材料科学基础第09章再结晶.ppt
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1、第九章 回复与再结晶,回复 再结晶 晶粒长大 再结晶后的组织 金属的热加工,引言,冷变形后的金属材料存在加工硬化和残余内应力等性能变化,在很多情况下并不是人门希望的,可以通过加热引起的组织变化来改变这些性能。塑性变形后,在材料的内部的晶粒破碎拉长,位错等缺陷大量增加和存在的内应力都使材料存在弹性应变能,使其内能升高处于不稳定的状态,系统本身就存在释放能量的潜力,当温度提高后,原子的活动能力增强,原子在热运动中会使材料朝着减少缺陷、降低能量的方向发展,造成组织和性能的变化。,冷变形后的材料加热转变,对冷变形的塑性材料进行重新加热,随着加热的温度和保温时的不同,发生的变化大致可以分为三个阶段:回复
2、、再结晶和晶粒的长大,他们都是减少或消除结构缺陷的过程。相应材料的内应力、晶粒尺寸、强度、塑性等性能也发生对应变化。,第一节 回复,回复的变化回复机制 回复动力学,所谓回复,即在加热温度较低时,仅因金属中的一些点缺陷和位错的迁移而引起的某些晶内的变化。回复阶段一般加热温度在0.4Tm以下。,回复概念,回复的组织性能变化,宏观应力基本去除,微观应力仍然残存;物理性能,如电阻率,有明显降低,有的可基本回到未变形前的水平;力学性能,如硬度和流变应力,觉察不到有明显的变化;光学金相组织看不出任何变化,温度较高发生回复,在电子显微镜下可间到晶粒内部组织的变化。(位错的胞状组织转变为亚晶),回复机制,低温
3、阶段:点缺陷的迁移和减少,表现为:空位与间隙原子的相遇而互相中和;空位或间隙原子运动刃位错处消失,引起位错的攀移;点缺陷运动到界面处消失。他们都将减少晶体中的点缺陷,力学性能无变化,但物理性能发生回复。较高温阶段:位错的运动和重新分布,滑移面上异号位错相遇销毁,可使位错密度略有降低。,回复机制,高温回复:当温度大于0.3Tm后,位错可以获得足够的能量自身除滑移外还可产生攀移,除异号位错中和外,还有位错的组合和重新排列,例如排列成墙明显降低弹性应变能,变形的晶体发生多边化,甚至形成亚晶粒。,回复动力学,回复过程是热激活过程,转变的速度决定于原子的活动能力,即决定于转变的温度。设材料的某一可测量物
4、理性能指标数值为P,(P可能指电阻率或其他),变形前为P0,变形后为Pd,可以证明发生回复过程后的性能和时间的关系为:,其中A为与材料类型结构有关的常数,Q为激活能,R为气体常数,T发生回复的温度,t为回复进行的时间。,回复动力学,因此在不同的温度下,回复到相同的程度所用的时间的为:,即ln(t)和1/T成线形关系。一方面可以由此测量计算它的激活能;另一方面说明热激活过程中时间和温度的等效关系。实际上任何材料变形后都在慢慢的发生回复,平时在室温下未见到性能变化的仅因为变化的速度很慢。,第二节 再结晶,基本过程 再结晶形核再结晶动力学影响再结晶速度的因素,再结晶的基本过程,经过塑性变形后的金属材
5、料在加热到较高温度时(一般大于0.4Tm),可以发生晶粒的重新改组。同结晶过程类似,首先在材料中形成新的无畸变的小晶粒,这些小晶粒消耗周围发生过变形的晶体而不断长大,同时也有新的小晶粒形成,直到新的晶粒全部代替变形过的晶体。这个过程也是一形核和核心长大,称为再结晶。材料发生了再结晶后,由于全部用新生成的晶粒替换了原发生过塑性变形的晶粒,所以材料经过再结晶后,由冷塑性变形带来的所有性能变化就全部消失,材料的组织发生了变化,性能完全彻底回到变形前的状态。,再结晶的转变不是相变,冷塑性变形后的发生再结晶,晶粒以形核和晶核长大来进行,但再结晶过程不是相变。原因有:变化前后的晶粒成分相同,晶体结构并未发
6、生变化,因此它们是属于同一个相。再结晶不像相变那样,有转变的临界温度点,即没有确定的转变温度。再结晶过程是不可逆的,相变过程在外界条件变化后可以发生可逆变化。发生再结晶的热力学驱动力是冷塑性变形晶体的畸变能,也称为储存能。,再结晶的晶界弓出的形核机制,金属在变形时是不均匀的,若晶界两边一个晶粒的位错密度高,另一个位错密度低,在加热时晶界会向位错密度高的一侧突然移动,从位错高的一侧的原子转移到位错低的一侧,新的排列应为无畸变区,这个区域就是再结晶核心。,和结晶形核方式类似,晶界弯曲后,一方面界的弯曲面因面积增加会增加界面能,另一方面形核区中原变形区间有应变能释放。,再结晶的晶界弓出的形核机制,和
7、液体结晶形核不相同的是如果达不到临界条件,晶界也会弯曲,到一定程度停止但不会消失(相关的定量数学式略)。同时位错低的一边的原子在晶核处重排列,从原变形状态改变为无变形状态,超过一定的区域与原晶粒形成大的取向差,即独立形成一新晶粒。,形核的临界条件是:,其中ES为单位体积内的应变畸变能,为界面能,a为生成前晶界的半径。,晶界弓出的形核例证,晶界弓出形核这种现象在铜、镍、银、铝及铝铜合金中曾直接观察到。,再结晶的其它形核机制,其他形核机制:在再结晶中的形核还有亚晶合并长大,详细过程就不分析了,总之核心都是在原有晶粒的边界或变形较大的地方先产生。,核心的长大是变形晶粒晶界附近的原子移动到新的未变形晶
8、粒上,从而可以减少变形应变能,新晶粒不断长大到相遇,最后全部为新晶粒,再结晶完成。,再结晶动力学,在一定变形量下,将变形金属在不同温度进行不同时间的退火,让其发生再结晶,用金相法测定发生再结晶的体积分数随时间的变化,得出结果如图所示。,再结晶动力学,对于均匀结晶过程,即形核率N和长大速度G不变时,分析可以推导出转变分数XV和时间t的关系:,即JohnsonMehl方程,这里忽略孕育期且未考虑生长后期晶粒相遇带来的影响。工程中常用数学回归的Avrami方程:,式中常数B与材料种类和变形量等有关,常数n为反应级数,一般材料为34,板材(23)和线材(12)或更小。,再结晶动力学,再结晶过程也是热激
9、活过程,达到同样的再结晶程度,也存在温度和时间的等效关系:,其中激活能Q除决定于材料的类型(成分、纯度等)外,还和变形量的大小直接相关,显然退火前,材料的冷塑性变形量愈大,相应所需的激活能愈小。,影响再结晶速度的因数,材料因素:原子的结合力大,表现为熔点高的材料,再结晶进行较慢;材料的纯度,纯净材料如纯金属,进行较快,而溶入了其他元素,特别是元素易在晶界处存在聚集时,将降低再结晶的速度;第二相质点的存在,特别是其成弥散分布时,将明显降低再结晶的速度。工艺因素:加热温度愈高,再结晶速度愈快;变形量大,弹性畸变能大,再结晶速度也快。当变形量过小,弹性畸变能不能满足形核的基本要求时,再结晶就不能发生
10、,即能发生再结晶需要一起码的变形量,称为临界变形量C,大多金属材料的临界变形量在210%之间。,第三节 晶粒长大,晶粒长大的动力 晶粒的正常长大晶粒的非正常长大,晶粒长大的动力,晶粒的长大是一自发过程,其驱动力是降低其总界面能。长大过程中,晶粒变大,则晶界的总面积减小,总界面能也就减小。为减小表面能晶粒长大的热力学条件总是满足的,长大与否还需满足动力学条件,这就是界面的活动性,温度是影响界面活动性的最主要因素。,晶粒长大的动力分析,两晶粒的界面如果是弯曲如图所示,则在晶粒内存在附加压力,其中r1和r2分别为界面在两个方向的曲率半径。可见晶粒的化学位比晶粒要高,因而原子从晶粒越过晶界到晶粒,晶界
11、向晶粒边迁移,会降低自由能,所以自发过程是界面向凹向边迁移。,晶粒的正常长大,晶粒长大在热力学上是必然,在长大过程中,所有能长大晶粒都处在大致相同的环境,长大后的晶粒大小分布统计结果相同,所以把这种晶粒的均匀长大称为正常长大。从晶界平衡可知,都为大角晶界时,小晶粒周围的原子数少于6,弯曲面向内,而大晶粒周围的原子数多于6,弯曲面向外,晶粒长大的方式是小晶粒变小到消失,而大晶粒不断变大,即大吃小的兼并方式进行。晶粒长大的最终结果是材料的晶粒平均尺寸变大。影响最后晶粒尺寸的因素和影响再结晶速度相同,但这时已经没有弹性畸变能的作用了,显然同一材料,退火过程中加热温度愈高,保温时间越长,长大后的晶粒就
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