飞电2二极管与整流电路.ppt
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1、飞机电子基础,南航新员工培训,目录,第一章 半导体的基础知识第二章 二极管与整流电路第三章 三极管与放大器第四章 集成运算放大器及其应用电路第五章 数制及其转换第六章 模拟信号与数字信号的转换第七章 数字电路第八章 计算机基础知识第九章 计算机网络的基本概念第十章 ARINC429数字数据总线,第二章 二极管与整流电路,2.1 二极管的结构 2.2 二极管的伏安特性 2.3 二极管整流电路 2.4 硅控整流管(SCR)2.5 特殊用途的二极管,2.1二极管的结构,二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图2-1所示,在图2-1(b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。图2-1 二极管结构
2、、符号及外形举例(a)结构;(b)符号;(c)外形,类型:,(1)按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。(2)按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。(3)按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。(4)按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。(5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。,2.2 二极管的伏安特性,图2-2 硅二极管2CP10的伏安特性图2-3 锗二极管2AP15的伏安特性由图可以看出,二极管的伏安特性和PN结的理想伏安特性基本是相同的,一、正向特性二、反向特性三、反向击穿特性下面对以锗二极管的伏安特性为例加以说明:,一、正向
3、特性,对应于图2-3的第段为正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好象有一个门坎。硅管的门坎电压约为0.50.8伏,锗管的门坎电压约为0.10.3伏,当正向电压大于门坎电压时,电流增长很快。,二、反向特性,P型半导体中的少数载流子电子和N型半导体中的少数载流子空穴,在反向电压作用下很容易通过PN结,形成反向饱和电流,但由于少数载流子的数目很少,所以反向电流是很小的,如图2-3的第2段所示,一般硅管的反向电流比锗管小得多。,三、反向击穿特性,当增加反向电压时
4、,因在一定条件下,少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定的大小时,反向电流急剧增加,叫做二极管的反向击穿,对应于图2-3的第3段,其原因和PN结击穿相同。,2.3 二极管整流电路,整流电路的任务是将交流电变换成直流电。完成这一任务主要是靠二极管的单向导电作用,因此二极管是构成整流电路的关键元件。本节将分析单相半波整流电路和单相桥式整流电路。,一、单相半波整流电路,图2-4所示电路是一个典型的单相半波整流电路,整流变压器Tr、整流元件D(晶体二极管)负载电阻RL。设整流变压器副边的电压为其波形如图2-5(a)所示。图2-4 单相半波整流电路图2-5 单相半波整流
5、电路的电压与电流波形,图2-5 单相半波整流电路的电压与电流波形,由于二极管D具有单向导电性,只当它的阳极电位高于阴极电位时才能导通。在变压器副边电压的正半周时,其极性为上正下负(图2-4),即a点的电位高于b点,二极管因承受正向电压而导通。这时负载电阻RL上的电压为,通过的电流为。在电压的负半周时,a点的电位低于b点,二极管因承受反向电压而截止,负载电阻RL上没有电压。因此,在负载电阻RL上得到的是半波整流电压。在导通时,二极管的正向电压降很小,可以忽略不计。因此,可以认为的这半个波和的正半波是相同的(图2-5(b)。,二、单相桥式整流电器,单相半波整流的缺点是只利用了电源的半个周期,同时整
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