教学课件:第八章-电力电子学基础.ppt
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1、第8章 电力电子学基础1、半导体器件的两个发展方向高集成度的集成电路,称弱电子学电力电子器件,称强电子学2、电力电子器件在电动机控制系统中的作用:作为功率开关使用,不同的控制技术与功率开关相配合,达到向电动机提供不同极性、不同电压、不同频率、不同相序的供电电压,以控制电动机的启停、转向、转速。,8.1电力半导体器件(3类)1、不可控型开关器件二极管是不可控型开关器件,导通与关断都不能控制的器件,由一个p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结、两端引线、封装组成的。从外形上看,可以有螺栓型、平板型等多种封装。,A:阳极B:阴极,二极管的基本原理PN结的单向导电性 正向导通:PN结外加正向电压(正
2、向偏置)时,形成自P区流入从N区流出的电流,称为正向电流IF,导通电压降为0.81V。反向截止:当PN结外加反向电压时(反向偏置)时,PN结表现为高阻态,几乎没有电流流过。反向击穿:PN结具有一定的反向耐压能力,当施加的反向电压过大,反向电流会急剧增大,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态。反向击穿发生时,将反向电流限制在一定范围内,PN结仍可恢复原来的状态。否则PN结会过热而烧毁。,A:阳极B:阴极,2、半控型开关器件:只能控制其导通,不能控制其关断的器件。普通晶闸管螺栓形晶闸管:带有螺栓的一端是阳极A,粗引线是阴极K,细线是控制极G。用于100A以下场合。平板形晶闸管:中间的金属环是控制极G
3、,离控制极G较远的一面是阳极A,较近的一面是阴极K。用于200A以上场合。,晶闸管结构与符号晶闸管由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成,形成三个PN结。,二级管,晶闸管,晶闸管的工作原理加反向电压:两个PN结反向偏置加正向电压:中间PN结反向偏置,阳极,阴极,晶闸管不能导通,K,A,半控型开关器件只能控制其导通不能控制其关断,发射区,集电区,基区,基区,发射区,集电区,集电极,基极,基极,晶闸管的主要参数,UDRM:,断态重复峰值电压晶闸管控制极断路且正向截止时,允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。允许比正向转折电压 UB0小100V。普通晶闸管 UDRM 为100V 300
4、0V,IH:维持电流 在规定的环境和控制极断路时,晶闸管维持导通状态所必须的最小电流。一般IH为几十 一百多毫安。,工频正弦半波电流的最大值为Im,则,普通晶闸管IT为1A 1000A。,晶闸管的应用1)顺变装置(交流电变成直流电)2)逆变装置(直流变成交流电源)3)变频装置(顺变和逆变的组合)4)直流电动机的调速(可代替直流发电机),晶闸管型号及其含义,3CT表示普通晶闸管。3CT50/500表示额定电流为50A,额定电压为500V的晶闸管。,1)CT型晶闸管格式,通态电压的组别,用字母AI表示0.41.2V,额定电压等级,乘100为额定值,额定电流,如KP100-12G表示额定电流为100
5、A,额定电压为1200V。通态压降小于1V的普通晶闸管。,2)KP型晶闸管格式,(2)双向晶闸管 相当于两个普通晶闸管反并联,控制极对电源的正、负两个半周都有控制作用,MT1为阳极1,G为控制极,MT2为阳极2。特点:控制极G无信号输入时,与晶闸管相同,MT2与MT1间不导电。MT2施加的电压高于MT1,控制极加正极性或负极性信号,晶闸管导通,电流自MT2流向MT1;MT1施加的电压高于MT2,控制极加正极性或负极性信号,晶闸管导通,电流自MT1流向MT2;额定电流:双向晶闸管的额定电流不是用正弦半波电流平均值,而是用有效值。额定值200A的双向晶闸管只能通过有效值200A的电流,有效值200
6、A的普通晶闸管额定通态平均电流为90A,一全有效值200A双向晶闸管代替2个90A的普通晶闸管。,(3)逆导晶闸管 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件,不具有承受反向电压的能力,一旦承受反向电压即开通。(4)光控晶闸管 是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。阳级有正向外加电压时,中间的PN结J2被反向偏置。当照在反向偏置的J2结上时,J2结的漏电流增大,在晶闸管内正反馈作用下,晶闸管由断态转为通态。,逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性,反向漏电流,1,2,3,4,3、全控型开关器件:导通与关断都可以控制的器件1)门极可关断晶闸管(GTO)是晶闸管的一种派生器件,通过在门
7、极施加负的脉冲电流使其关断,属于全控型器件。在门极(控制极)加了一条短线。门极可关断晶闸管的工作原理:在门极加正电压,GTO导通。在门极加反向电压,GTO断开。不需要外部电路强迫阳极电流为0而使其关断,仅由门极加反向电流使其断开。门极可关断晶闸管的结构:是一种多元的功率集成器件,虽然外部同样引出个极,但内部则包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO单元,这些小GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起。这种结构是为便于实现门极控制关断而设计的,开关时间在25微秒以内,甚至几百纳秒。,各单元的阴极、门极间隔排列的图形 电气图形符号,2)电力晶体管(GTR)特点:耐高压、大电流的双极结(通过一定的工艺将
8、两个PN结结合在一起)型晶体管结构:至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构,把续流二极管V1、稳定电阴R、加速二极管V2组合在一起,用环氧树脂密封。三个极分别是集电极C、发射极E、基极B。电力晶体管可以做成双管模块,甚至可以做成六管模块。采用共发射极接法。,电力晶体管开关特性:断态到通态:电力晶体管用基极电流IB控制集电极电流IC,基极通入正向电流,集电极电流上升到0.9ICS(ICS是饱和导通的集电极电流)进入通态。通态到断态:给基极加一个负的电流脉冲,集电极电流不立即减小,延长一段时间才减小,逐渐下降到0.1ICS进入断态。电力晶体管的开关时间在几微秒以内,比晶闸管和门极可关断晶闸管的
9、开关时间都短。,P-MOSFET是多元集成结构,一个器件由许多个小的MOSFET组成。三个极分别是源极S、漏极D和栅极G。P-MOSFET用栅极电压uGS控制漏极电流ID,改变uGS的大小,主电路中的漏极电流ID也跟着改变,由于G与S间的输入阻抗很大,控制电流几乎为0,所需驱动功率很小。P-MOSFET开关时间在10100纳秒,工作频率100kHZ以上,是电力电子器件中最高的。当栅极电压uGS上升开启电压UT,出现漏极电流iD,UT24V;栅源电压UGS的绝对值大于20V,将导致栅源之间的绝缘层被击穿。,3)电力场效应晶体管主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semicondu
10、ctor field effect transistor)金属混合半导体效应晶体管,简称电力MOSFET(Power MOSFET)或P-MOSFET。,源极,栅极,漏极,4)绝缘栅双极晶体管电力场效应晶体管:单极型、电压控制开关,驱动功率很小,开关速度快,漏极D与源极S的通态压降大,难制成高压大电流器件。电力晶体管:双极型、电流控制开关,驱动功率大,开关速度不够快,通态压降小,可制成较高电压和电流的开关器件。绝缘栅双极晶体管:是两者的结合,栅极发射极短路时,集电集与发射极能承受的电压UCES高,1000V,导通时能流过集电极的最大持续电流IC大(1800A/4500V),集电极发射极导通压降
11、值小,在2.55V之间,开关频率在1040kHZ。在新设计的电力电子器件中已取代电力晶体管和部份电力场效应管。,电力晶体管,电力场效应晶体管,电力变换电路,按功能分:1.可控整流电路:把固定的交流电压变成固定或可调的直流电压。2.交流调压电路:把固定的交流电压变成可调的交流电压。3.逆变电路:把直流电变成频率固定或可调的交流电。4.变频电路:把固定频率的交流电变成可调频率的交流电。5.斩波电路:把固定的直流电压变成可调的直流电压。6.电子开关:功率半导体器件工作在开关状态可替代接触器和继电 器用于频繁开合操作场合,8.2 可控整流电路,分类:单相半波、单相桥式、三相零式、三相桥式等,8.2.1
12、 单相半波可控整流电路,(1)可控整流电路,电源电压u 0 时:控制极不加触发脉冲信号,晶闸管不导通,,电源电压u 0 时:晶闸管承受反向电压不导通,ud=0,uT=u,故称可控整流。,控制极加触发脉冲信号,晶闸管承受正向电压导 通,,1.带阻性负载,ud,(2)工作原理,t1,电源电压u 0 时:晶闸管承受反向电压不导通,即:晶闸管反向阻断,加触发脉冲信号,晶闸管承受正向电压导通,u 0时:,(4)整流输出电压及电流的平均值,由公式可知:,改变控制角,可改变输出电压Ud。,晶闸管承受的最大正向与反向电压:,ud,O,接电阻负载时单相半波可控整流电路电压、电流波形,控制角,t1,O,t2,2,
13、导通角,(3)工作波形,控制角:晶闸管元件承受正向电压起始点到触发脉冲的作用点之间的电角度。,导通角:晶闸管在一周期时间内导通的电角度。,2.带感性负载的可控整流电路感性负载:感抗L与电阻R的大小相比不可忽略的负载。如电动机的励磁线圈。晶闸管没有导通时:晶闸管上的电压为电源电压,此时负载电压为0.晶闸管被触发导通时:电流从0逐渐上升,电感两端的自动电动势eL阻碍电流上升,随着电流上升,自感电动势减小,在电感中储存了磁场能量。电源电压变负时,电流变小,电感产生自感电动势eL阻碍电流减小。eL大于电源的负电压,负载上就有电流流过,晶闸管导通,负载消耗电感能量,电压为负值,当晶闸管的电流小于维持晶闸
14、管导通电流时,晶闸管关断并立即承受反向电压。输出电压与电流:晶闸管在控制角触发导通,在+关断。负载为感性时,电源电压为负的时候晶闸管仍可导通,电感越大,导通角越大,每个周期中负载上的负电压所占比重越大,输出电压和输出电流的平均值越小。有可能得不到所需的电压和电流。,3.续流二极管的作用:提高电路输出平均电压措施:在负载两端并一只二极管V,电源为负电压时,二极管V导通,晶闸管受反压断开,负电压不作用在负载上。晶闸管导通时:电源电压为正,二极管V截止,负载电压波形与不加二极管V相同。电源电压为负时:二极管V导通,负载上由电感维持的电流流经二极管,负载两端电压仅为二极管管压降,接近于0,电感放出的能
15、量消耗在电阻上。负载电流id在晶闸管导能时由电源提供,在晶闸管关断时由电感通过二级管提供。,前面还有波形,一、单相半控桥式整流电路,1.电路,2.工作原理,VS1和V2承受正向电压。VS1控制极加触发电压,则VS1和V2导通,电流的通路为,a,(1)电压u 为正半周时,此时,VS2和V1均承受反向电压而截止。,8.2.2 单相桥式可控整流电路,VS2和V1承受正向电压。VS2控制极加触发电压,则VS2和V1导通,电流的通路为,(2)电压u 为负半周时,b,此时,VS1和V2均承受反向电压而截止。,3.阻性负载的单相半控桥式整流电路 晶闸管在时被触发导通,电源电压过零变负时,电流降到0,晶闸管断
16、开,输出电压平均值Ud与控制角的关系为,输出电流平均值Id,晶闸管承受的最大正反向电压:,5.反电动势负载的单相半控桥式整流电路 当整流电路输出接有反电势负载时,只有当电源电压的瞬时值大于反电势,同时又有触发脉冲时,晶闸管才能导通,整流电路才有电流输出。特点:负载两端的电压平均值比电阻性负载时高,220V电压经桥式整流输出,带阻性负载时,平均电压为198V;带反电动势负载时,平均值为250V以上。,电阻性负载,对于大容量电动机或蓄电池负载,为了使通过的电流不为0,常常串联电抗器,用以平滑电流的脉动:,电感滤波,二、单相全控桥式整流电路特点:把单相半控桥式整流电路中两只二极管用两只晶闸管替代。有
17、4只晶闸管;电路每半个周期要求触发两只晶闸管;带感性负载且没有续流二极管时,输出电压瞬时会出现负值。工作过程:u12为正的某一时刻t1,给晶闸管VS1和VS2触发脉冲,VS1和VS2导通,电源电压加于负载;当u120,电感上反电动势的作用维持电流通过VS1、VS2及电源,晶闸管导通;直到u12为负,在下半周的的同一控制角对应的时刻t2,VS3、VS4有触发脉冲时,VS3、VS4导通,VS1、VS2承受反向电压而断开。同样,VS3、VS4要导通到触发VS1、VS2才断开。控制角在0/2内变化,Ud从0.9 U2下降到接近0,电流id连续;控制角/2,电压平均值接近0,电流断续且很小。为提高电压,
18、在负载两端并续流二级管。,t1,t2,欲装一台白炽灯泡调光电路,需要可调的直流电源,调节范围:电压Ud=0V180V,电流Id=010A。现采用单相半控桥式整流电路,试求最大输入交流电压和电流有效值,并选择整流元件。,解:设在晶闸管导通角为(控制角为0)时输出电压值为最大(180V),则对应的输入交流电压有效值为最大。,实际上还要考虑电网电压波动、管压降以及导通角常常到不了1800,交流电压要比上述计算而得到的值适当加大10%左右,即大约为220V。因此,在本例中可以不用整流变压器,直接接到220V的交流电源上。,交流电流有效值:,晶闸管所承受的最大正向电压、最大反向电压和二极管所承受的最大反
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- 教学 课件 第八 电力 电子学 基础
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