数电模电经典教材从零开始.ppt
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1、1,本章重点内容l PN结及其单向导电特性l 半导体二极管的伏安特性曲线l 二极管在实际中的应用,1.1 PN结,1.1.1 本征半导体,(a)硅和锗原子的简化结构模型(b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图,第1章半导体二极管及其应用电路,2,1.1.2 杂质半导体,1N型半导体,2P型半导体,图1.2 N型半导体的结构,3,图1.3 P型半导体的结构,3.PN结的形成,图1.4 PN结的形成,4,4 PN结的单向导电特性(1)PN结的正向导通特性,(a)正向偏置(b)反向偏置 图1.5 PN结的导电特性,(2)PN结的反向截止特性,1.2 半
2、导体二极管,1.2.1 半导体二极管的结构及其在电路中的符号,5,(a)结构(b)电路符号(c)实物外形图1.6 二极管结构、符号及外形,1.2.2 半导体二极管的伏安特性,6,1正向特性,2反向特性,3反向击穿特性,4温度对特性的影响,1.2.3 半导体二极管的主要参数,1最大整流电流IF,2最大反向工作电压URM,3反向饱和电流IR,4二极管的直流电阻R,5最高工作频率fM,1.2.4 半导体二极管的命名及分类,1半导体二极管的命名方法,7,图1.8 半导体器件的型号组成,2半导体二极管的分类,1.2.5 二极管的判别及使用注意事项,1二极管的判别(用万用表进行检测)(1)二极管正、负极性
3、及好坏的判断,(2)二极管好坏的判别,(3)硅二极管和锗二极管的判断,(4)普通二极管和稳压管的判别,8,2二极管使用注意事项,*1.3 几种常用的特殊二极管,1.3.1 稳压二极管1稳压二极管的工作特性,(a)伏安特性(b)符号图1.9 稳压二极管的特性曲线和符号,9,2.稳压管的主要参数,1.3.2 发光二极管,1普通发光二极管,2红外线发光二极管,3激光二极管,1.1.3 光电二极管,1.3.4 变容二极管,(a)压控特性曲线(b)电路符号 图1.12 变容二极管的压控特性曲线和电路符号,10,1.4 半导体二极管的应用,1.4.1 整流,1.4.2 钳位,1.4.3 限幅,(a)限幅电
4、路(b)波形图1.14 二极管限幅电路及波形,11,4.电路中的元件保护,12,本章重点内容l 晶体三极管的放大原理、输入特性曲线、输出特性曲线l 基本放大电路的工作原理及放大电路的三种基本偏置方式l 利用估算法求静态工作点l 微变等效电路及其分析方法l 三种基本放大电路的性能、特点,2.1 半导体三极管,2.1.1 三极管的结构及分类,1三极管的内部结构及其在电路中的符号,第2章 半导体三极管及其放大电路,13,(a)NPN(b)PNP图2.1 三极管的结构示意图及其在电路中的符号,2三极管的分类,2.1.2 三极管的放大作用,1三极管放大时必须的内部条件,14,2三极管放大时必须的外部条件
5、,3三极管内部载流子的传输过程,(3)电子被集电区收集的过程,(1)发射区向基区发射电子的过程,(2)电子在基区的扩散和复合过程,15,4三极管电流放大作用的进一步理解,表2.1 IB、IC、IE的实验数据,2.1.3 三极管的特性曲线,1输入特性曲线,16,2输出特性曲线,(1)放大区,(2)饱和区,(3)截止区,2.1.4 三极管正常工作时的主要特点,1三极管工作于放大状态的条件及特点,2三极管工作于饱和状态的条件及特点,3三极管工作于截止状态时的条件及特点,2.1.5 特殊晶体管简介,1光电三极管,17,(a)等效电路(b)电路符号(c)LED+光电三极管(d)LED+光电池图2.4 光
6、电三极管的等效电路与电路符号 图2.5 光电耦合器电路符号,2光电耦合器,3晶闸管,(1)单向晶闸管,A.内部结构,18,B.工作原理,(a)(b)(c),图2.6 单向晶闸管外形及电路符号,(a)内部结构示意图(b)分解图(c)等效电路 图2.7 晶闸管内部结构及其等效电路,19,A.判定晶闸管的电极,B.检测量晶闸管的导通情况,(2)双向晶闸管 双向晶闸管的结构,(a)(b)图2.8 双向晶闸管外形及电路符号,双向晶闸管的测量,20,2.1.6 三极管的主要参数,1电流放大系数,2反向饱和电流ICBO,3穿透电流ICEO,4集电极最大允许电流ICM,5集电极、发射极间的击穿电压UCEO,6
7、集电极最大耗散功率PCM。,2.1.7 三极管的检测与代换,1国产三极管的命名方法简介,2三极管三个电极(管脚)的估测,21,(a)(b)(c)图2.10 三极管引脚识别示意图,3南韩、日本三极管介绍。,4彩电和彩显行输出管简介,5三极管好坏的判别,6三极管的代换原则,22,2.2 三极管基本放大电路及其分析方法,2.2.1 放大的基本概念,2.2.2 三极管在实际应用中的三种放大电路形式,2.2.3 放大电路的组成,1.基本放大电路的组成原则,2.放大电路的组成及各元件的作用,2.2.4 放大电路的两种状态静态和动态,(a)直流通路(b)交流通路 图2.13 直流、交流通路,23,2.2.5
8、 基本放大电路的工作过程,图2.14 基本放大电路的工作波形,24,2.3.放大电路常用的直流偏置电路,2.3.1 固定式直流偏置电路,2.3.2 分压式电流负反馈偏置电路,图2.15 分压式电流反馈式偏置电路,1工作点稳定过程,(1)由基极电阻R1、R2分压而得到固定的基极电位UB。设图2.15中流过R1、R2的电流分别为I1、I2,则(2)利用发射极电阻Re的电流负反馈作用稳定静态工作点,25,2电容Ce的作用,2.3.3 恒流源偏置电路,26,(a)威尔逊恒流源(b)小电流恒流源(c)改变射极电阻比获得不同 输出电流的恒流源图2.17 改进型恒流源电路,2.4 放大电路的三种基本分析方法
9、,静态工作点估算法,27,(1)画出放大电路的直流通路(2)由直流通路列出输入回路和输出回路方程,代入方程,分别求出IBQ、ICQ、UCEQ。,例1 估算图2.18所示放大电路的静态工作点,设VCC=12V,Rc=3k,RB=280k,=50。,(a)(b)图2.18,28,2.4.2 放大电路的图解分析法,1用图解法确定静态工作点的步骤:(1)在ic、uce平面坐标上作出晶体管的输出特性曲线。(2)根据直流通路列出放大电路直流输出回路的电压方程式:UCE=VCCICRC(3)根据电压方程式,在输出特性曲线所在坐标平面上作直流负载线。因为两点可决定一条直线,所以分别取(IC=0,UCE=VCC
10、)和(UCE=0,IC=EC/Rc)两点,这两点也就是横轴和纵轴的截距,连接两点,便得到直流负载线。(4)根据直流通路中的输入回路方程求出IBQ。(5)找出IB=IBQ这一条输出特性曲线,该曲线与直流负载线的交点即为Q点(静态工作点),该Q点直观地反映了静态工作点(IBQ、ICQ、UCQ)的三个值。即为所求静态工作点的值。,29,(a)电路图(b)特性曲线 图2.19 例2电路图,2电路参数对静态工作点的影响,(1)Rb对Q点的影响(2)Rc对Q点的影响,30,图2.20 电路参数对Q点的影响,31,(3)VCC对Q点的影响,2.4.3 放大电路的微变等效电路分析法,1三极管的微变等效电路(三
11、极管输入端be间和输出端ce间的微变等效电路)(1)三极管输入端(be)间的微变等效电路,b,e,ic,+uce,ib,+ube,c,iC,ib,+uce,rbe,+ube,ib,(a),(b)图2.21 三极管的微变等效电路,(2)三极管输出端(ce)间的微变等效电路,2放大电路的微变等效电路,第一,根据放大电路画出交流通路。用三极管的微变等效电路代替交流通路中的三极管,画出放大电路的微变等效电路。,32,(a)放大电路,图2.22 放大电路的微变等效电路,(b)交流通路(c)微变等效电路,33,2.5 放大电路的动态性能指标及分析,2.5.1 放大电路的动态性能指标,1放大倍数,2输入电阻
12、ri,图2.23 放大电路的方框图,34,3输出电阻ro,2.5.2 放大电路性能指标估算的方法、步骤1.在放大电路静态分析的基础上,根据静态工作点的数值及相关公式,求出rbe。2.画 出放大电路的微变等效电路。3.根据微变等效电路及Au、ri、ro的定义式,分别求出Au、ri、ro。2.5.3 共 射放大电路基本动态参数的估算,1.电压放大倍数,2源电压放大倍数Aus,3输入电阻ri,4.输出电阻ro,2.5.4 共集电极、共基极放大电路,1共集电极放大电路,35,(a)典型电路(b)交流通路 图 2.25 共集电极电路,(1)静态工作点的估算,(2)动态分析,2共基极电路,36,(a)电路
13、图(b)交流通路 图2.27 共基放大电路,(1)静态分析,37,(2)动态分析,电压放大倍数Au,输入电阻ri,输出电阻ro,2.6 三种基本放大电路的比较,*2.7 多级放大电路,38,多级放大电路的组成,图2.29 多级放大电路的结构框图,2.7.2 多级放大电路的耦合方式,(1)保证信号在级与级之间能够顺利地传输;(2)耦合后,多级放大电路的性能必须满足实际的要求。为了满耦合后,各级电路仍具有合适的静态工作点,2.7.3 阻容耦合,39,图2.30 两级阻容耦合放大电路,(1)优点:因电容具有“隔直”作用,所以各级电路的静态工作点相互独立,互不影响。这给放大电路的分析、设计和调试带来了
14、很大的方便。此外,还具有体积小、重量轻等优点。,(2)缺点:因电容对交流信号具有一定的容抗,在信号传输过程中,会受到一定的衰减。尤其对于变化缓慢的信号容抗很大,不便于传输。此外,在集成电路中,制造大容量的电容很困难,所以这种耦合方式下的多级放大电路不便于集成,2.7.4 直接耦合,40,1优点:既可以放大交流信号,也可以放大变化非常缓慢(直流)的信号;电路简单,便于集成,所以集成电路中多采用这种耦合方式。2 缺点:存在着各级静态工作点相互牵制和零点漂移这两个问题。(第5章将讨论零点漂移问题。,2.7.5 变压器耦合,(1)优点:因变压器不能传输直流信号,只能传输交流信号和进行阻抗变换,所以,各
15、级电路的静态工作点相互独立,互不影响。改变变压器的匝数比,容易实现阻抗变换,因而容易获得较大的输出功率。,(2)缺点:变压器体积大而重,不便于集成。同时频率特性差,也不能传送直流和变化非常缓慢的信号。,41,2.7.6 组合放大电路,1共发共基组合放大电路,42,2共集-共发组合放大电路,(1)电压放大倍数,(2)输入电阻,(3)输出电阻,思 考 题1、基本放大电路由哪些必不可少的部分组成?各元件有什么作用?2、试画出PNP型三极管的基本放大电路,并注明电源的实际极性,以及各电极实际电流方向。3、三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么?4、为什么说三极管放大作用的本质是电流控制作用?如
16、何用三极管的电流分配关系来说明它的控制作用?5、试在特性曲线上指出三极管的三个工作区:放大区、截止区、饱和区。6、三极管发射极与集电极对调使用时,放大作用将如何?7、在哪些情况下,工作点沿直流负载线移动?在哪些情况下,工作点沿交流负载线移动?实际上工作点有没有可能到达交流负载线的上顶端和下顶端?为什么?试分析电流负反馈偏置电路中,射极电阻Re和它的并联电容Ce的作用原理。,43,本章重点:l 结型、绝缘栅型场效应管的工作原理、输出特性、转移特性及主要参数l 共源、共漏极放大电路的工作原理场效应管的偏置方式及静态工作点的求法,3.1 概述,3.1.1 场效应管的特点,3.1.2 场效应管的分类,
17、3.1.3 场效应管与晶体三极管的比较,3.2场效应管,3.2.1 结型场效应管,1 结构,第3章 场效应管及其放大电路,44,(c)N沟道,(a)N型沟道(b)P型沟道(d)P沟道,图3.1 结型场效应管的结构示意图和符号,2.结型场效应管的工作原理,(a)uGS=0,uDS=0时的情况(b)uGS=0,uDS|VP|时的情况,45,(c)uGS=0,uDS=|VP|时的情况(d)uGS=0,uDS|VP|时的情况图3.2 改变uDS时结型场效应导电沟道的变化,(a)UGs=0时(b)uGSVP时沟道被夹断图3.3,46,3.结型场效应管的特性曲线,(1)转移特性,(2)输出特性,图3.5
18、N沟道结型场效应管输出特性曲线,47,可变电阻区:当漏源电压uDS很小时,场效应管工作于该区。此时,导电沟道畅通,场效应管的漏源之间相当于一个电阻一。在栅、源电压uGS一定时,沟道电阻也一定,iD随uGS增大而线性增大。但当栅源电压变化时,特性曲线的斜率也随之发生变化。可以看出,栅源电压uDS无关,我们称这个区域为恒流区,也称为放大区。在恒流区,iD主要由栅源电压uGS决定。恒流区:随着uDS增大到一定程度,iD的增加变慢,以后iD基本恒定,而与漏源电压uDS无关,我们称这个区域为恒流区,也称为放大区。在恒流区,iD主要由栅源电压uGS决定。击穿区:如果继续增大uDS到一定值后,漏、源极之间会
19、发生击穿,漏极电流iD急剧上升,若不加以限制,管子就会损坏。夹断区:当uGS负值增加到夹断电压uGS(off)后,iD0,场效应管截止。,3.2.2 绝缘栅型场效应管,1.增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理(1)结构及符号,48,g,衬底引线,d,g,s,SiO2,P型硅衬底,N,N,d,s,d,s,g,(a)N沟道结构图(b)N沟道符号图(c)P沟道符号,图3.6 增强型MOS管结构及符号图,(2)工作原理,(3)特性曲线,49,图3.8 N沟道增强型场效应管特性曲线,(a)转移特性(b)输出特性,3.2.3 耗尽型绝缘栅场效应管的结构及工作原理,(a)N沟道结构图(b)N沟道符号(c)P
20、沟道符号,图3.9 耗尽型MOS管结构及符号图,50,(a)转移特性(b)输出特性,图3.10 N沟道耗尽型场效应管特性曲线,3.3 场效应管的主要参数,1、夹断电压UGS(off):实质上是使iD0时所需的uGS值。2、饱和漏电流IDSS在uGS0的情况下,当uDS|VP|时的漏极电流称为饱和漏电流,通常令uDS=10V,uGS0V时测出的iD就是IDSS。,3 低频互导(跨导)gm,4 最大耗散功率PDM,51,3.4 场效应管的检测及使用注意事项,3.4.1 场效应管的检测,1管脚的判别,2质量判定,3.4.2 场效应管使用注意事项,1、MOS管栅、源极之间的电阻很高,使得栅极的感应电荷
21、不易泄放,因极间电容很小,帮会造成电压过高使绝缘层击穿。因此,保存MOS管应使三个电极短接,避免栅极悬空。焊接时,电烙铁的外壳应良好地接地,或烧热电烙铁后切断电源再焊。2、有些场效应晶体管将衬底引出,故有4个管脚,这种管子漏极与源极可互换使用。但有些场效应晶体管在内部已将衬底与源极接在一起,只引出3个电极,这种管子的漏极与源极不能互换。3、使用场效应管时各极必须加正确的工作电压。4、在使用场效应管时,要注意漏、源电压、漏源电流及耗散功率等,不要超过规定的最大允许值。,52,3.5 场效应管放大电路,3.5.1 场效应管的直流偏置电路及静态分析,1直流偏置电路,(1)自偏压电路,(a)自偏压电路
22、(b)分压式自偏压电路,图3.11 场效应管的偏压电路,(2)分压式自偏压电路,53,2静态工作点的确定,(1)在输出特性上作直流负载线,(2)作负载转移特性,(3)作源极负载线,(4)确定静态工作点Q,(5)转移特性和输出特性上求出Q点所对应的电压电流值:uGS0.7V,iD0.37mA,uDS9V。,*3.5.2 场效应管放大器的微变等效电路分析法,1场效应管的等效电路,(a)场效应管在共源接法时的双口网络(b)低频等效电路,图3.12 场效应管微变等效电路,54,2、应用微变等效电路法分析场效应管放大电路,(a)电路图(b)微变等效电路,图3.13 共源极电路及其微变等效电路,(1)大倍
23、数电压放,2 入电阻,3 输出电阻,3三种基本放大电路的性能比较,55,思 考 题1、考虑P沟道结型场效应管对电源极性的要求,试画出由这种类型管子组成的共源放大电路。2、增强型MOS管能否使用自给栅偏压偏置电路来设置静态工作点?3、试画出自给栅偏压共源放大电路的微变等效电路,并写出Au、ri、ro的表达式。4、试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型场效应管(包括N沟道、P沟道MOS增强型和耗尽型,JFET P沟道、N沟道耗尽型)的转移特性示意图,并标明各自的开启电压或夹断电压。5、增强型场效应管能否用自偏压的方法来设置静态工作点,试说明理由。,思考题与练习题,56,本章重点:l 反馈极性、
24、类型的判断l 负反馈对电路性能的影响l 深度负反馈电路的估算,4.1 反馈的定义及概念,(a)射极输出器(b)静态工作点稳定电路,图4.1 两种放大电路中的反馈,第4章 负反馈放大电路,57,4.2 负反馈放大电路的基本关系式,图4.2 反馈放大电路方框图,4.3 反馈的分类与判别,4.3.1 反馈的分类,4.3.2 正反馈与负反馈的判别,58,(a)(b),(c)(d),图4.3 反馈极性的判别,59,4.3.3 交流反馈与直流反馈的判别,Cf,Ui,R2,Rf,R1,(a)(b),图4.4 交流反馈与直流反馈,4.3.4 电压反馈与电流反馈的判别,60,(a)电流反馈(b)电压反馈,图4.
25、5 电压反馈与电流反馈,4.3.5 串联反馈与并联反馈的判别,4.4 负反馈的四种组态,4.4.1 电压串联负反馈及其判别,61,(a)电路图,图4.6 电压串联负反馈放大电路,62,4.4.2 电流串联负反馈及其判别,(a)电路图,(b)方框图,图4.7 电流串联负反馈放大电路,63,4.4.3 电压并联负反馈及其判别,(a)电路图,(b)由集成运放组成的电压并联负反馈电路,图4.8 电压并联负反馈放大电路,4.4.4 电流并联负反馈及其判别,64,a 电路图,(b)方框图,(c)由集成运放组成的电流并联负反馈电路,图4.9 电流并联负反馈放大电路,65,4.5 负反馈对放大电路性能的影响,
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