电子模拟电子技术总复习.ppt
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1、,总复习,、考查什么,会看:电路的识别、定性分析。如是哪种电路:共射、共基、共集、共源、共漏、差分放大电路及哪种接法比例、加减、积分、微分运算电路低通、高通、带通、带阻有源滤波器单限、滞回、窗口电压比较器正弦波、矩形波、三角波、锯齿波发生电路OTL、OCL、BTL、变压器耦合乙类推挽功率放大电路线性、开关型直流稳压电源 又如性能如何:放大倍数的大小、输入电阻的高低、带负载能力的强弱、频带的宽窄输出功率的大小、效率的高低滤波效果的好坏,会算:电路的定量分析。例如求解电压放大倍数、输入电阻、输出电阻截止频率、波特图运算关系电压传输特性输出电压波形及其频率和幅值输出功率及效率输出电压的平均值、可调范
2、围,会选:根据需求选择电路及元器件在已知需求情况下选择电路形式,例如:是采用单管放大电路还是采用多级放大电路;是直接耦合、阻容耦合、变压器耦合还是光电耦合;是晶体管放大电路还是场效应管放大电路;是否用集成放大电路。是采用电压串联负反馈电路、电压并联负反馈电路、电流串联负反馈电路还是采用电流并联负反馈电路。是采用文氏桥振荡电路、LC正弦波振荡电路还是采用石英晶体正弦波振荡电路。,会选:根据需求选择电路及元器件在已知功能情况下选择元器件类型,例如:是采用低频管还是高频管。是采用通用型集成运放还是采用高精度型、高阻型、低功耗集成运放。采用哪种类型的电阻、电位器和电容在已知指标情况下选择元器件的参数电
3、路中所有电阻、电容、电感等的数值。例如:实现下列电路将正弦波变为方波产生100kHz的正弦波输出电压为1020V负载电流为3A的直流稳压电源,会调:电路调试的方法及步骤。调整电路性能指标应改变哪些元件参数、如何改变。电路故障的判断和消除。例如调整放大器的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的方法与步骤调整三角波振荡电路的振荡频率和幅值达到预定值的方法和步骤电路中某电阻断路或短路将产生什么现象。电路出现异常情况可能的原因。,第1章绪论,1.4 放大电路模型,(1)输入电阻(交流电阻)可假定在输入端外加一测试电压 vt,计算相应的测试电流 it。,(2)输出电阻(交流电阻),3.增益,第2章 运算放大
4、器,P,N,差分式放大电路,对称性,一级或多级放大电路,提高电压增益,功率放大电路,电压增益为1,向负载提供足够功率,O,以正、负电源的中间接点作为参考点位点,运放进入饱和区,运放工作线性区,理想运算放大器,按功能分类,按工作区域分类,运算,处理 滤波、整流、取样保持、绝对值,比较 判断电压大小(第9章),信号产生 正弦、方波、三角波(第9章),线性应用(虚短、虚断),非线性应用(虚断),负反馈状态,开环或正反馈状态,同相放大电路,由虚短:,由虚断:,(1)电压增益,(2)输入电阻,(3)输出电阻,反相放大电路,第3章二极管及其基本电路,半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间在一定温度下,本征半
5、导体因本征激发而产生自由电子,故有一定的导电能力,其导电能力主要由温度决定杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定,P型半导体空穴是多子,自由电子是少子,N型半导体中自由电子式多子,空穴是少子半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和材料性质有关,1、半导体的基本知识,2、PN结的形成及特性,空间电荷区,多子扩散电流,少子漂移电流,耗尽层,PN结加正向电压时,具有较大的正向扩散电流,呈现低电阻,PN结导通;PN结加反向电压时,具有很小的反向漂移电流,呈现高电阻,PN结截止。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。,3 半导体二极管,1).特性,单向导电,正向电阻小(理想为 0),反向电阻大(
6、)。,2).主要参数,Uon,开启电压,Uon,U(BR),反向击穿电压,IS,反向饱和电流,3).二极管的等效模型,U,U,rd,理想二极管,uUZ时作用同二极管,u增加到UZ 时,稳压管击穿,反向导通,两端电压在一定范围内能保持不变,(a),u,i,UZ,4).稳压二极管,第4章 双极型三极管及放大电路基础,1BJT,NPN型,PNP型,符号:,1)发射区高掺杂。,2)基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米,而且掺杂较少。,3)集电结面积大,低掺杂。,晶体管内部结构要求:,外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。,电流关系,IE=IC+IB,IC=IB+ICEO,IE=(1+)IB+IC
7、EO,IE=IC+IB,IC=IB,IE=(1+)IB,4.特性,死区电压(Uth):,0.5 V(硅管),0.1 V(锗管),工作电压(UBE(on):,0.6 0.8 V 取 0.7 V(硅管),0.2 0.4 V 取 0.3 V(锗管),饱和区,截止区,放大区,饱和区,截止区,放大区特点:,1)iB 决定 iC,2)曲线水平表示恒流,3)曲线间隔表示受控,参数,特性参数,电流放大倍数,=/(1),=/(1+),极间反向电流,ICBO,ICEO,极限参数,ICM,PCM,U(BR)CEO,ICM,U(BR)CEO,PCM,安 全 工 作 区,=(1+)ICBO,BJT的三种连接方式,2.放
8、大单路的组成原则,必须为电路提供合适的直流电源,输入信号必须能够作用于晶体管的输入回路,输出信号必须能够作用于负载电阻之上,放大的对象是变化量(交流信号)放大的基本特征是功率放大放大的本质是能量的控制和转换能够控制能量的元件称为有源元件(晶体管和场效应管)只有在不失真的情况下放大才有意义,放大电路能否正常工作的判断!,3、放大电路的分析方法,静态分析,动态分析,近似估算法,图解法,微变等效电路法,图解法,分析失真,计算动态参数,rbb,4、主要典型电路,共射极基本放大电路,或基极偏置电路,IB=,VCC,UBE,Rb,IC IB,UCE=VCC-RcIC,固定偏置电路,分压式偏置放大电路,射极
9、偏置电路,Rb1+Rb2,Rb1,VCC,VB,Re,IC,UCE=,VCC,RcIC,ReIE,共集电极电路,+,+,共基极放大电路,+,+,(1)共射AU较大,Ri、Ro适中,常用作电压放大。(2)共集AU1,Ri大、Ro小,适用于信号跟随、信号隔离等。(3)共基AU较大,Ri小,频带宽,适用于放大高频信号。,每种接法的特点,5.频率响应,通频带:,fbw=fHfL,放大倍数随频率变化曲线幅频特性曲线,在低频段,三极管的极间电容可视为开路,耦合电容C1、C2不能忽略。该电路有 一个RC高通环节。有下限截止频率,在高频段,耦合电容C1、C2可以可视为短路,三极管的极间电容不能忽略。该电路有
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