纳米薄膜制备.ppt
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1、第八章 纳米薄膜(nanofilm)的制备,纳米薄膜分两类,一是由纳米粒子组成的(或堆砌而成的薄膜),另一类薄膜是指纳米粒子镶嵌(embedded)在另一种基体材料中的颗粒膜,即在纳米粒子间有较多的孔隙或无序原子或其它类材料纳米薄膜在光学、电学、催化、气敏等方面具有很多特性,因此具有广阔的应用前景,(1)纳米薄膜的制备方法,()液相法(a)溶胶-凝胶法该方法制备纳米薄膜的基本步骤如下:首先用金属无机盐或有机金属化合物制备溶胶,然后将衬底(如SiO2玻璃衬底等)浸入溶胶后以一定速度进行提拉,结果溶胶附着在衬底上,经一定温加热后即得到纳米微粒的膜膜的厚度控制可通过提拉次数来控制。(b)电沉积法一般
2、-族半导体薄膜可用此法制备。,(1)纳米薄膜的制备方法,()气相法(a)高速超微粒子沉积法(气体沉积法)基本原理是:用蒸发或溅射等方法获得超微粒子,用一定气压的惰性气体作载流气体,通过喷嘴,在基板上沉积成膜,(a)高速超微粒子沉积法,美国喷气制造公司采用该工艺成功地制备出纳米多层膜,陶瓷-有机膜、颗粒膜等右图是他们采用气体沉积法中的多喷嘴,转动衬底制备微粒的示意图。,(a)高速超微粒子沉积法,日本真空冶金公司的Seichio Kashu等人用的设备如右图所示他们用此方法制备了各种金属纳米薄膜,(b)直接沉积法,是当前制备纳米薄膜普遍采用的方法,基本原理:把纳米粒子直接沉淀在低温基片上制备方法主
3、要有三种:惰性气体蒸发法、等离子溅射法和辉光放电等离子诱导化学气相沉积法基片的位置、气体的压强、沉淀速率和基片温度是影响纳米膜质量的重要因素,()金属-非金属纳米复合膜的制备,当C2H5+/Ar+10-2时,只获得组成基本上为金属的纳米粒子膜;C2H5+/Ar+=10-110-2时,可获得不同金属颗粒含量的膜。(美国IBM公司),体积分数(volume fraction)变化,()铜-高聚物纳米镶嵌膜的制备,这种镶嵌膜(embadded film)是把金属纳米粒子镶嵌在高聚物的基体中其装置的示意图如右图所示,(c)气相法制备纳米薄膜的几个主要影响因素,()衬底(基片)的影响(包括衬底材质的选择
4、和温度的影响)()制备方法的影响,表9-3 四种不同沉积法得的Ti纳米膜的结构,(2)纳米颗粒膜和多层膜,颗粒膜是一类具有广泛应用前景的人工材料其特性随膜的组成、工艺条件等参量的变化而变化,因此可以在较多自由度的情况下人为地控制复合膜的特性,(2)纳米颗粒膜和多层膜,目前研究较为集中的颗粒膜大体有以下三类:()金属微粒绝缘体薄膜(例如:Fe-SiO2薄膜);()金属微粒半导体薄膜(例如:Ag-Cs2O薄膜);(iii)半导体微粒绝缘体薄膜(例如:CdTe-SiO2)薄膜.,(a)光学特性,()蓝移和宽化纳米颗粒膜,特别是族半导体CdSxSe1-x以及V族半导体GaAs的颗粒膜都观察到光吸收带边
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