教学课件:第四章-单片热处理工艺RTP.ppt
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1、第四章 RTP工艺设备简介(Rapid Thermal Process),引言 RTP设备介绍 RTP工艺的应用(自学),参考资料:微电子制造科学原理与工程技术第6章 快速热处理(电子讲稿中出现的图号是该书中的图号),RTP工艺设备简介,RTP工艺是一类单片热处理工艺,其目的是通过缩短热 处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺 热预算(Thermal Budget)RTP工艺的发展,是为了适应等比例缩小器件结构对杂 质再分布的严格要求;最早的RTP工艺主要用于注入后 的退火 目前,RTP工艺的应用范围已扩展到氧化、化学气相淀 积和外延生长等领域,一、引言,1、IC器件尺寸的按比例缩小
2、,器件最小特征尺寸的缩小趋势,随着器件等比例缩小到深亚微米阶段,源、漏区的PN 结结深要求做得非常浅。离子注入后的杂质,必须通过足够高温度下的热处理,才能具有电活性,同时消除注入损伤。传统的高温炉管工艺,由于升、降温缓慢和热处理时 间长,从而造成热处理过程中杂质的再分布问题严重,难以控制PN结结深。最早的RTP工艺,就是为了离子注入后退火而开发的。,2、杂质再分布问题,3、RTP 与传统退火工艺的比较,RTP设备与传统高温炉管的区别 RTP设备的快速加热能力 RTP设备的关键问题,二、RTP 设备简介,(一)RTP 设备与传统高温炉管的区别,2、硅片温度控制:传统炉管利用热对流及热传导原理,使
3、 硅片与整个炉管周围环境达到热平衡,温度控制精确;而RTP设备通过热辐射选择性加热硅片,较难控制硅片 的实际温度及其均匀性。,(一)RTP 设备与传统高温炉管的区别,1、加热元件:RTP采用加热灯管,传统炉管采用电阻丝,3、升降温速度:RTP设备的升、降温速度为10-200秒,而传统炉管的升、降温速度为5-50分钟。,4、传统炉管是热壁工艺,容易淀积杂质;RTP设备则 是冷壁工艺,减少了硅片沾污。,(一)RTP 设备与传统高温炉管的区别,6、传统炉管的致命缺点是热预算大,无法适应深亚微 米工艺的需要;而RTP设备能大幅降低热预算。,5、生产方式:RTP设备为单片工艺,而传统炉管为批 处理工艺。
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