离子化和物的结构和性质.ppt
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1、第十章 离子化合物的结构化学(课堂讲授0学时)1.离子键和点阵能 2.离子半径 3.离子配位多面体及其连接方式 4.若干典型离子化合物的结构*5.硅酸盐的结构化学,第十章 离子化合物,通过本章学习,掌握典型离子晶体结构、离子半径比与离子极化对晶体晶型的影响。,二元典型离子晶体NaCl、CsCl、ZnS、CaF2、TiO2结构。离子半径比与配位多面体。离子极化对晶型的影响。Pauling 规则与多元离子化合物。,学时-2学时,第10章.离子化合物的结构化学,由正负离子结合在一起形成的化合物,它一般由电负性较小的金属元素与电负性较大的非金属元素生成。正负离子之间由静电力作用结合在一起,这种化学键称
2、为离子键。以离子键结合的化合物倾向于形成晶体,以使每个离子周围配位尽可能多的异性离子,降低体系能量。,10.1 离子晶体的若干简单结构型式,1.离子化合物:,许多离子晶体的结构可按密堆积结构来理解。当负离子的半径较大时,一般会把负离子看作等径圆球进行密堆积,而正离子有序地填在空隙之中。当正离子的半径较大时,也可以把正离子看作等径圆球进行密堆积,负离子作填隙原子。前一种情况出现得比较多。,2.离子晶体的若干简单结构型式:,表10.1.1 离子晶体的若干常见简单结构,NaCl晶体属面心立方点阵,Na与Cl交替排列,如图所示,Na+与Cl的配位数均为6。NaCl晶体结构可看成Cl-作立方最密堆积,N
3、a填在Cl形成的八面体空隙中。每个晶胞含有4个Cl和4个Na,它们的原子分数坐标为:碱金属的卤化物、氢化物,碱土金属的氧化物、硫化物、硒化物、碲化物,过渡金属的氧化物、硫化物,以及间隙型碳化物、氮化物都属NaCl型结构。,(1)NaCl,点阵型式是Na+离子的面心立方点阵与Cl-离子的面心立方点阵平面交错,交错的方式是一个面心立方格子的结点位于另一个面心立方格子的中央。如图7-40所示。属立方晶系,配位数为66,即每个离子被6个相反电荷的离子所包围。NaCl型的晶胞是立方面心,但质点分布与CsCl型不同。,NaCl型结构,(1)NaCl,NaCl型晶体的结构(晶胞结构),The NaCl(B1
4、)Structure,图10.1 NaCl,NaCl,NaCl型,晶胞中离子的个数:,晶格:面心立方,配位比:6:6,(红球Na+,绿球Cl-),NaCl型,NaCl型晶体的结构(密堆积层排列),B,C,B,A,B,C,C,C,C,A,A,B,NiAs的结构,白球:As,As原子的坐标:A(2/3,1/3,1/3)B(1/3,2/3,2/3),黑球:Ni,(2)NiAs,红砷镍矿(NiAs),ZnS晶体结构有两种型式,即立方ZnS和六方ZnS,这两种型式的ZnS,化学键的性质相同,都是离子键向共价键过渡,具有一定的方向性。Zn原子和S原子的配位数都是4,不同的是原子堆积方式有差别。在立方ZnS
5、中,S原子作立方最密堆积,Zn原子填在一半的四面体空隙中,形成立方面心点阵;在六方ZnS晶体中,S原子作六方最密堆积,Z原子填在一半的四面体空隙中,形成六方点阵。立方ZnS晶胞中,有4个S原子,4个Zn原子,其原子分数坐标为:,(3)ZnS,属于立方ZnS结构的化合物有硼族元素的磷化物、砷化物,铜的卤化物,Zn、Cd的硫化物、硒化物。六方ZnS中,有2个S原子,2个Zn原子,其原子分数坐标为:S:0,0,0 1/3,2/3,1/2 Zn:0,0,3/8 1/3,2/3,8/7 属于六方ZnS结构的化合物有Al、Ga、In的氮化物,铜的卤化物,Zn、Cd、Mn的硫化物、硒化物。,S:0,0,0
6、1/2,1/2,0 0,1/2,1/2 1/2,0,1/2 Zn:1/4,1/4,1/4 3/4,3/4,1/4 3/4,1/4,3/4 1/4,3/4,3/4,ZnS,点阵型式是Zn2+离子形成面心立方点阵,S2-离子也形成面心立方点阵。平行交错的方式比较复杂,是一个面心立方格子的结点位于另一个面心立方格子的体对角线的1/4处。如图7-41所示。属立方晶系,配位数为44,即每个S2-离子周围与4个相反电荷的Zn2+联成四面体,同样每个Zn2+离子也与周围的4个S2-离子联成四面体。,立方ZnS型结构,(3)ZnS,ZnS的晶体结构(立方),ZnS的晶体结构(六方),图 六方ZnS,图 立方Z
7、nS,闪锌矿(ZnS),闪锌矿(ZnS),闪锌矿(ZnS),纤维锌矿(ZnS),晶胞中离子的个数:,ZnS型(立方型),晶格:面心立方,配位比:4:4,(红球Zn2+,绿球S2-),ZnS型(立方型),CaF2晶体属立方面心点阵,F作简单立方堆积,Ca2数目比F少一半,所以填了一半的立方体空隙,每一个Ca2由八个F配位,而每个F有4个Ca2配位,每个CaF2晶胞有4个Ca2和8个F原子分数坐标如下:,(4)CaF2,碱土金属氟化物,一些稀土元素如Ce、Pr的氟化物,过渡金属Zr、Hf的氟化物属CaF2型晶体。另外,有些A2B型化合物,一价正离子占据F的位置,二价负离子占据Ca2的位置,则负离子
8、作面心立方堆积,正离子填在四面体空隙,称反CaF2型结构,如碱金属的氧化物、硫化物则是反CaF2型晶体。,CaF2,CaF2的晶体结构,图 CaF2,萤石(CaF2),萤石(CaF2),AB2型晶体中,最常见的重要结构是四方金红石(TiO2)结构。在此结构中Ti4处在略有变形的氧八面体中,即氧离子作假六方堆积,Ti4填在它的准八面体空隙中,Ti4配位数为6,O2与3个Ti4配位(3个Ti4几乎形成等边三角形)。TiO2晶体属四方晶系,每个晶胞中有2个Ti4和4个O2,其原子分数坐标为:,(5)TiO2(金红石)型,为一结构参数,不同化合物的值不同,金红石本身=0.31,一些过渡金属氧化物TiO
9、2、VO2、MnO2、FeO2;氟化物MnF2、CoF2、NiF2为金红石结构。,TiO2,TiO2(金红石)的结构,白球:O,黑球:Ti,图 TiO2(金红石),金红石(TiO2),金红石(TiO2),锐钛矿(TiO2),板钛矿(TiO2),CdI2和CdCI2的层形分子,CdI或CI,(6)CdI2和CdCI2,CdI2的六方晶胞,I,I,Cd,CsCl型晶体属简单立方点阵,Cl作简单立方堆积,Cs填在立方体空隙中,正负离子配位数均为8,晶胞只含1个Cl和1个Cs。它们的分数坐标分别是Cl(0,0,0),Cs(1/2,1/2,1/2)。属于CsCl型晶体的化合物有CsCl、CsBr、CsI
10、、RbCl、TlCl、TlBr、TlI、NH4Cl、NH4Br、NH4I等。,(7)CsCl,点阵型式是Cs+离子形成简单立方点阵,Cl-离子形成另一个立方点阵,两个简单立方点阵平行交错,交错的方式是一个简单立方格子的结点位于另一个简单立方格子的体心。如图7-39所示。属立方晶系,配位数为88,即每个正离子被8个负离子包围,同时每个负离子也被8个正离子所包围。,CsCl型结构,CsCl,CsCl的结构,The CsCl(B2)Structure,图10.6 CsCl,CsCl,CsCl型,晶胞中离子的个数:,(红球Cs+,绿球Cl-),晶格:简单立方,配位比:8:8,CsCl型,例如:在氯化钠
11、晶体中,每个Na+离子周围等距离地排列着6个Cl-离子,每个Cl-离子也同样排列着6个Na+离子。见图7-2(a)。在氯化铯晶格中,Cs+离子被8个Cl-离子所包围,同样每个Cl-离子也被8个Cs+离子所包围。见图7-2(b)。,钙钛矿型结构是ABO3化合物中数量最多、研究最广的。理想的钙钛矿结构属立方晶系,但许多属于这类结构的晶体却变型为四方、正交晶系,这种变型与晶体的压电、热释电和非线性光学性质有密切关系,已成为一类十分重要的技术晶体。现以CaTiO3为例说明,它属正交晶系,每个晶胞中Ca处于体心位置,Ti处于顶点位置,O原子位于每条棱的中心位置,O原子和Ca原子联合起来形成面心正交点阵,
12、Ti原子处在氧原子的八面体空隙中,配位数为6,Ca原子配位数为12。这类晶体有BaTiO3。,(8)CaTiO3,钙钛矿结构,CaTiO3,(a)A型结构,Ca2+,Ti4+,O2-,CaTiO3,ReO3(WO3)的结构,Re,O,WO3晶体结构,ReO3晶体结构,MxWO3的结构,YBa2Cu3O7,方铅矿(PbS),(9)其他 AB型化合物(AB compound),辰砂(HgS),HgS 晶体结构,雄黄(AsS),石英(SiO2),(10)其他 AB2型化合物(AB2 compound),SiO2晶体结构,白铁矿(FeS2),FeS2晶体结构,锡石(SnO2),SnO2晶体结构,辉钼矿
13、(MoS2),MoS2晶体结构,刚玉(Al2O3),(11)A2B3型化合物(A2B3 compound),Al2O3晶体结构,辉锑矿(Sb2S3),雌黄(As2S3),赤铜矿(Cu2O),(12)A2B型化合物,Cu2O晶体结构,黄铁矿(FeS),(13)简单结构派生型(complex compoundDerive),FeS晶体结构,黄铜矿(CuS),CuS 晶体结构,石膏(CaSO4),(14)ABO4型,重晶石,方解石,(15)ABO3型,文石,尖晶石,(16)AB2O4型,磁铁矿,点阵能负值越大,表示离子键越强,晶体越稳定。它可以根据离子晶体中离子的电荷、离子的排列等结构数据计算得到。
14、,10.2 离子键和点阵能,离子键:,正负离子之间的静电作用力,其强弱可用点阵能的大小表示。,点阵能:,在0K时,1mol离子化合物中的正负离子由相互远离的气态结合成离子晶体时所释放出的能量。点阵能(U)相当于下一反应的内能改变量。,按照库仑定律,两个荷电为(Z+)e 和(Z-)e.距离为 r 的球形离子,库仑作用能C 为,当这两个离子近距离接触时,电子云间将产生排斥作用,相应的排斥能R为,式中b和m均为常数.,点阵能的计算和测定,式中N 为Avogadro常数,0为真空电容率,e 为电子电荷,A 为Madelung常数,它由晶体结构型式决定。,对碱金属卤化物可用经验参数=0.3110-10(
15、m)来简化点阵能的计算:,点阵能不能由实验直接测定,但可通过实验,利用Born-Haber(玻恩-哈伯)循环测定升华热、电离能、解离能、电子亲和能和生成热等数据,根据内能是状态函数性质间接计算出点阵能。,NaCl晶体的点阵能,点阵能=晶格能,晶格能=点阵能,Bom,Haber,Fajans设计了一个热力学循环,从这一循环实验中,我们也可得到晶格能。同样以NaCl为例:Na(s)Na(g)H升华(Na)Na(g)Na(g)e Ina 1/2Cl(g)Cl(g)1/2H解离(Cl2)Cl(g)eCl(g)Ecl Na(g)Cl(g)NaCl(s)U Na(s)1/2Cl2(g)NaCl(s)Hf(
16、NaCl)能量之间关系为 Hf=H升华INa1/2H解离EClU 通常Hf、H升华、INa、H解离是已知的,可由此来得到晶格能,例如NaCl计算得到晶格能为7.94eV,从热力学循环得到值为7.86eV,相差1%。,晶格能的热力学模型,1.Born-Haber 循环,将数据代入上式可得:,晶格能(lattice energy)U可用玻恩哈伯循环(BornHaber Cycle)计算得到。以NaF为例来说明热化学循环。下式中S为钠的升华热(Sublimation energy),表示1mol固态物质转变为气态时所吸收的能量:D为氟(F2)的解离能(dissociation energy),表示1
17、mol气态的双原子分子解离为2mol气态原子时所吸收的能量.,I 是电离能(ionization energy);E是电子亲合能(election affinity);U为晶格能;Q为生产热,即NaF(s)的生成焓。根据能量守恒定律,生产热Q应等于各步能量变化总和:该式除了晶格能之外,其余均可从实验测得。NaF 相应数据如下:Q为-1;S为-1;D为76.62 KJ.mol-1;I为502.3 KJ.mol-1;E为-349.5 KJ.mol-1。代入(7-3)式,求得NaF的晶格能U为-907.5 KJ.mol-1。,定义:在标准状态下,按下列化学反应计量式 使离子晶体变为气体正离子和气态负
18、离 子时所吸收的能量称为晶格能,用U 表 示。,2 晶格能 U,U,MaXb(s)aMb+(g)+bXa-(g),1.Born-Haber循环,U,2.Born-Lande公式,式中:R0正负离子核间距离,Z1,Z2 分别为正负离子电荷的绝对值,,A Madelung常数,与晶体类型有关,,n Born指数,与离子电子层结构类型有关。,A的取值:,CsCl型 A=1.763,NaCl型 A=1.748,ZnS型 A=1.638,n的取值:,影响晶格能的因素,离子的电荷(晶体类型相同时),离子的半径(晶体类型相同时),晶体的结构类型,离子电子层结构类型,Z,U 例:U(NaCl)U(MgO),R
19、,U 例:U(MgO)U(CaO),晶格能对离子晶体物理性质的影响,MgO,CaO,SrO,BaO,小,大,高,大,RU熔点 硬度,大 小 低 小,离子电荷数大,离子半径小的离子晶体晶格能大,相应表现为熔点高、硬度大等性能。,1.估算电子亲和能,根据Born-Haber循环,当通过实验求得S,I,D,H f以及点阵能的数值,就可以计算电子亲和能Y的数值。,10.2.2 点阵能的应用:,2.估算质子亲和能,若要计算 的能量变化P,可按下一循环求得:,3.计算离子的溶剂化能,离子的溶剂化能或水化能是指1mo1气态离子与无限量的溶剂结合时所释放的能量,即下一反应的焓变Haq,4.理解化学反应的趋势,
20、5.估算非球形离子的半径,离子本身带有电荷,形成一个电场,离子在相互电场作用下,可使电荷分布的中心偏离原子核,而发生电子云变形,出现正负极的现象。离子极化的出现,使离子键向共价键过渡。,10.2.3 离子的极化:,10.2.3 离子的极化(离子键向共价键过渡),描述一个离子对其他离子变形的影响能力。,离子的极化力(f),描述离子本身变形性的物理量。,离子的极化率(),1 离子的极化率(),离子半径 r:r 愈大,愈大。如:Li+(Mg2+)离子电荷:负离子电荷多的极化率大。如:(S2)(Cl)离子的电子层构型:(18+2)e,18e 917e 8e 如:(Cd2+)(Ca2+);(Cu+)(N
21、a+)r/pm 97 99 96 95,一般规律:,2 离子极化力 f,离子半径 r:r 小者,极化力大。离子电荷:电荷多者,极化力大。离子的外层电子构型:f:(18+2)e,18e 917e 8e 当正负离子混合在一起时,着重考虑正离子的极化力,负离子的极化率,但是18e构型的正离子(Ag+,Cd2+等)也要考虑其变形性。,一般规律:,3 离子极化的结果,键型过渡 如:AgF AgCl AgBr AgI 离子键 共价键,Ag+Ir/pm126+216(=342)R0/pm 299,晶型改变,AgCl AgBr AgI r+/r-0.695 0.63 0.58 理论上晶型 NaCl NaCl
22、NaCl 实际上晶型 NaCl NaCl ZnS 配位数 6 6 4,性质改变 例如;溶解度 AgCl AgBr AgI NaCl 易溶于水,CuCl 难溶于水。,思考题:,解释碱土金属氯化物的熔点变化规率:,熔点/,405 714 782 876 962,离子的大小和形状在外电场的作用下发生变形的现象,叫做离子极化。在外电场作用下,离子的诱导偶极矩和电场强度E成正比:=E其中为极化率 在离子晶体中,正负离子电子云在周围异号离子的电场作用下也会发生变化,所以在离子晶体中正负离子都有不同程度的极化作用。离子的可极化性(即电子云变形能力)取决于核电荷对外层电子的吸引程度和外层电子的数目,极化率被用
23、于衡量离子被极化的程度。一个离子使其它离子极化的能力称为极化力,它决定于这个离子对其它离子产生的电场强度,电场愈强,极化率愈大。极化力大的离子其可极化性则小,反之亦然。,对同价离子来说,离子半径愈大,极化率愈高。负离子半径一般较正离子大,常见的S2、I、Br等都是很容易被极化的离子。正离子价数愈高,半径由大变小,极化能力增强。含d电子的过渡金属正离子,比其它正离子极化率大。在离子晶体中被极化的主要是负离子,正离子使负离子极化。正负离子的相互极化导致电子云较大变形,在离子键中添加了共价键成分,键长缩短。当共价键成分增加到一定程度时,由于共价键的方向性和饱和性,使离子配位数降低,晶体从离子型向共价
24、型转变。,表105 离子的极化率和半径,离子极化不仅导致离子间的键型从离子键向共价键过渡,离子晶体向共价晶体过渡,然后进一步向分子晶体过渡。同时,离子极化也使正负离子的配位数逐步降低。现以AB2晶体为例说明。CaF2型晶体是典型的离子晶体,晶体中正负离子配位数比为8:4,金红石晶体中Ti4与O2配位数比为6:3,随着离子极化程度提高,如方石英(立方SiO2)的构型为Si,与金刚石结构中C原子一样,形成A4堆积;O原子位于Si-Si连线的中心位置附近,形成三维网络状低密度结构,离子晶体已过渡到共价晶体。晶体中Si原子与周围4个氧原子(在四面体顶点方向)成键,氧原子又和2个Si原子配位,Si与O的
25、配位数分别降到4:2。,离子极化对结构的影响,1对配位数的影响,图 方石英,图 CO2(干冰),若离子进一步极化,正负离子配位数下降至2:1,如CO2(干冰)晶体,已从共价晶体过渡到分子晶体。在晶体中,一个个直线形O-C-O分子是分立的,C原子位于立方晶胞的顶点与面心位置,每个CO2分子轴与平面成一定的角度。CO2分子中的共价键结合,晶胞中分子间以范德华力联系。卤素、稀有气体元素、CO2、SO2等分子和大多数有机物都是分子晶体。,离子极化使晶体的结构型式从高对称的三维立方构型向层型结构、链型结构、岛型结构转变,这种结构型式的转变在结晶化学中称为型变。金红石晶体是四方体心点阵,晶胞具有D4h对称
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