晶体管放大器的设计与仿真.ppt
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1、晶体管放大器的设计与仿真,一、实验目的学习晶体管放大电路的设计方法;熟悉用Multisim2001软件对电路进行模拟仿真;了解负反馈对放大电路性能的影响。,二、设计任务,单级阻容耦合晶体管放大器设计,已知条件,VCC=+12V,RL=3k,Vi=10mV(有效值),RS=600,技术指标要求,AV40,Ri1k,Ro3k,fL100Hz,fH100kHz,电路稳定性好。,三、设计步骤,修改电路方案,修改电路参数,是否要修改电路方案,N,N,Y,二、设计任务,已知条件,VCC=+12V,RL=3k,Vi=10mV(有效值),RS=600,技术指标要求,AV40,Ri1k,Ro3k,fL100Hz
2、,fH100kHz,电路稳定性好。,四、拟定电路方案,选择电路形式,考虑到电压增益要求,采用分压式射极偏置电路,并可获得稳定的静态工作点。,问:如果其它要求不变,只是输出阻抗Ro100,采用何种电路?,输出电阻比较小,所以输出级应采用射极跟随器或引入电压负反馈,而射极跟随器无电压增益,故可采用两级放大电路的设计。,工作原理,电路的Q点稳定,Q点主要由RB1、RB2、RE、RC及+VCC所决定。,温度T,IC,IE,IC,VE、VBQ不变,VBE,IB,(反馈控制),若I1 IBQ,,VBQ VBE,工作点稳定的必要条件:I1IBQ,VBQVBE,一般取,RE愈大,直流负反馈愈强,电路的稳定性愈
3、好。一般,电路参数的确定:,VEQ=(0.20.5)VCC,RC由RO或AV确定:,RC RO,或,RC,设计小信号放大器时,一般取 ICQ=(0.52)mA,,上限频率fH主要受晶体管结电容及电路分布电容的限制,下限频率 fL主要受耦合电容CB、CC及射极旁路电容CE的影响如果放大器下限频率fL已知,可按下列表达式估算电容CB、CC和CE:,通常取CB=CC,用上面两式算出电容值,取较大的作为CB(或CC)。,电路参数的确定:,选择晶体管因放大器上限频率fH100 kHz,要求较高,故选用高频小功率管3DG6,其特性参数 ICM=20mA,V(BR)CEO20V,fT 150MHz 通常要求
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