半导体三级管与基本放大电路.ppt
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1、第二章 半导体三极管与基本放大电路,2.1 晶体三极管2.2 场效应晶体管*2.3 光敏三极管*2.4 电压放大器2.5 射极输出器2.6 场效应管放大电路*2.7 多级放大电路2.8 差动放大电路2.9 串联型稳压电路*2.10 功率放大电路,2.1 半导体三极管,2.1.1 基本结构,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,基区:较薄,掺杂浓度低,集电区:面积较大,掺杂浓度较大,发射区:掺杂浓度最高,发射结,集电结,电流放大原理,EB,RB,Ec,发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。,1,进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE,多数扩散到集电结。,EB
2、,RB,Ec,集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。,2,IB=IBE-ICBOIBE,3,4,ICE与IBE之比称为电流放大倍数,要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。,NPN型三极管,PNP型三极管,实验线路,2.1.2 放大作用,(1)输入特性,死区电压,硅管0.5V,锗管0.1V。,工作压降:硅管UBE0.60.7V,锗管UBE0.20.3V。,(2)输出特性,IC(mA),此区域满足IC=IB称为线性区(放大区)。,当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=IB。,此区域中UCEUBE
3、,集电结正偏,IBIC,UCE0.3V称为饱和区。,此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压,称为截止区。,(3)主要参数,前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共集接法。,共射直流电流放大倍数:,1.电流放大倍数,工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB,相应的集电极电流变化为IC,则交流电流放大倍数为:,例:UCE=6V时:IB=40A,IC=1.5mA;IB=60 A,IC=2.3mA。,在以后的计算中,一般作近似处理:=,2.集-基极反向截止电流ICBO,ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向
4、电流,受温度的变化影响。,3.集-射极反向截止电流ICEO,B,E,C,N,N,P,ICBO进入N区,形成IBE。,根据放大关系,由于IBE的存在,必有电流 IBE。,集电结反偏有ICBO,4.集电极最大电流ICM,集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降,当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。,所以集电极电流应为:IC=IB+ICEO,而ICEO受温度影响很大,当温度上升时,ICEO增加很快,所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,5.集-射极反向击穿电压,当集-射极之间的电压UCE超过一定的数值时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)
5、CEO。,6.集电极最大允许功耗PCM,集电极电流IC流过三极管,所发出的焦耳热为:,PC=ICUCE,必定导致结温上升,所以PC有限制。,PCPCM,ICUCE=PCM,安全工作区,2.1.5 电路中增加复合管,增加复合管的目的是:扩大电流的驱动能力,复合管的构成,方式 1,复合管构成方式很多。不论哪种等效方式,等效后晶体管的性能均如下确定:,1 2,晶体管的类型由复合管中的第一支管子决定。,方式 2,场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。,结型场效应管JFET,绝缘栅型场效应管MOS,场效应管有两种:,2.2 场效应晶体管,N,基底:N型半导体,两边是P区,G
6、(栅极),S源极,D漏极,(1)结构,1.2.1.1 结型场效应管:,导电沟道,N沟道结型场效应管,P沟道结型场效应管,(2)工作原理(以P沟道为例),PN结反偏,UGS越大则耗尽区越宽,导电沟道越窄。,UDS较小时,UDS较小时,但当UGS较小时,耗尽区宽度有限,存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。,UGS越大耗尽区越宽,沟道越窄,电阻越大。,UDS较小时,UGS达到一定值时(夹断电压VP),耗尽区碰到一起,DS间被夹断,漏极电流是ID=0。,UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状,越靠近漏端,PN结反压越大,UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状,沟道中仍是电阻特性,但
7、是是非线性电阻。,UGSVpUGD=VP时,漏端的沟道被夹断,称为予夹断。,UDS增大则被夹断区向下延伸。,UGSVpUGD=VP时,此时,电流ID由未被夹断区域中的载流子形成,基本不随UDS的增加而增加,呈恒流特性。,(3)特性曲线,饱和漏极电流,夹断电压,转移特性曲线一定UDS下的ID-UGS曲线,ID,U DS,恒流区,输出特性曲线,0,N沟道结型场效应管的特性曲线,转移特性曲线,输出特性曲线,N沟道结型场效应管的特性曲线,2.2 场效应管,场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小,基本上不需要信号源提供电流,所以它的输入电
8、阻高,且温度稳定性好。,结型场效应管,按结构不同场效应管有两种:,绝缘栅型场效应管,本节仅介绍绝缘栅型场效应管,按工作状态可分为:增强型和耗尽型两类每类又有N沟道和P沟道之分,(1)结构和电路符号,P型基底,两个N区,SiO2绝缘层,2.2.1.2 绝缘栅场效应管:,金属铝,N沟道增强型,N沟道耗尽型,予埋了导电沟道,P沟道增强型,P沟道耗尽型,予埋了导电沟道,以N沟道增强型为例,(2)MOS管的工作原理,UGS=0时,对应截止区,UGS0时,感应出电子,VT称为阈值电压,UGS较小时,导电沟道相当于电阻将D-S连接起来,UGS越大此电阻越小。,当UDS不太大时,导电沟道在两个N区间是均匀的。
9、,当UDS较大时,靠近D区的导电沟道变窄。,UDS增加,UGD=VT时,靠近D端的沟道被夹断,称为予夹断。,(3)增强型N沟道MOS管的特性曲线,转移特性曲线,输出特性曲线,UGS0,耗尽型N沟道MOS管的特性曲线,耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道,加反向电压才能夹断。,转移特性曲线,0,ID,UGS,VT,输出特性曲线,UGS=0,UGS0,UGS0,2.4.0 放大的概念,电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。,电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示,如图。,Au,2.4 电压放大电路,放大电路的性能指标,(1)电压放大倍数A
10、u,Ui和Uo分别是输入和输出电压的有效值。,(2)输入电阻ri,放大电路一定要有前级(信号源)为其提供信号,那么就要从信号源取电流。输入电阻是衡量放大电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大,从其前级取得的电流越小,对前级的影响越小。,输入电阻:,(3)输出电阻ro,放大电路对其负载而言,相当于信号源,我们可以将它等效为戴维南等效电路,这个戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。,如何确定电路的输出电阻?,在电路的计算中求ro有两个方法:,1、所有的电源置零。,2、加压求流法。,将独立源置零,保留受控源。,输出电阻的测量方法,ro,测量开路电压,输出电阻的测量方法,ro,RL,测量接入负载后的输
11、出电压,(4)通频带,通频带:,fbw=fHfL,放大倍数随频率变化曲线,符号规定,UA,大写字母、大写下标,表示直流量。,uA,小写字母、大写下标,表示全量。,ua,小写字母、小写下标,表示交流分量。,uA,ua,全量,交流分量,t,UA直流分量,三极管放大电路有三种形式,共射放大器,共基放大器,共集放大器,以共射放大器为例讲解工作原理,2.4.1 放大电路的基本组成,共射放大电路,放大元件iC=iB,工作在放大区,要保证集电结反偏,发射结正偏。,输入,输出,?,参考点,共射放大电路,集电极电源,为电路提供能量。并保证集电结反偏。,共射放大电路,集电极电阻,将变化的电流转变为变化的电压。,共
12、射放大电路组成,使发射结正偏,并提供适当的静态工作点。,基极电源与基极电阻,共射放大电路组成,耦合电容,隔离输入输出与电路直流的联系,同时能使信号顺利输入输出。,单电源供电,可以省去,RB,单电源供电,基本放大电路的静态工作原理,由于电源的存在IB0,IC0,IB,IC,IE=IB+IC,基本放大电路的静态工作原理,IB,IC,(IC,UCE),(IB,UBE),(IB,UBE)和(IC,UCE)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。,uCE怎么变化,?,交流放大原理,假设uBE有一微小的变化,uCE的变化沿一条直线,uCE相位如何,?,uCE与uBE反相!,各点波形,实现放大的
13、条件,1、晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结反偏。,2、正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。,3、输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。,4、输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压,经电容滤波只输出交流信号。,2.4.2 放大电路的分析,放大电路分析,静态分析,动态分析,估算法,图解法,微变等效电路法,图解法,计算机仿真,2.4.2.1 直流通道和交流通道,放大电路中各点的电压或电流都是在静态直流上附加了小的交流信号。,但是,电容对交、直流的作用不同。如果电容容量足够大,可以认为它对交流不起作用,即对交流短路。而对直流可以看成开路,这样,交直流所走的通道是不同的。,
14、这样就有了交流通道(只考虑交流信号的分电路)和直流通道(只考虑直流信号的分电路)。不同的信号可以分别在不同的通道分析。,例:,对直流信号(只有+EC),直流通道,对交流信号(输入信号ui),交流通道,直流负载线,IC,UCE,UCEIC满足什么关系?,1、输出特性。,2、UCE=ECICRC。,UCE=ECICRC,直流负载线,与输出特性的交点就是Q点,IB,2.4.2.3 交流负载线,其中:,iC 和 uCE是全量,与交流量ic和uce有如下关系,所以:,这就是说,交流信号的变化沿着斜率为:,的直线。,这条直线通过Q点,称为交流负载线。,交流负载线的作法,IB,过Q点作一条直线,斜率为:,交
15、流负载线,静态分析,1、估算法:,(1),根据直流通道估算IB,RB称为偏置电阻,IB称为偏置电流。,(2),根据直流通道估算UCE、IB,IC,UCE,2、图解法:,先估算IB,然后在输出特性曲线上作出直流负载线,与IB对应的输出特性曲线与直流负载线的交点就是Q点。,例:用估算法计算静态工作点。,已知:EC=12V,RC=4K,RB=300K,=37.5。,解:,请注意电路中IB和IC的数量级,2.4.2.5 动态分析,三极管的微变等效电路,首先考察输入回路,当信号很小时,将输入特性在小范围内近似线性。,uBE,对输入的小交流信号而言,三极管相当于电阻rbe。,对于小功率三极管:,rbe的量
16、级从几百欧到几千欧。,考察输出回路,所以:,输出端相当于一个受 ib控制的电流源。,输出端还要并联一个大电阻rce。,rce的含义,rce很大,一般忽略。,弄清楚等效的概念:,1、对谁等效。2、怎么等效。,e,b,c,b,e,c,2、放大电路的微变等效电路,将交流通道中的三极管用微变等效电路代替,3、电压放大倍数的计算:,负载电阻越小,放大倍数越小。,4、输入电阻的计算:,对于为它提供信号的信号源来说,电路是负载,这个负载的大小可以用输入电阻来表示。,输入电阻的定义:,输入电阻是动态电阻。,电路的输入电阻越大,从信号源取得的电流越小,因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。,rbe,RB,RC,
17、RL,5、输出电阻的计算:,对于负载而言,放大电路相当于信号源,可以将它进行戴维南等效,戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。,计算输出电阻的方法:,1、所有电源置零,然后计算电阻(对有受控源的电路不适用)。,2、所有独立电源置零,保留受控源,加压求流法。,所以:,用加压求流法求输出电阻:,为了得到尽量大的输出信号,要把Q设置在交流负载线的中间部分。如果Q设置不合适,信号进入截止区或饱和区,造成非线性失真。,2.4.2.6 失真分析:,uo,可输出的最大不失真信号,合适的静态工作点,uo,Q点过低,信号进入截止区,称为截止失真,信号波形,uo,Q点过高,信号进入饱和区,称为饱和失真,信号波形,为了
18、保证放大电路的稳定工作,必须有合适的、稳定的静态工作点。但是,温度的变化严重影响静态工作点。,对于前面的电路(固定偏置电路)而言,静态工作点由UBE、和ICEO决定,这三个参数随温度而变化,温度对静态工作点的影响主要体现在这一方面。,T,UBE,ICEO,Q,2.4.3 静态工作点的稳定,温度对UBE的影响,温度对值及ICEO的影响,总的效果是:,总之:,固定偏置电路的Q点是不稳定的。为此,需要改进偏置电路,当温度升高、IC增加时,能够自动减少IB,从而抑制Q点的变化。保持Q点基本稳定。,常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点。电路见下页。,可以认为与温度无关。,似乎I2越大越好,但是RB1、R
19、B2太小,将增加损耗,降低输入电阻。因此一般取几十K。,本电路稳压的过程实际是由于加了RE形成了负反馈过程,如果去掉CE,放大倍数怎样?,去掉CE后的微变等效电路,将RE折算到基极,去掉CE后的微变等效电路,2.5 射极输出器,工作情况分析,静态分析:,动态分析:,1、电压放大倍数,1、,所以,但是,输出电流Ie增加了。,2、,输入输出同相,输出电压跟随输入电压,故称电压跟随器。,讨论,2、输入电阻,输入电阻高,对前级有利。,3、输出电阻,用加压求流法求输出电阻。,置0,一般,所以,射极输出器的输出电阻很小,带负载能力强。,讨论,1、将射极输出器放在电路的首级,可以提高输入电阻。,2、将射极输
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