荷电效应 用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用。,XPS X射线光电子谱仪的能量校准,荷电效应 荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。荷电电势的大小同样品的厚度、X射线源的工作参数等因素有关。实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差。,XPS X射线光电子谱仪的能量校准,荷电效应-中和法 制备超薄样品；测试时用低能电子束中和试样表面的电荷，使Ec0.1eV，这种方法一方面需

8、要在设备上配置电子中和枪，另一方面荷电效应的消除要靠使用者的经验。,XPS XPS中的化学位移,化学位移由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移。化学位移的分析、测定，是XPS分析中的一项主要内容，是判定原子化合态的重要依据。,XPS XPS中的化学位移,化学位移三氟乙酸乙脂中四个不同C原子的C1s谱线。,聚合物中碳C 1s 轨道电子结合能大小顺序CC CO C=O OC=O O(C=O)O,随氧原子与碳原子成键数目的增加,碳将变得更加正荷电,导致C1s 结合能EB 的增加.,XPS XPS中的化学位移,化学位移的经验规律 同一周期

9、内主族元素结合能位移随它们的化合价升高线性增加；而过渡金属元素的化学位移随化合价的变化出现相反规律。分子M中某原子A的内层电子结合能位移量同与它相结合的原子电负性之和X有一定的线性关系。,XPS XPS中的化学位移,化学位移的经验规律 对少数系列化合物，由NMR(核磁共振波谱仪)和Mossbauer谱仪测得的各自的特征位移量同XPS测得的结合能位移量有一定的线性关系。XPS的化学位移同宏观热力学参数之间有一定的联系。,XPS XPS分析方法,定性分析XPS是利用已出版的XPS手册进行定性分析的。,XPS XPS分析方法,定性分析-谱线的类型 在XPS中可以观察到几种类型的谱线。其中有些是XPS

10、中所固有的，是永远可以观察到的；有些则依赖于样品的物理、化学性质。光电子谱线：在XPS中，很多强的光电子谱线一般是对称的，并且很窄。但是，由于与价电子的耦合，纯金属的XPS谱也可能存在明显的不对称。,XPS XPS分析方法,定性分析-谱线的类型 谱线峰宽：谱线的峰宽一般是谱峰的自然线宽、X射线线宽和谱仪分辨率的卷积。高结合能端弱峰的线宽一般比低结合能端的谱线宽14 eV。绝缘体的谱线一般比导体的谱线宽0.5 eV。,XPS XPS分析方法,定性分析-谱线的类型 Auger谱线：在XPS中，可以观察到KLL,LMM,MNN和NOO四个系列的Auger线。因为Auger电子的动能是固定的，而X射线

11、光电子的结合能不固定，因此，可以通过改变激发源(如Al/Mg双阳极X射线源)的方法，观察峰位的变化与否而识别Augar电子峰和X射线光电子峰。,XPS XPS分析方法,定性分析-谱线的类型 X射线的伴峰：X射线一般不是单一的特征X射线，而是还存在一些能量略高的小伴线，所以导致XPS中，除K1,2所激发的主谱外，还有一些小的伴峰。,XPS XPS分析方法,定性分析-谱线的类型 能量损失峰：对于某些材料，光电子在离开样品表面的过程中，可能与表面的其它电子相互作用而损失一定的能量，而在XPS低动能侧出现一些伴峰，即能量损失峰。当光电子能量在1001500 eV时，非弹性散射的主要方式是激发固体中自由

12、电子的集体振荡，产生等离子激元。,XPS XPS分析方法,定性分析-谱线的识别 因C,O是经常出现的，所以首先识别C,O的光电子谱线，Auger线及属于C,O的其他类型的谱线。利用X射线光电子谱手册中的各元素的峰位表确定其他强峰，并标出其相关峰，注意有些元素的峰可能相互干扰或重叠。,XPS XPS分析方法,化合态识别 在XPS的应用中，化合态的识别是最主要的用途之一。识别化合态的主要方法就是测量X射线光电子谱的峰位位移。对于半导体、绝缘体，在测量化学位移前应首先决定荷电效应对峰位位移的影响。,XPS XPS分析方法,化合态识别-光电子峰 由于元素所处的化学环境不同，它们的内层电子的轨道结合能也

13、不同，即存在所谓的化学位移。其次，化学环境的变化将使一些元素的光电子谱双峰间的距离发生变化，这也是判定化学状态的重要依据之一。元素化学状态的变化有时还将引起谱峰半峰高宽的变化。,XPS XPS分析方法,化合态识别-光电子峰,Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离,XPS XPS分析方法,小面积XPS分析 小面积XPS是近几年出现的一种新型技术。由于X射线源产生的X射线的线度小至0.01 mm左右，使XPS的空间分辨能力大大增加，使得XPS也可以成像，并有利于深度剖面分析。,XPS XPS分析总结,基本原理：光电效应基本组成：真空室、X射线源、电子能量分析器辅助组成

14、：离子枪主要功能：成分分析、化学态分析采谱方法：全谱、高分辨率谱分析方法：定性分析、定量分析,扫描隧道显微镜,一、引言,1982年，IBM瑞士苏黎士实验室的葛宾尼（GBinning）和海罗雷尔（HRohrer）研制出世界上第一台扫描隧道显微镜（Scanning Tunnelling MicroscoPe，简称STM）STM使人类第一次能够实时地观察单个原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物化性质，在表面科学、材料科学、生命科学等领域的研究中有着重大的意义和广泛的应用前景，被国际科学界公认为20世纪80年代世界十大科技成就之一为表彰STM的发明者们对科学研究所作出的杰出贡献，1986年

15、宾尼和罗雷尔被授予诺贝尔物理学奖金,原子的概念至少可以追溯到一千年前的德莫克利特时代，但在漫长的岁月中，原子还只是假设而并非可观测到的客体.人的眼睛不能直接观察到比10-4m更小的物体或物质的结构细节，光学显微镜使人类的视觉得以延伸，人们可以观察到像细菌、细胞那样小的物体，但由于光波的衍射效应，使得光学显微镜的分辨率只能达到10-7m.,电子显微镜的发明开创了物质微观结构研究的新纪元，扫描电子显微镜（SEM）的分辨率为1nm，而高分辨透射电子显微镜（HTEM）和扫描透射电子显微镜STEM）可以达到原子级的分辨率0.1nm，但主要用于薄层样品的体相和界面研究，且要求特殊的样品制备技术和真空条件,

16、场离子显微镜（FIM）是一种能直接观察表面原子的研究装置，但只能探测半径小于 100 nm的针尖上的原子结构和二维几何性质，且样品制备复杂，可用来作为样品的材料也十分有限.X射线衍射和低能电子衍射等原子级分辨仪器，不能给出样品实空间的信息，且只限于对晶体或周期结构的样品进行研究,与其他表面分析技术相比，STM具有如下独特的优点：1.具有原子级高分辨率，STM 在平行于样品表面方向上的分辨率分别可达 0.1nm 和 0.01nm，即可以分辨出单个原子,这是中国科学院化学所的科技人员利用纳米加工技术在石墨表面通过搬迁碳原子而绘制出的世界上最小的中国地图。,2可实时得到实空间中样品表面的三维图像，可

17、用于具有周期性或不具备周期性的表面结构的研究，这种可实时观察的性能可用于表面扩散等动态过程的研究,3可以观察单个原子层的局部表面结构，而不是对体相或整个表面的平均性质，因而可直接观察到表面缺陷。表面重构、表面吸附体的形态和位置，以及由吸附体引起的表面重构等,硅111面7 7原子重构象 为了得到表面清洁的硅片单质材料，要对硅片进行高温加热和退火处理，在加热和退火处理的过程中硅表面的原子进行重新组合，结构发生较大变化，这就是所谓的重构。,4可在真空、大气、常温等不同环境下工作，样品甚至可浸在水和其他溶液中 不需要特别的制样技术并且探测过程对样品无损伤这些特点特别适用于研究生物样品和在不同实验条件下

18、对样品表面的评价，例如对于多相催化机理、电化学反应过程中电极表面变化的监测等。,液体中观察原子图象 下图所示的是在电解液中得到的硫酸根离子吸附在铜单晶(111)表面的STM图象。图中硫酸根离子吸附状态的一级和二级结构清晰可见。,5配合扫描隧道谱（STS）可以得到有关表面电子结构的信息，例如表面不同层次的态密度。表面电子阱、电荷密度波、表面势垒的变化和能隙结构等,6利用STM针尖，可实现对原子和分子的移动和操纵，这为纳米科技的全面发展奠定了基础,1990年，IBM公司的科学家展示了一项令世人瞠目结舌的成果，他们在金属镍表面用35个惰性气体氙原子组成“IBM”三个英文字母。,扫描隧道显微镜的基本原

19、理是将原子线度的极细探针和被研究物质的表面作为两个电极，当样品与针尖的距离非常接近(通常小于1nm)时，在外加电场的作用下，电子会穿过两个电极之间的势垒流向另一电极。隧道探针一般采用直径小于1mm的细金属丝，如钨丝、铂-铱丝等，被观测样品应具有一定的导电性才可以产生隧道电流。,二、基本原理,隧道电流I是电子波函数重叠的量度，与针尖和样品之间距离S以及平均功函数有关：,三、扫描隧道显微镜的工作原理,隧道电流强度I对针尖和样品之间的距离有着指数依赖关系，当距离减小0.1nm，隧道电流即增加约一个数量级。因此，根据隧道电流的变化，我们可以得到样品表面微小的高低起伏变化的信息，如果同时对x-y方向进行

20、扫描，就可以直接得到三维的样品表面形貌图，这就是扫描隧道显微镜的工作原理。,扫描隧道显微镜主要有两种工作模式：恒电流模式和恒高度模式。a)恒电流模式：在扫描过程中保持隧道电流的大小不变，通过记录针尖高度的变化来得到样品的表面形貌信息。b)恒高度模式：在扫描过程中保持针尖的高度不变，通过记录隧道电流的变化来得到样品的表面形貌信息。这种模式通常用来测量表面形貌起伏不大的样品。,针尖的宏观结构应使得针尖具有高的弯曲共振频率，从而可以减少相位滞后，提高采集速度。如果针尖的尖端只有一个稳定的原子而不是有多重针尖，那么隧道电流就会很稳定，而且能够获得原子级分辨的图象。针尖的化学纯度高，就不会涉及系列势垒。

21、例如，针尖表面若有氧化层，则其电阻可能会高于隧道间隙的阻值，从而导致针尖和样品间产生隧道电流之前，二者就发生碰撞。,目前制备针尖的方法主要有电化学腐蚀法、机械成型法等。制备针尖的材料主要有金属钨丝、铂-铱合金丝等。钨针尖的制备常用电化学腐蚀法。而铂-铱合金针尖则多用机械成型法，一般直接用剪刀剪切而成。不论哪一种针尖，其表面往往覆盖着一层氧化层，或吸附一定的杂质，这经常是造成隧道电流不稳、噪音大和扫描隧道显微镜图象的不可预期性的原因。因此，每次实验前，都要对针尖进行处理，一般用化学法清洗，去除表面的氧化层及杂质，保证针尖具有良好的导电性。,四、测量用样品,1光栅样品 理想的光栅表面形貌如右图，为

22、1m X 1m的光栅表面形貌图。使用扫描隧道显微镜，对于这种已知的样品，很容易测得它的表面形貌的信息。新鲜的光栅表面没有缺陷，若在测量过程中发生了撞针现象，则容易造成人为的光栅表面的物理损坏，或者损坏扫描针尖。在这种情况下往往很难得到清晰的扫描图象。此时，除了采取重新处理针尖措施外，适当的改变一下样品放置的位置，选择适当的区域进行扫描也是必要的。,2石墨样品,当用扫描隧道显微镜扫描原子图象时，通常选用石墨作为标准样品。石墨中原子排列呈层状，而每一层中的原子则呈周期排列，表面形貌如右图。由于石墨在空气中容易氧化，因此在测量前应首先将表面一层揭开（通常用粘胶带纸粘去表面层），露出石墨的新鲜表面，再

23、进行测量。因为此时要得到的是原子的排列图象，而任何一个外界微小的扰动，都会造成严重的干扰。因此，测量原子必须在一个安静、平稳的环境中进行，对仪器的抗震及抗噪声能力的要求也较高。,3未知样品,通过对已知样品的测量，我们可以确定针尖制备的好坏，选择一个较好的针尖，对未知样品进行测量。通过对扫描所得的图象进行各种图象处理，来分析未知样品的表面形貌信息。,在扫描隧道显微镜出现以后，又陆续发展了一系列新型的扫描探针显微镜，例如，原子力显微镜（AFM）、激光力显微镜（LFM）、磁力显微镜（MFM）、弹道电子发射显微镜（BEEM）、扫描离子电导显微镜（SICM）、扫描热显微镜和扫描隧道电位仪（STP）等等。

24、这些新型的显微镜，都利用了反馈回路控制探针在距离样品表面1nm处或远离样品表面扫描（或样品相对于探针扫描）的工作方式，用来获得扫描隧道显微镜不能获得的有关表面的各种信息，对STM的功能有所补充和扩展。,在扫描隧道显微镜基础上发展起来的各种新型显微镜,1.原子力显微镜（AFM）,扫描隧道显微镜工作时要检测针尖和样品之间隧道电流的变化，因此它只能直接观察导体和半导体的表面结构。而在研究非导电材料时必须在其表面覆盖一层导电膜。导电膜的存在往往掩盖了样品的表面结构的细节。为了弥补扫描隧道显微镜的这一不足，1986年Binnig、Quate和Gerber发明了第一台原子力显微镜（AFM）。,原子力显微镜

25、是将一个对微弱力及敏感的微悬臂一端固定，另一端有一微小的针尖，针尖与样品的表面轻轻接触，由于针尖尖端原子与样品表面原子间存在及微弱的排斥力（10-810-6 N），通过扫描时控制这种力的恒定，带有针尖的微悬臂将对应于针尖与样品表面原子间作用力的等位面而在垂直于样品的表面方向起伏运动。利用光学检测法和隧道电流检测法，可以测得微悬臂对应于扫描各点的位置变化，从而可以获得样品的表面形貌的信息。,2.激光力显微镜（LFM）,激光力显微镜的探针是一根长半毫米的钨丝或硅探针，其尖端至少在50nm以下，在探针的底端装有一个压电能量转换器，将交流电转化为探针的振动，当探针的振动频率接近其共振频率时，由于探针的

26、共振，对驱动信号起放大作用。把这种受迫振动的探针调节到试样表面时（220nm），探针与试样表面之间会产生微弱的吸引力，使探针的共振频率降低，驱动频率和共振频率的差距增大，探针的尖端振幅减小。将这种振幅的变化用光学测量法探测出来，据此可推出样品表面的起伏变化。,3.磁力显微镜（MFM）,磁力显微镜（Magnetic Force Microscopy,MFM）也是使用一种受迫振动的探针来扫描样品表面，所不同的是这种探针是沿着其长度方向磁化了的镍探针或铁探针。当这一振动探针接近一块磁性样品时，探针尖端就会像一个条状磁铁的北极和南极那样，与样品中磁畴相互作用而感受到磁力，并使其共振频率发生变化，从而改

27、变其振幅。这样检测探针尖端的运动，就可以进而得到样品表面的磁特性。,4.静电力显微镜（EFM）,在静电力显微镜中，针尖和样品起到一个平行的板极电容器中两块极板的作用。当其在样品表面扫描时，其振动的振幅受到样品中电荷产生的静电力的影响。利用这一现象，就可以通过扫描时获得的静电力图象来研究样品的表面信息。,5.弹道电子发射显微术（BEEM）,弹道电子发射显微镜是在扫描隧道显微镜的基础上发展起来的，它所用的样品是由金属/半导体或半导体/半导体构成的肖特基势垒异质结。当针尖被调节到接近异质结表面时通过真空隧道效应，针尖向金属/半导体发射弹道电子。通过观察针尖扫描时各点的基极-收集极电流Ic和Z电压Vz

28、，可以直接得到表面下界面结构的三维图象和表面形貌。,6.扫描离子电导显微镜（SICM）,扫描离子电导显微镜是由Hansma等人设计的一种用于生物学和电生理学研究的微观探测仪器。它是将一个充满电解液的微型滴管当作探针，非导电样品放在一个电解液存储池底部，将滴管探针调节到样品表面附近，监测电解液电极和存储池中另一电极之间的电导变化。当微型滴管接近表面时，允许离子流过的空间减少，离子电导也随之减小。在滴管探针（或样品）横向扫描时，通过反馈控制电路使探针（或样品）上下移动以保持电导守恒，则探针运动的轨迹代表了样品的表面形貌。,7.扫描热显微镜,扫描热显微镜用于探测样品表面的热量散失，可测出样品表面温度

29、在几十微米尺度上小于万分之一度的变化。扫描热显微镜的探针是一根表面覆盖有镍层的钨丝，镍层与钨丝之间是绝缘体，在尖端二者相连，这一钨/镍接点起热电偶的作用。探针稳定到样品表面后，向结点通直流电加热，针尖的温度稳定下来时要比周围环境温度高。由于样品是固体，导热性能比空气好，所以当加热后的针尖向样品表面靠近时，针尖的热量向样品流失使针尖的温度下降。通过反馈回路调节针尖与样品间距，从而控制恒温扫描，和获得样品表面起伏的状况。,8.扫描隧道电位仪（STP）,扫描隧道电位仪（Scanning Tunneling Potentionmetry,STP）是用于研究电子通过凝聚态物质时的迁移。它可以同时表面形貌

30、的电势分布，因而可以用来研究通过颗粒结构、缺陷和界面的电导。扫描隧道电位仪是在扫描隧道显微镜的样品表面又加了一个电极，样品与针尖之间加一交流电压，反馈系统利用这一交流电压产生的交流隧道电流来控制在扫描时隧道间隙的恒定。,9.光子扫描隧道显微镜（PSTM）,光子扫描隧道显微镜（Photon Scanning Tunneling Microscope,PSTM）是用光学探针探测样品表面附近被内全反射光所激励的瞬衰场，从而获得表面结构的信息，即它是利用光子的隧道效应。,10.扫描近场光学显微镜（SNONM）,扫描近场光学显微镜（Scanning Near-Field Optical Microsco

31、pe,SNOM）,使用一个孔阑限制的光纤探针去探测样品附近的辐射。将光探针以恒高模式在样品表面扫描，可以得到光的显微图象。如果用电子反馈线路调节探针的高度来保持光强的恒定，则得到样品表面的形貌。,表面光电压谱(Surface Photovoltage Spectrum,SPS)工作原理 表面光伏技术分类 表面光伏与其它光物理过程的关系 影响表面光伏测量的因素,表面光电压谱法,表面光伏(SPV)方法是一个很好的表面表征技 术，基于分析光诱导表面电势的变化，这个技术被广泛用于了解各种半导体表面、界面和体相的信息。近50年来得到了很大的发展。4050年代，Brattain和Bardeen诺贝尔讲演揭

32、开了表面光伏研究的序幕；60年代，Johnson和 Goodman等人利用SPV方法测量了少数载流子的寿命，并发展发展了少数载流子扩散长度的理论模型。70年代，Gatos等人系统地进行了亚带表面光伏的研究，对半导体的表面态进行了研究。90年代，SPV相关技术发展的最活跃，Lagowski等人 用SPV扫描Si片表面，一些研究集体应用STM和AFM的针尖得到SPV测量，较大的改善了分辨率。增强了SPV作为表面研究手段的重要性。,SPV检测原理,具有Schottky势垒的带弯，p型(上图)和n型(下图)半导体与金属形成的势垒接触。,金属费米能级高于p-半导体,金属费米能级低于n-半导体,带带跃迁情

33、况,n型(左图)和p型(右图)半导体材料在光诱导 下，表面势垒高度(Vs)的变化过程。,带-带跃迁使表面能带弯曲减小.,在自建电场作用下,光生电子由表面移向体相.,在自建电场作用下,光生空穴由表面移向体相.,双面接触的n型半导体，一侧保持暗态(左侧)，另 一侧受光照射(右侧)，两侧表面势垒高度(Vs)的变化。,亚带隙跃迁情况,电子由表面态已占轨道跃迁至导带。,价带电子填入表面态未占轨道。,表面光伏检测方法,表面光电压谱(SPS),激光表面光伏检测,表面光电微区扫描,静态,动态,1.光源；2.单色仪；3.斩波器；4.透镜；5.样品池；6.外电场 7.锁相放大器；8.电源；9.计算机；10.打印机

34、,1.稳态表面光电压谱,2.动态表面光电压谱(Kelvin探针),3.瞬态表面光伏法,YAG激光器,倍频晶体,可调谐染料激光器,光电压池,取样积分器,记录仪,时间分辨表面光伏测量装置,4.纳米微区表面光伏扫描,h,吸收光谱,荧光光谱,光声光谱,辐射跃迁,无辐射跃迁,10-7 s,10-5 s,表面光电压谱,磷光,基 态,激 发 态,表面光伏与其它光物理过程的关系,影响表面光伏的因素 1样品吸收特性(消光系数、跃迁属性等)2样品内阻 3样品粒径 4调制频率 5环境因素 6外场 7电极 8相位,样品内阻对表 面光伏的影响,随内阻增大，表面光电压增加,样品粒径对表 面光伏的影响,样品粒径越小，光伏响

35、应越小。,二氧化钛纳晶半导体作为染料敏化太阳能电池的优势何在？,不同电沉积时间得到的CdS薄膜的表面光伏响应，沉积电位0.8V(V vs.SCE),70 oC,随沉积薄膜厚度增加，表面光伏增加。,二氧化钛单晶吸收与表面光电压的关系,含有表面态的半导体表面，在一定波长的光照下，由于电子在表面态与半导体间的电子转移，势必引起半导体表面势垒的变化。当h=Ecs-Et时，电子由表面态已占轨道跃迁至导带，使表面势垒Vs降低Vs(图（a），而当h=Et-Evs时，价带电子则填入表面态的未占轨道，引起表面势垒Vs的升高（图（b）。,粉末电导法,粉末电导研究表面态的方法是基于测量半导体粉末压片样品的电导率随温

36、度的变化关系，或者说是测量表面态的热激发对半导体电导率的影响，以获得有关表面势垒及导致它们形成表面态的信息。,电子越过颗粒接触处表面势垒的速率（即电导）正比于表面导带的电子密度ns，而ns为表面费米能级EF的函数。表面费米能级EF又受表面态控制。因此，在热平衡条件下，样品的电导可直接与表面态能级的位置相关联。,压片成型的半导体粉末样品,四探针法测量半导体电阻率的原理如图所示：将四个刚性金属探针P1P4（电极）直线等距离排列在样品表面并与样品保持垂直接触，其相邻探针间距离为S。当在P1，P4两端施加一定的直流电压时，则电流表A示出通过回路的电流I，电压表V示出P2，P3两点的电位降V。,要求样品的长度与截面之比L/S 2，电压、电流范围在I=10-6 10-4A，V=0.5 1.5V的范围内，测量结果较为准确。,TiO2表面上分别担载Bi2O3，MoO3及两种混合组分（钼酸铋）的催化剂表面的研究结果。可以看出，三种催化剂在TiO2表面具有显著不同的表态能级位置。,=0 exp-(Ecs-Et)/kT,