模电模拟集成电路.ppt
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1、6:模拟集成电路,内容提要,复合管电路,组合放大电路,6.0.1 集成电路的特点,集成电路中常用的电路组态,参数具有对称性,有源器件代替无源元件,复合结构电路,二极管作温度补偿元件和电平移动电路,集成电路的特点,集成电路的特点,集成电路的特点,集成电路(IC)中单个元器件精度不很高,参数随温度漂移较大,但在同一芯片上用相同工艺制造出的元器件性能一致性好,芯片上同一类元器件温度特性也基本一致。如果做成对称电路或补偿回路,则电路的热稳定性相当好。,集成电路的特点,1.电路结构与元器件参数具有对称性,IC中由于用 P 或 N 型半导体材料作电阻,阻值有一定限制,一般几十W到几十kW之间,太高太低都会
2、因占芯片面积过大而不易制造。常用占用面积小且性能好的MOS、BJT管等有源器件构成电流源替代大电阻。大电容也不易制造,常用PN结电容或SiO2绝缘层构成小电容,一般100pF,故各级电路间大都采用直接耦合。电感则一般必须外接,有时通过巧妙设计电路结构来代替大电容和电感元件。,集成电路的特点,2.用有源器件代替无源元件,由于复合结构的电路性能较佳而制作容易,因而集成电路中经常采用复合管(达林顿)、共集(CC)-共射(CE)、共射(CE)-共基(CB)、共集(CC)-共基(CB)等复合结构电路。,集成电路的特点,3.采用复合结构电路,IC 中的二极管常用三极管的一个 PN 结构成,或将基极与集电极
3、短路,再与发射极构成正向压降较低的二极管。常用来作恒压电路、偏置电路和温度补偿电路,这是因为这种二极管具有与三极管发射结相同的温度系数。,集成电路的特点,4.用二极管作温度补偿元件和电平移动电路,6.0.2 集成电路中常用的电路组态,1.复合管电路(达林顿管),6.0.2 集成电路中常用的电路组态,1.复合管电路(达林顿管),6.0.2 集成电路中常用的电路组态,1.复合管电路(达林顿管),6.0.2 集成电路中常用的电路组态,2.组合放大电路,CC-CE电路,CS-CB电路,6.0.2 集成电路中常用的电路组态,2.组合放大电路,CC-CB电路,MOSFET镜像电流源,MOSFET多路电流源
4、,6.1.1 BJT电流源电路,FET电流源(自学),镜像电流源,微电流源,多路电流源,电流源作有源负载,JFET电流源,6.1.0 基本原理,利用放大区的恒流特性,恒流特性:,VCC VBE,故 IREF 取决于VCC和R,,6.1.1 BJT电流源,1.镜像电流源,IC1的 T 不敏感性原理:,IC1维持稳定!,与PN结特性(T 敏感)基本无关!IREF为恒定!,恒流特性:,IC2取决于VCC和R,与PN结的特性(T 敏感)基本无关!,6.1.1 BJT电流源,1.镜像电流源,T镜像对称!,思考:T2 的 Q 点必须处于什么区域,思考:如图所示电路IC2稳定性如何,通过自动调节VBE获得稳
5、定,由于T2的集电极电流基本不变。所以交流量:,实际上,一般ro在几百千欧以上,6.1.1 BJT电流源,1.镜像电流源,交流电阻:,镜像电流源的恒流特性要求:交流电阻尽量大(Why)、T稳定性高!,由于增加T3,使IC3更接近kIREF,6.1.1 BJT电流源,1.镜像电流源,精度更高更稳的镜像电流源,镜像电流源大交流电阻,对T3起射极偏置电阻作用(强反馈稳Q),当然输出交流电阻更高,恒流特性更好,温度稳定性更高!,由于DVBE很小,故 IC2也很小,6.1.1 BJT电流源,2.微电流源,6.1.1 BJT电流源,3.多路电流源,试指出该电路的镜像电流源和微电流源。,共射电路电压增益为:
6、,对于此电路Rc就是镜像电流源的交流电阻,因此增益为:,比用电阻Rc就作负载时提高了。,6.1.1 BJT电流源,4.电流源作有源负载,放大管,6.1.2 FET电流源,1.MOSFET镜像电流源,6.1.2 FET电流源,1.MOSFET镜像电流源,6.1.2 FET电流源,2.MOSFET多路电流源,6.1.2 FET电流源,3.JFET电流源,电路结构,静态分析,6.2.1 差分放大电路的概念,基本差分式放大电路,直接耦合放大电路,共模和差模,共模抑制比,动态分析,基本差分式放大电路的参数计算,基本差分式放大电路的传输特性,基本差分放大电路的改进,二等分定理,参数计算,抑制零点漂移,可以
7、放大直流信号,零点漂移问题,一般集成运算放大器都要采用直接耦合方式,Why?,主要原因:温度变化引起,也称温漂,零漂:输入短路时,输出仍有缓慢变化的电压产生,温漂指标:温度每升高1时,输出漂移电压按电压增益折算到输入端的等效输入漂移电压值,1.直接耦合放大电路,6.2.1 差分放大电路的概念,电源电压波动也是原因之一,例:假设,若第一级漂了100mV,则输出漂移1 V。,若第二级也漂了100mV,则输出漂移 10 mV。,1.直接耦合放大电路,6.2.1 差分放大电路的概念,第一级是关键,漂移1V+10mV,漂移1V+10mV,漂了100mV,漂移10mV+100mV,需采用低噪声低温漂差放,
8、?,思 考 题,输入端漂移电压为 0.2 mV,输入端漂移电压为 0.002 mV,6.2.1 差分放大电路的概念,2.什么是差放?,取 vo=vo1 vo2,则:(1)vi1、vi2大小相等方向相同时,vo=0;(2)vi1、vi2大小相等方向相反时,vo 0;,只能够放大差信号!,6.2.1 差分放大电路的概念,vid:差模信号,信号分解类型与定义:,3.共模和差模,信号差/自有信号,差模信号输入对称电路后一分为二:,大小相等方向相反,6.2.1 差分放大电路的概念,vid:差模信号,信号分解类型与定义:,3.共模和差模,vic:共模信号,平均信号/共有信号,6.2.1 差分放大电路的概念
9、,vid:差模信号,信号分解类型与定义:,3.共模和差模,vic:共模信号,差模电压增益,共模电压增益,总输出电压:,6.2.1 差分放大电路的概念,共模抑制比,反映抑制零漂能力的指标,有时用对数表达:,4.共模抑制比,6.2.2 基本差分式放大电路,1.电路,(vi1=vi2=0),2.静态分析,仅输入差模信号,vi1 和 vi2大小相等但反相。则 vc1 和 vc2 大小相等且反相,故 vo=vc1-vc20,差分信号被放大!,6.2.2 基本差分式放大电路,3.动态分析,仅输入共模信号,vi1 和 vi2大小相等但同相。则 vc1 和 vc2 大小相等且同相,vo=vc1-vc2=0,共
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