电工第14章二极管和晶体管备.ppt

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1、电 工 学,电 子 技 术,电子学发展史,1750年，富兰克林指出：雷电与摩擦生电是一回事1785年，库仑总结出电荷的力学定理1800年，伏打创立了电位差理论1820年，奥斯特发现导线通电磁针偏转1831年，法拉第完成磁生电实验1865年，麦克斯韦发表电磁理论公式1888年，赫兹证明了电磁波的存在1896年，马可尼发明电报，获1908年诺贝尔奖1897年，汤姆荪发现电子，获1906年诺贝尔奖1947年，萧克利、巴丁、布拉顿发明晶体管，获56年诺贝尔奖1958年，基尔比发明集成电路，获2000年诺贝尔奖,从20世纪初开始，人们相继发现了真空和半导体电子器件，以检波、放大及开关等功能为核心的电子技

2、术得到迅速发展。,从1948美国贝尔实验室发明半导体晶体管以来，半导体电子器件逐步取代电子管而成为应用电子技术的主角，经历了分立器件、集成电路、大规模和超大规模的集成电路。其应用领域遍及广播、通讯、测量、控制；今天，计算机已经以高技术的载体进入到各个领域，为人类文明的发展树立了一座宏伟的里程碑。,电子技术由模拟电子技术和数字电子技术两部分构成。,两者的区别：处理的信号,电子技术基础知识包括半导体二极管、半导体三极管、场效应管、部分典型集成电路等元器件。,电炉箱恒温自动控制系统,第14章 二极管和晶体管,14.3 二极管,14.4 稳压二极管,14.5 晶体管,14.2 PN结及其单向导电性,1

3、4.1 半导体的导电特性,14.6 光电器件,学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。,对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。,导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。,绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。,半导体：另有一类物质的导电

4、特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。,14.1 半导体的导电特性,半导体的导电特性：,(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。,掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。,光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。,热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强,这是由半导体材料的原子结构和原子之间结合方式决定的,本征半导体,完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。,晶体中原子的排列方式,硅单晶中的共价健结构,

5、共价健,共价键中的两个电子，称为价电子。,价电子,价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。,本征半导体的导电机理,这一现象称为本征激发。,空穴,温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。,自由电子,在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。,本征半导体的导电机理,当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流(1)自由电子作定向运动 电子电流(2)价电子递补空穴 空穴电流,注意：(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电

6、性能很差；(2)温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。,自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。,14.1.2 N型半导体和 P 型半导体,掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。,掺入五价元素,多余电子,磷原子,在常温下即可变为自由电子,失去一个电子变为正离子,在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。,在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

7、,14.1.2 N型半导体和 P 型半导体,掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。,掺入三价元素,在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。,硼原子,接受一个电子变为负离子,空穴,无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。,小结：,(1)本征半导体中有两种载流子导电，自由电子和空穴，但载流子数目极少,其导电性能很差。温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。(2)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。其中电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。(3)本征半导体中加入三价杂质元

8、素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负离子。(4)杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。,1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。,2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。,3.当温度升高时，少子的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。,a,b,c,4.在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是，N 型半导体中的电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）,b,a,1.电子导电和空穴导电有什么区别？空穴电流是不是由自由电子递补空穴所形成的？,练习和思考：,答：电子导

9、电是指带一个电量负电荷的自由电子在外电场的作用下，产生定向运动形成电流的过程。而空穴导电是指共价键中的价电子挣脱共价键的束缚，填补空穴，好像空穴在运动，而形成电流的过程。,空穴电流不是自由电子递补空穴所形成的，而是共价键中的价电子递补空穴所形成的。,练习和思考：,2.杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小？,答：大量的多数载流子会与少数载流子复合，复合的数量要比本征半导体两种载流子复合的数量多，因此，杂质半导体的少数载流子比本征半导体的少数载流子浓度小。,练习和思考：,3.N型半导体的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自

10、由电子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？,答：以N型半导体为例，由于掺杂后自由电子数目大量增加，当这些带负电的自由电子离开原子核后，原子核所在的晶格上就带生了等量的正电荷，这个电荷叫空间电荷。从整个晶体来看，它仍然是不带电的。空间电荷与带正电的空穴不同的是它是不能移动的。,不论是P型半导体还是N型半导体，都只能看做是一般的导电材料，不具有半导体器件的任何特点。,半导体器件的核心是PN结，是采取一定的工艺措施在一块半导体晶片的两侧分别制成P型半导体和N型半导体，在两种半导体的交界面上形成PN结。,各种各样的半导体器件都是以PN结为核心而制成的，正确认识PN结是了解和运用各种半导体器件的

11、关键所在。,14.2 PN结及其单向导电性,PN结的形成,多子的扩散运动,少子的漂移运动,浓度差,P 型半导体,N 型半导体,内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。,扩散的结果使空间电荷区变宽。,空间电荷区也称 PN 结,扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。,形成空间电荷区,扩散运动和漂移运动的动态平衡,扩散增强,漂移运动增强,内电场增强,两者平衡,PN结宽度基本稳定,1.空间电荷区中没有载流子。,2.空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴和N区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。,3.P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少子），数量有限，因此

12、由它们形成的电流很小。,注意:,14.2.2 PN结的单向导电性,1.PN 结加正向电压（正向偏置）,PN 结变窄,P接正、N接负,IF,内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。,PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。,2.PN 结加反向电压（反向偏置）,P接负、N接正,PN 结变宽,2.PN 结加反向电压（反向偏置）,内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。,IR,P接负、N接正,温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。,PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。,

13、PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,14.3 半导体二极管,14.3.1 基本结构,(a)点接触型,(b)面接触型,结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。,结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。,(c)平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于大功率整流和开关电路中。,图 1 半导体二极管的结构和符号,14.3 半导体二极管,二极管的结构示意图,半导体二极管实物图片,半导体二极管图片,半导体二极管图片

14、,14.3.2 伏安特性,硅管0.5V,锗管0.1V。,反向击穿电压U(BR),导通压降,外加电压大于死区电压二极管才能导通。,外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。,正向特性,反向特性,特点：非线性,硅0.60.8V锗0.20.3V,死区电压,反向电流在一定电压范围内保持常数。,二极管的单向导电性,1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。,2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。,3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向

15、导电性。,4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。,问题：如何判断二极管的好坏及其正负极性？,14.3.3 主要参数,1.最大整流电流 IOM,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2.反向工作峰值电压URWM,是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。,3.反向峰值电流IRM,指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。,3.4二极管

16、的电路模型（补充）,1 理想二极管：相当于开关，正向导通时，没有压降反相截止时没有电流。死区电压=0，正向压降=0 2 二极管：考虑二极管的正向压降，但正向压降视为固定值。死区电压=0.5V，正向压降:硅管0.7V，锗管0.3V3折线化模型：此时考虑二极管两端的压降在某一固定值上作微小变化时所引起的电流变化。,(a)开关模型(b)固定正向压降模型(c)折线化模型二极管的低频模型,二极管电路分析举例,定性分析：判断二极管的工作状态,导通截止,分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。,若 V阳 V阴或 UD为正(正向偏置)，二极管导通若 V阳 V阴或 UD为负(反向偏

17、置)，二极管截止,若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。,问题：如何判断二极管是导通还是截止？,“开关特性”,二极管的应用举例1：二极管半波整流,二极管的应用面很广，都是利用它的单向导电性。可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。,二极管的应用举例2：,如图由RC构成微分电路，当输入电压ui为矩形波时，试画出输出电压uo的波形。设uc(0)=0,0,0,0,t1,t2,U,二极管起检波作用，除去正尖脉冲。,正负对称限幅电路:,设输入电压ui=10sint(V),Us1=Us2=5V。D为理想二极管,二极管的应用举例3：,电路如图，求：UA

18、B,V阳=6 V V阴=12 V V阳V阴 二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=6V否则，UAB低于6V一个管压降，为6.3或6.7V,例1：,取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,在这里，二极管起钳位作用。,两个二极管的阴极接在一起取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,V1阳=6 V，V2阳=0 V，V1阴=V2阴=12 VUD1=6V，UD2=12V UD2 UD1 D2 优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=0 V,例2:,D1承受反向电压为6 V,流过 D2 的电流为,求：UAB,在这里，D2 起钳位作

19、用，D1起隔离作用。,ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo=8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo=ui,已知：二极管是理想的，试画出 uo 波形。,8V,例3：,参考点,二极管阴极电位为 8 V,在这里，D 起限幅(或削波)作用。,复习：,(1)本征半导体中有两种载流子导电，自由电子和空穴，但载流子数目极少,其导电性能很差。温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。(2)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。其中电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。(3)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少

20、数载流子，此外还有不参加导电的负离子。(4)杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。,(5)PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；(6)PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,(7)二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。,(8)二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。,(9)外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向

21、导电性。,(10)二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。,14.4 稳压二极管,1.符号,UZ,IZ,IZM,UZ,IZ,2.伏安特性,稳压管正常工作时加反向电压,使用时要加限流电阻,稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。,3.主要参数,(1)稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。,(2)电压温度系数 环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。,(3)动态电阻,(4)稳定电流 IZ、最大稳定电流 IZM,(5)最大允许耗散功率,rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。,管子不致发生热击穿的最大功率损耗：PZM=

22、UZ IZM,例：,通过稳压管的电流IZ等于多少？R是限流电阻，其值是否合适？,1.利用稳压管或普通二极管的正向压降，是否也可以稳压？,练习和思考：,答：稳压管和普通二极管的正向伏安特性相同，也有恒压作用。即当正向电流变化时，它们两端的正向电压变化很小。所以稳压管和普通二极管的正向压降可稳压，但稳定电压就是导通电压。硅二极管可正向稳定在0.7V左右，普通锗二极管正向电压可稳定在0.2V左右。,14.5 晶体管,14.5.1 基本结构,NPN型,基极,发射极,集电极,NPN型,符号：,NPN型三极管,14.5 晶体管,14.5.1 基本结构,N型锗,PNP型,符号：,PNP型三极管,1晶体管的电

23、流放大作用,以 NPN 型三极管为例讨论,三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。,不具备放大作用,基区：最薄，掺杂浓度最低,发射区：掺杂浓度最高,发射结,集电结,结构特点：,集电区：面积最大,这些结构特点是它具有电流放大作用的内在条件。,14.5.2 电流分配和放大原理,1.三极管放大的外部条件,发射结正向偏置、集电结反向偏置,(2)对 PNP 型三极管 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB,从电位的角度看：(1)对 NPN 型三极管 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB,即 VC VBVE 集电极电位最高,即 VE VBVC 发射极电位最高,共射极放大

24、电路,2.各电极电流关系及电流放大作用,结论:,1）三电极电流关系 IE=IB+IC2）IC IB，IC IE 3）IC IB,基极电流的微小变化IB能够引起较大的集电极电流变化IC,这就是三极管的电流放大作用。,3.三极管内部载流子的运动规律,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电区而被集电极收集，形成ICE。,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。,发射结正偏,扩散强,E区多子（自由电子）到B区,B区多子（空穴）到E区,穿过发射结的电流主要是

25、电子流,形成发射极电流IE,IE是由扩散运动形成的,1 发射区向基区扩散电子，形成发射极电流IE。,2 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB,E区电子到基区B后，有两种运动,同时基区中的电子被EB拉走形成,IB,IBE=IB时达到动态平衡,形成稳定的基极电流IB,IB是由复合运动形成的,3 集电极收集电子，形成集电极电流IC,集电结反偏,阻碍C区中的多子（自由电子）扩散，同时收集E区扩散过来的电子,有助于少子的漂移运动，有反向饱和电流ICBO,形成集电极电流IC,3.三极管内部载流子的运动规律,IC=ICE+ICBO ICE,IB=IBE-ICBO IBE,ICE 与 IBE 之比称为共

26、发射极电流放大倍数,通常定义为静态(直流)电流放大倍数。,称为动态(交流)电流放大倍数。,特性曲线,即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。,为什么要研究特性曲线：1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路,重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线,发射极是输入回路、输出回路的公共端,共发射极电路,输入回路,输出回路,测量晶体管特性的实验线路,1.输入特性,特点:非线性,死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。,正常工作时发射结电压：NPN型硅管 UBE 0.60.7VPNP型锗管 UBE

27、0.2 0.3V,2.输出特性,IB=0,20A,放大区,输出特性曲线通常分三个工作区：,(1)放大区,在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。,1、的微小变化会引起 的较大变化；,2、，是由 和 决定的。,晶体管处于放大区的特征：,3、,4、晶体管相当于通路。,（2）截止区,IB 0 以下区域为截止区，有 IC 0。,在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。,饱和区,截止区,（3）饱和区,当UCE UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IB IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管UCES 0.3V，锗管U

28、CES-0.1V。,晶体管相当于开路,1、增加时，基本不变。,2、，是由 和 决定的。,晶体管处于饱和区的特征：,3、,4、晶体管相当于短路。,晶体管三种工作状态的电压和电流,例1：如图，当输入电压U1 分别为3V、1V、-1V时，试问晶体管处于何种工作状态？,解：晶体管饱和时集电极电流近似为,晶体管刚饱和时的基极电流为,（1）U1=3V,晶体管已处于深度饱和状态,例1：如图，当输入电压U1 分别为3V、1V、-1V时，试问晶体管处于何种工作状态？,（2）U1=1V,晶体管处于放大状态,（3）U1=-1V,晶体管可靠截止,主要参数,1.电流放大系数，,直流电流放大系数,交流电流放大系数,当晶体

29、管接成共发射极电路时，,表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。,注意：,和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。,常用晶体管的 值在20 200之间。,例：在UCE=6 V时，在 Q1 点IB=40A,IC=1.5mA；在 Q2 点IB=60 A,IC=2.3mA。,在以后的计算中，一般作近似处理：=。,Q1,Q2,在 Q1 点，有,由 Q1 和Q2点，得,2.集-基极反向截止电流 ICBO,ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度ICBO,3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICE

30、O,ICEO受温度的影响大。温度ICEO，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,4.集电极最大允许电流 ICM,5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO,集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。,当集射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。,6.集电极最大允许耗散功率PCM,PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。PC PCM=IC UCE,硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。,ICUCE=PCM,安全工作区,由三

31、个极限参数可画出三极管的安全工作区,晶体管参数与温度的关系,1、温度每增加10C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。,2、温度每升高 1C，UBE将减小(22.5)mV，即晶体管具有负温度系数。,3、温度每升高 1C，增加 0.5%1.0%。,管子工作在放大状态，利用IB对IC的控制作用。,1、用于交流放大电路中,IC=ICEO 0，c、e之间相当于断路，三极管相当于一个开关处于断开状态。,UCES 0，c、e之间相当于短路，三极管相当于一个开关处于接通状态。,2、用于数字电路中,管子工作在截止或饱和状态，利用其开关特性。,截止时：,饱和时：,“开”,“关”,半导体三极管应用,三极管型号的含义

32、,(2)用字母表示三极管的材料与类型。如A表示PNP型锗管，B表示NPN型锗管，C表示PNP型硅管，D表示NPN型硅管。,(3)由字母组成，表示器件类型，即表明管子的功能。如X表示低频小功率管，G表示高频小功率管，D表示低频大功率管，A表示高频大功率管。,三极管的型号一般由五部分组成,如3AX31A、3DG12B、3CG14G等。下面以3DG12B为例说明各部分的含义。,(1)用数字表示电极数目。“3”代表三极管。,(4)用数字表示三极管的序号。,(5)由字母组成,表示三极管的规格号。,常见三极管的外形结构,实物照片,练习与思考,1-1 写出三极管的三种工作状态，并说明在三种状态下发射结、集电

33、结的偏置状况。,1-2 在电路中测得各三极管的三个电极对地电位如图所示，其中NPN型为硅管，PNP型为锗管，判断各三极管的工作状态。,截止,放大,饱和,1-3 今测得放大电路中一个三极管的各极对地电位分别为-1V，-1.3V，-6V，试判别三极管的三个电极，并说明是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型。,1-4 已知放大电路中一个三极管的各极对地电位 分别为 2.3V，3V，6V，试判别管子的类型、管子的三个电极，并说明是硅管还是锗管。,1-6 将一PNP型晶体管接成共发射极电路，要使它具有电流放大作用，EC和EB的正负极性如何连接，为什么？,晶体管是温度不稳定器件，ICEO越小温度稳定性越好

34、。ICEO=（1+）ICBO,符号,光的颜色视发光材料的波长而定。如采用磷砷化镓，可发出红光或黄光；如采用磷化镓，可发出绿光。它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，1.53V，电流为几 几十mA。,发光二极管,14.6 光电器件,14.6.1 发光二极管,当在发光二极管（LED）上加正向电压，并有足够大的正向电流时，就能发出可见的光。这是由于电子与空穴复合而释放能量的结果。,14.6.2 光电二极管,将光信号转换为电流信号。,符号,光电二极管,光电二极管是在反向电压作用下工作。当无光照时，和普通二极管一样，其反向电流很小。当有光照时，其反向电流增大，称为光电流。,光电二极管,14

35、.6.3 光电三极管,将光信号转换为电流信号。,光电三极管是用入射光照度E来控制集电极电流。,1半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。2采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。3二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。,内容小结,4.三极管工作时，有两种载流子参与导电，称为双极型晶体管。5.是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。6.特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。7.有三个工作区：饱和区、放大

36、区和截止区。,本章要求：一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。,作业,14.3.2 14.4.2,解:,14.3.5在下图中,试求以下几种情况的端电压VY,及各元件流过的电流:,(1)VA=10V,VB=0V;,解:,(2)VA=6V,VB=5.8V;,(2)VA=VB=5V;,14.4.2两个稳压管,稳定电压分别为5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V,如果得到0.5V,3V,6V,9V和14V应如何连接?,解:,14.5.1 有两个晶体管分别接在电路中,测得它们的管脚电位如下图所示:试判断管子类型。,解：,