扫描隧道显微镜STM和原子力显微镜AFM分析技术.ppt
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1、第三章 扫描隧道显微镜和原子力显微镜,第一节 扫描隧道显微镜(STM),一、引言,(Scanning Tunneling Microscopy),1982年,IBM瑞士苏黎士实验室的宾尼(GBinning)和罗雷尔(HRohrer)研制出世界上第一台扫描隧道显微镜。1986年宾尼和罗雷尔被授予诺贝尔物理学奖金,STM使人类第一次能够实时地观察单个原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物化性质。在表面科学、材料科学、生命科学等领域的研究中有着重大的意义和广泛的应用前景,被国际科学界公认为20世纪80年代世界十大科技成就之一。,STM具有如下独特的优点:1.具有原子级高分辨率,STM 在平
2、行于和垂直于样品表面方向上的分辨率分别可达 0.1nm 和 0.01 nm,即可以分辨出单个原子,这是中国科学院化学所的科技人员利用纳米加工技术在石墨表面通过搬迁碳原子而绘制出的世界上最小的中国地图。,2可实时得到实空间中样品表面的三维图像,可用于具有周期性或不具备周期性的表面结构的研究,这种可实时观察的性能可用于表面扩散等动态过程的研究 3可以观察单个原子层的局部表面结构,而不是对体相或整个表面的平均性质,因而可直接观察到表面缺陷。表面重构、表面吸附体的形态和位置,以及由吸附体引起的表面重构等,硅111面原子重构象 对硅片进行高温加热和退火处理,在加热和退火处理的过程中硅表面的原子进行重新组
3、合,结构发生较大变化,这就是所谓的重构。,4可在真空、大气、常温等不同环境下工作,样品甚至可浸在水和其他溶液中,不需要特别的制样技术并且探测过程对样品无损伤。这些特点特别适用于研究生物样品和在不同实验条件下对样品表面的评价,例如对于多相催化机理、电化学反应过程中电极表面变化的监测等。,液体中观察原子图象 下图所示的是在电解液中得到的硫酸根离子吸附在铜单晶(111)表面的STM图象。图中硫酸根离子吸附状态的一级和二级结构清晰可见。,5配合扫描隧道谱(STS)可以得到有关表面电子结构的信息,例如表面不同层次的态密度。表面电子阱、电荷密度波、表面势垒的变化和能隙结构等。6利用STM针尖,可实现对原子
4、和分子的移动和操纵,这为纳米科技的全面发展奠定了基础。7.在技术本身,SPM具有的设备相对简单、体积小、价格便宜、对安装环境要求较低、对样品无特殊要求、制样容易、检测快捷、操作简便等特点,同时SPM的日常维护和运行费用也十分低廉。,1990年,IBM公司的科学家展示了一项令世人瞠目结舌的成果,他们在金属镍表面用35个惰性气体氙原子组成“IBM”三个英文字母。,用STM移动氙原子排出的“IBM”图案,二、电子隧穿效应 经典理论认为:金属中处于费米能级EF以上的自由电子逸出表面,必须获得足以克服金属表面逸出功的能量。当一个粒子的动能E低于前方势垒的高度V0时,它不可能越过此势垒,即透射系数等于零,
5、粒子将完全被弹回。,粒子可以穿过比它能量更高的势垒,这个现象称为隧道效应。,量子力学认为:电子波函数向表面传播,遇到边界,一部分被反射(R),而另一部分则可透过边界(T),从而形成金属表面上的电子云。,隧道效应是由于粒子的波动性而引起的,只有在一定的条件下,隧道效应才会显著。经计算,透射系数T为:,T与势垒宽度a,能量差(V0-E)以及粒子的质量m有着很敏感的关系。随着势垒厚(宽)度a的增加,T将指数衰减,因此在一般的宏观实验中,很难观察到粒子隧穿势垒的现象。,当金属1与金属2靠得很近时(1nm)两金属表柬的电子云将相互渗透电子隧道效应。若加上小的电压V(偏压),则形成电流隧道电流。,图 电子
6、隧道效应与隧道电流(a)隧道效应,(b)隧道电流的形成,隧道电流I是电子波函数重叠的量度,与针尖和样品之间距离S以及平均功函数有关:,扫描隧道显微镜的基本原理是将原子线度的极细探针和被研究物质的表面作为两个电极,当样品与针尖的距离非常接近(通常小于1nm)时,在外加电场的作用下,电子会穿过两个电极之间的势垒流向另一电极。,图 STM的基本原理图,三、扫描隧道显微镜的基本原理,尖锐金属探针在样品表面扫描,利用针尖-样品间纳米间隙的量子隧道效应引起隧道电流与间隙大小呈指数关系,获得原子级样品表面形貌特征图象。,顶部探针大小:直径约50100 nm。材料:通常是金属钨。针尖与样品表面距离:一般约为0
7、.31.0 nm,此时针尖和样品之间的电子云互相重叠。当在它们之间施加一偏压时,电子就因量子隧道效应由针尖(或样品)转移到样品(或针尖)。功能:在其与样品互相作用时,可根据样品性质的不同(如表面原子的几何结构和电子结构)产生变化的隧道电流。,安装:金属探针安置在三个相互垂直的压电陶瓷(Px、Py、Pz)架上,当在压电陶瓷器件上施加一定电压时,由于压电陶瓷器件产生变形,便可驱动针尖在样品表面实现三维扫描;控制器是用来控制STM偏压、压电陶瓷扫描电压以及隧道电流设定值,用以保证上述功能的连续变化。,隧道电流I与针尖-样品间偏压Vb、针尖和样品之间距离S、平均功函数 之间的关系可表示为:,式中,针尖
8、与样品间施加的偏压;,常数,在真空条件下约等于1;,针尖与样品的平均功函数;,针尖与样品表面间的距离,一般为0.31.0 nm。,隧道电流对针尖和样品表面间距离的变化是非常敏感的,换句话说,隧道电流对样品表面的微观起伏特别敏感。当距离减小0.1 nm时,隧道电流将会增加10倍;反之,将减小10倍。,隧道电流的变化曲线,Z有0.1nm的变化;IT即有数量级的变化,隧道电流的变化曲线,四、扫描隧道显微镜的工作模式,根据针尖与样品间相对运动方式的不同,STM有两种工作模式:恒电流模式(a)和恒高模式(b)。,(a)恒电流模式(b)恒高度模式图 STM扫描模式示意图,恒电流模式:扫描时,在偏压不变的情
9、况下,始终保持隧道电流恒定。当给定偏压,并已知样品-针尖的平均功函数时,隧道电流的大小仅决定于针尖-样品间的距离。保持隧道电流的恒定可通过电子反馈系统控制针尖和样品间距离来完成。在压电陶瓷Px和Py控制针尖在样品表面进行扫描时,通过从反馈系统中提取它们间距离变化的信息,就可以绘制出样品表面的原子图像。,恒高模式:始终控制针尖在样品表面某一水平高度上扫描,随样品表面高低起伏,隧道电流不断变化。通过提取扫描过程中针尖和样品间隧道电流变化的信息(反映出样品表面起伏几何结构特征),就可以得到样品表面的原子图像。所得到的STM图像不仅勾画出样品表面原子的几何结构,而且还反映了原子的电子结构特征。STM图
10、像是样品表面原子几何结构和电子结构综合效应的结果。,恒电流模式是扫描隧道显微镜最常用的一种工作模式。以恒电流模式工作时,由于STM的针尖是随着样品表面的起伏而上下运动,因此不会因表面起伏太大而碰撞到样品表面,所以恒电流模式适于观察表面起伏较大的样品。恒高模式工作时,由于针尖的高度恒定不变,所以仅适用于观察表面起伏不大的样品。但在恒高模式下工作,获取STM图像快,且能有效地减少噪音和热漂移对隧道电流的干扰,提高分辨率。,利用扫描隧道显微技术,不仅可以获取样品表面形貌图像,同时还可以得到扫描隧道谱。利用这些谱线可对样品表面显微图像作逐点分析,以获得表面原子的电子结构(电子态)等信息。具体操作:在样
11、品表面选一定点,并固定针尖与样品间的距离,连续改变偏压()值从负几V正几V,同时测量隧道电流,便可获得隧道电流随偏压的变化曲线(或 曲线),即扫描隧道谱。,五、扫描隧道显微镜的特点,与TEM、SEM等分析技术相比,扫描隧道显微镜具有如下特点:1)STM结构简单。2)其实验可在多种环境中进行:如大气、超高真空或液体(包括在绝缘液体和电解液中)。3)工作温度范围较宽,可在mK到1100K范围内变化。这是目前任何一种显微技术都不能同时做到的。,4)分辨率高,扫描隧道显微镜在水平和垂直分辨率可以分别达到0.1nm和0.01nm。因此可直接观察到材料表面的单个原子和原子在材料表面上的三维结构图像。5)在
12、观测材料表面结构的同时,可得到材料表面的扫描隧道谱(STS),从而可以研究材料表面化学结构和电子状态。6)不能探测深层信息,无法直接观察绝缘体。,表 STM与TEM、SEM、FIM及AES的特性比较,五、STM仪器设计,由STM主体,电子控制箱,计算机系统组成。STM仪器不很复杂,但在设计中要解决许多技术问题。1.振动隔绝系统 微小的振动都会对稳定性产生影响,因此应具有好的减振效果。由振动引起的d变化必须小于0.001nm。减振措施:橡胶缓冲垫、弹簧悬挂、磁性涡流阻尼等。,2.机械设计(扫描控制)机械设计应满足:1)Z方向伸缩范围1m,精度约为0.001nm;2)X、Y方向扫描范围1m 1m,
13、精度约为0.01nm;3)Z方向机械调节精度高于0.1m,精度至少应在压电陶瓷驱动器Z方向变化范围,机械调节范围1mm;4)能在较大范围内选择感兴趣的区域扫描;5)针尖与样品间距离d具有高的稳定性。,3.压电陶瓷 功能:精密控制针尖相对于样品的运动达0.001nm,扫描精度要求高,用普通机械难以达到,使用压电陶瓷作X,Y,Z扫描控制。方式:通过在压电陶瓷上施加一定电压,使它产生变形,驱动针尖运动。材料:Pb(Ti,Zr)O3(PZT),BaTiO3(BT)形状:条状、双压电陶瓷片状、管状三种。,4.针尖 针尖的大小、形状、化学同一性影响STM图像的分辨率和图像形状,影响测定的电子态(STS)。
14、针尖曲率半径,影响横向分辨率。,对针尖的要求:1)应具有高的弯曲共振频率,减小相位滞后,提高采集速度。2)尖端只有一个稳定原子,不是多失重针尖,隧道电流稳定,能够获得原子级分辨的图象。3)化学纯度高,不会涉及系列势垒;不能有氧化膜。若有氧化层,则其电阻可能会高于隧道间隙的阻值,从而导致针尖和样品间产生隧道电流之前,二者就发生碰撞。,针尖制备方法:电化学腐蚀法,机械成型法,离子研磨(溅射),FIM技术。针尖材料:W(Mo),Pt(Ir),0.10.3mm金属丝。,钨针尖的制备常用电化学腐蚀法。铂-铱合金针尖则多用机械成型法,一般直接用剪刀剪切而成。,铂-铱合金丝,金属钨丝,不论哪一种针尖,其表面
15、往往覆盖着一层氧化层,或吸附一定的杂质,这经常是造成隧道电流不稳、噪音大和扫描隧道显微镜图象的不可预期性的原因。因此,每次实验前,都要对针尖进行处理,一般用化学法清洗,去除表面的氧化层及杂质,保证针尖具有良好的导电性。,W针尖制备W针尖特点:钢性好,但易氧化,在真空中使用前,超高真空蒸发。在空气中使用前,退火或离子溅射。,方法:电化学腐蚀(阳极溶解)。电解液:NaOH或KOH,2M。交流,产生针尖呈圆锥体,针尖大。W作阳极,13V,控制电流直流,产生针尖呈双曲线,针尖尖,适用于高分辨成像。,(a)交流制备的针尖,(b)直流制备的针尖,Pt(Ir)针尖制备 Pt(Ir)针尖特点:抗氧化 方法:机
16、械方法,电化学腐蚀法,离子研磨法 电化学腐蚀法制备:CaCl2/H2O/HCl,(60%/36%/40%),25V,AC,5分钟,对电极为C 另有:KCl/H2O/HCl,FIM观察针尖形貌。5.样品处理 要求:平整,清洁表面 精加工砂纸打磨抛光Ar离子轰击高温退火,六、扫描隧道显微镜的应用,扫描隧道显微镜已在材料、物理、化学、生命等科学领域得到了广泛的应用,特别是在金属、半导体和超导体等材料研究中取得了突破性进展。,(一)材料表面结构特征研究 主要用于金属、半导体和超导体等的表面结构与电子结构、表面形貌分析及动态过程分析。表面结构、表面重构、表面缺陷、表面外延生长、界面状态、分析相变、动力学
17、过程。利用扫描隧道显微镜可直接观测材料表面原子是否具有周期性的表面结构特征,表面的重构和结构缺陷等。,图 高序石墨样品的表面原子排列图,高序石墨样品的表面原子排列图,(a)Si(100)-21表面(b)Si(100)-21表面(c)Si(111)-77表面尺寸为6.0nm6.0nm 尺寸为10.6nm10.6nm 尺寸8.4nm8.4nm图 硅表面的原子图像,图(a)中可看到Si(100)-21表面上有两个Si原子组成的二聚体结构以及由这些二聚体形成的二聚体列。图(b)中可观察到Si(100)-21表面上的单原子台阶和不同种类的单原子缺陷。,STM可以在高温条件下工作,可观察到半导体和金属材料
18、高温结构相变。利用一台带有加热功能的STM研究Si(111)结构的相变。观察到Si(111)-21结构随时间和温度的变化产生了55和77结构的转变,当温度在860时用STM实时观察Si(111)表面完全形成77结构的重构(图c)。,石墨样品,金膜表面的原子团簇图像扫描,金团簇(溅射薄膜)表面形貌的三维立体图,(二)化学 表面的吸附、表面催化、表面腐蚀、表面钝化、电化学动态过程。,用于研究物质的动力学过程,(a-c)Time-sequenced constant-current(height mode)STM images showing the nucleation and growth of
19、 benzenethiol(BT)molecules at Pt()potentiostated at 0.15V in 0.1M HClO4.,如:STM对电化学过程前后的材料表面形貌进行表征的研究。利用这个分析方法,可以对材料表面腐蚀过程进行研究,进而提出有关在腐蚀过程中选择性溶解和表面扩散的微观机制。在对高氯酸(0.1M)中的Ag-Au合金表面的演化进行STM实时研究发现,随时间的增加,初始表面开始粗化,形成单层深蚀坑。随着合金中Ag含量的增加,上述现象更加严重。,运用STM在表面上的原子和分子的结构成像和谱分析的综合技术,为单层以及多层膜的化学和成键的探测提供了一种可行的方法。以此来研
20、究材料表面化学键的形成和化学反应过程。在聚酰亚胺沉积在金属膜上的STM研究发现,沉积在衬底上的是一种组装结构,单个的聚酰亚胺链表现为“之”字结构,链沿平行于膜的沉积方向排列。链与链之间的距离小于5,这表明整个分子产生倾斜,以避免位阻效应。,(三)生命科学 DNA分子结构观察、氨基酸、人工合成多肽、结构蛋白、功能蛋白。,a)STM image of the short-range ordering of head-to-tail coupled poly(3-dodecylthiophene)on highly oriented pyrolytic graphite(20 20nm);b)cal
21、culated model of poly(3-dodecylthiophene)corresponding to the area enclosed in the white square in(a);c)three-dimensional image of 3 showing submolecular resolved chains and folds(9.39.3nm2),呈现原子或分子的表面特性,(四)工业 Z方向微小高度差的表面结构,如光滑轴承表面抛光。集成电路、表面微细加工。STM可以在纳米尺度上对材料表面进行加工处理。近几年已经能够加工出各种用于构筑纳米器件的细线结构,如在有机导
22、电高分子材料中加工出线宽仅为3nm的极微导线。同时利用单原子操纵开展了加工各种原子尺度和纳米尺度的人工结构研究。,光栅样品,STM扫描图像处理,光栅三维图像,1m 1m光栅表面形貌的三维立体图,1m 1m光栅表面形貌的三维立体图,微观操作 STM在场发射模式时,针尖与样品仍相当接近,此时用不很高的外加电压(最低可到10V左右)就可产生足够高的电场,电子在其作用下将穿越针尖的势垒向空间发射。这些电子具有一定的束流和能量,由于它们在空间运动的距离极小,至样品处来不及发散,故束径很小,一般为毫微米量级,所以可能在毫微米尺度上引起化学键断裂,发生化学反应。,移动,刻写样品 当STM在恒流状态下工作时,
23、突然缩短针尖与样品的间距或在针尖与样品的偏置电压上加一脉冲,针尖下样品表面微区中将会出现毫微米级的坑、丘等结构上的变化。针尖进行刻写操作后一般并未损坏,仍可用它对表面原子进行成像,以实时检验刻写结果的好坏。,探伤及修补 STM在对表面进行加工处理的过程中可实时对表面形貌进行成像,用来发现表面各种结构上的缺陷和损伤,并用表面淀积和刻蚀等方法建立或切断连线,以消除缺陷,达到修补的目的,然后还可用STM进行成像以检查修补结果的好坏。,七、扫描隧道谱 在表面给定点,d值固定,改变偏压V,测量I,获得I-V或dI/dV-V曲线扫描隧道谱STS。STS可获得表面原子的电子结构(电子态)信息,用来研究化学组
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