模拟CMOS集成电路设计拉扎维第7章噪声二.ppt
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1、,模拟集成电路设计,第7章 噪声(二),董刚,微电子学院,1,1,2,I n,MOS,2,2,2,上一讲,噪声的统计特性平均功率,Pav=limt T,+T/2T/2,2x(t)dt,噪声谱(功率谱密度PSD)幅值分布(时域)相关噪声源和非相关噪声源,噪声的类型,Vn=4 kTR(f),环境噪声和器件噪声热噪声和闪烁噪声,I n,2,=,4 kTR,(f),Vn,MOS,=,K 1CoxWL f西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,=4kT(g m)32,3,上一讲,电路中噪声的表示,串联的输入参考噪声电压并联的输入参考噪声电流,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,4,本讲 噪声,噪声的统计特性
2、,噪声谱(频域),幅值分布(时域),相关噪声源和非相关噪声源,噪声的类型,热噪声,闪烁噪声,电路中噪声的表示,单级放大器中的噪声,共源、共栅、共漏、共源共栅,差分对中的噪声噪声带宽,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,2,2,起作用,5,辅助定理用于简化噪声分析和计算定理内容源漏之间的噪声电流源可以等效为与栅级串联的噪声电压源(对任意的ZS),反之亦可条件:均由有限阻抗驱动;低频时Vn2,gate=I n,DS/g m若驱动阻抗无限大,则右图中Vn2一端悬浮,无法高频时,栅电压到源漏电流的跨导会,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,随频率改变,2,6,辅助定理的证明思路:考察这两个电路在下列条
3、件成立时是否真等效?,Vn,gate,=I,2n,DS,/g,2m,证明:输出阻抗相同,只考察输出短路电流是否相等即可,I n,out 1I n,out 2,=,I nZ S(g m+1/rO)+1g mVnZ S(g m+1/rO)+1,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,7,本讲 噪声,噪声的统计特性,噪声谱(频域),幅值分布(时域),相关噪声源和非相关噪声源,噪声的类型,热噪声,闪烁噪声,电路中噪声的表示,单级放大器中的噪声,共源、共栅、共漏、共源共栅,差分对中的噪声噪声带宽,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,2,K 1 2 4 kT,2,V,2 1,=4 kT,K 1,+,2,1,+
4、,+2,0,8,共源级,2n,out,=4 kT g m+3,C ox WL f R D,g m+,R D,V,2n,in,=,V n2,outAv20,3 g m+g m R,D,C ox WL f,I,2n,in,=2Z in,4 kT,2 3 g,m,1 K 1 g m R D C ox WL f(低频时),西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,2 1,=4 kT,K 1,+,2,2,K 1 2 4 kT,2,V,9,共源级做放大器器适用时,增大gm可LN增大RD可LN,V,2n,in,=,V n2,outAv20,3 g m+g m R,D,C ox WL f,2n,out,=4 kT
5、g m+3,C ox WL f R D,g m+,R D,做电流源使用时,减小gm可LN西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,2 2,2,2,2 2 1,3,g m1,3,2 2 g m 2,=4kT,2,10,共源级实例分析M1和M2均工作在饱和区。计算:1、输入参考热噪声电压2、若负载电容为CL,求总输出热噪声3、若输入是振幅为Vm的低频正弦信号,求输出信噪比1、求输入参考热噪声电压,V,2n,out,=4 kT g m 1+g m 2(rO 1 rO 2)2 3 3,Vn,in,=Vn,out,/Av 0=4kT g m1+g m 2 2,增大gm 1、减小gm2,可LN,3g m1+3g
6、 m1,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,2 2,V,2 2,3,1 2,V,2,C L,kT,11,共源级实例分析2、若负载电容为CL,求总输出热噪声,2n,out,=4 kT g m 1+g m 2(rO 1 rO 2)3 3,2 频带内积分,得总输出热噪声,2n,out,tot,=0 4 kT g m 1+3 g m 2(rO 1 rO 2,sC L,)df,=(g m 1+g m 2)(rO 1 rO 2)3增大CL可以LN,但牺牲带宽;而带宽由输入信号带宽决定西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,2,V,kT,V m,2,3,=,12,共源级实例分析3、若输入是振幅为Vm的低频正弦信
7、号,求输出信噪比1、增大CL可以提高SNR,但牺牲带宽;,2n,out,tot,=(g m 1+g m 2)(rO 1 rO 2)3,kTC L,2、增大gm1、减小gm2可以提高SNR3、增大Av0可以增大SNR,输入信号在输出端产生的信号振幅为:g m 1(rO 1 rO 2)V mSNR为功率之比:,SNR out=,(g m 1+g m 2)(rO 1 rO 2),g m 1(rO 1 rO 2)V m/2 2C L,23C L g m 1(rO 1 rO 2)24 kT g m 1+g m 2,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,L,2 1,=4 kT,K 1,+,2,2,2 1 g
8、 m 2 1 K P g m 2 K N 1,=4kT,Vn2,in,13,2 2,共源级的LN设计减小热噪声:增大IDS使gm1最大,牺牲功耗和输出摆幅增大W使gm1最大,会增大寄生电容,减小1/f噪声:,gm=2nCox W ID,增大WL,但增大寄生电容降低速度,V,2n,in,=,V n2,outAv20,3 g m+g m R,D,C ox WL f,3 g m1+g m1+COX(WL)2 g m1+(WL)1 f西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,14,本讲 噪声,噪声的统计特性,噪声谱(频域),幅值分布(时域),相关噪声源和非相关噪声源,噪声的类型,热噪声,闪烁噪声,电路中噪声
9、的表示,单级放大器中的噪声,共源、共栅、共漏、共源共栅,差分对中的噪声噪声带宽,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,15,共栅级,先只考虑热噪声计算输入参考噪声电压,思路:,将输入短接到地(相当于驱动源内阻为零情形),计算输出端噪声电压;再除以低,频增益Av0,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,2 4 kT,2,2,2,2 1,),16,输入参考热噪声电压,V n2,in=,V n2,outAv20,=,(4 kT g m+)R D3 R D(g m+g mb)R D,=,4 kT(g m+3 R D(g m+g mb)2,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,17,输入参考热噪声电流思路:,
10、将输入断路(相当于驱动源内阻为无穷大情形),计算输出端噪声电压;再,I,2n,in,=,4 kTR D2R D,=,4 kTR D,计算输入增益In12对Vn,out2的计算无影响共栅级的缺点:由于从输入到输出的电流增益为1,因此,负载电阻的噪声电流将直接反映在输入端西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,+,+,1 g m1 K N g m 3 K P 1,2,=,+,Rout I n,in=,+,18,输入参考1/f噪声电压和电流计算输入参考1/f噪声电压和电流输入短接地,计算输入参考1/f噪声电压,Vn2,out=,1COX,2 2g m1 K N g m3 K Pf(WL)1(WL)3,(
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