教学课件:第五讲-运算放大器及频率补偿分解.ppt
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1、模拟CMOS集成电路设计Design of Analog CMOS Integrated Circuit,Institute of VLSI Design,Hefei U.of Tech,第五讲 运算放大器及频率补偿,1,5.1 概述5.2 单级运放5.3 两级运放 5.4 增益的提高5.5 共模反馈5.6 输入范围5.7 转换速率5.8 电源抑制5.9 运放的频率补偿5.10 运放的设计,2,5.1 概述,一、运放定义 高增益的差动放大器,通常增益范围在101105。运放一般用来实现一个反馈系统,其开环增益大小根据闭环电路的精度要求来选取;,环路增益,A越大,Y/X对A的变化越不敏感,通过增
2、加或A使闭环增益更加精确。,闭环增益误差,3,二、性能参数1、增益 运放的开环增益确定了使用运放反馈系统的精度。高开环增益对于抑制非线性是必须的。2、小信号带宽当运放工作频率增加,开环增益下降,反馈系统误差加大。通常定义为单位增益频率,指运放开环电压增益下降 到1(或0dB)时的频率。也可以规定3dB频率f3dB。,在运放的整体设计中需对各参数进行折衷考虑。,对于单极点系统,A(s)=A0/(1+s/0),0是3dB带宽,A0 0是增益带宽积(GBW),决定闭环系统的时间常数。,4,3、输出摆幅 使用运放的多数系统要求大的电压摆幅以适应大范围的信号值。对大输出摆幅的需求使全差动运放使用十分普遍
3、。4、线性度 开环运放有很大的非线性,如漏电流和输入电压之间的非线性。提高线性度的方法:采用全差动实现方式抑制偶次项谐波;使用闭环系统,并提供足够的开环增益以达到足够的精度。5、噪声与失调 确定了能被处理的最小信号电平。,噪声和输出摆幅之间的折衷:电流不变,过驱动电压降低以提高输出摆幅,跨导增加,漏电流噪声增加。,电压输出摆幅和器件尺寸、偏置电流、速度相关,相互牵制,在设计时需全面考虑,大尺寸或大的偏置电流其噪声和失调较大,5,6、电源抑制 电源噪声会影响运放的性能,因此全差动结构更受欢迎。5.2 单级运放,简单运放结构,前面研究的全部差动放大器均称为运放。,注意两个电路极点区别,低频小信号增
4、益:,稳定性比较,镜像极点,6,“套筒式”共源共栅运放,要得到高增益,采用共源共栅结构,单端输出,增益数量级约为:,以减小输出摆幅,增加极点为代价。全差动电路输出摆幅:,镜像极点,7,套筒式运放的另一个缺点:很难将输入输出短接,以形成单位增益缓冲器。,什么条件下,M2和M4工作在饱和区?,M2饱和,M4饱和,输出电压摆幅:,小于阈值电压,8,套筒式共源共栅运放的缺点是较小的输出摆幅,以及很难将输入输出短接以形成单位增益缓冲器。折叠式共源共栅运放可以减小以上不利因素。,最小值可以是0电位,最大值可以是Vdd,折叠共源共栅尾电流源,NMOS共源共栅,PMOS共源共栅,9,PMOS为输入对管的折叠式
5、共源共栅运放结构,notice:(1)ISS1=ISS/2+ID3,折叠结构消耗更大的功率。(2)输入共模电平需大于Vb1-VGS3+VTHP,允许将输入和输出短接。,输入对管尾电流源,折叠共源共栅尾电流源,10,折叠式共源共栅运放的特点:(1)大的输出摆幅,比套筒式共源共栅运放的单边输出摆幅小了一个尾电流源的过驱动电压。M5、M6流过电流大,若器件尺寸小,需要较大的过驱动电压。,(2)小信号增益:,M5减小了输出阻抗,增益是NMOS套筒式共源共栅运放的1/31/2,折叠点X点的极点由于具有更大的电容,更靠近原点。,11,NMOS为输入对管的折叠式共源共栅运放结构,与PMOS作为输入管的结构相
6、比,NMOS作为输入管的折叠cascode运放可以提供更高的增益,但其折叠点上的极点更低(M3跨导低,此外,对于相同电流,M5的尺寸要更大,电容就更大)。,12,与套筒式共源共栅运放相比,折叠式共源共栅运放:输出摆幅大些,但具有较大的功耗、更低的增益和较低的极点频率。此外,由于输入、输出可以短接,输入共模电平更容易选择,获得更为广泛的应用。,(3)输入共模电平接近电源的一端电压(VDD或VSS),输入共模电平可以等于VDD,以PMOS管为输入对管时,输入共模电平可以为0电平。,13,套筒式和折叠式共源共栅运放也可以设计成单端输出。,VOUT最大值:VDD(2VOD+Vth),VOUT最大值:V
7、DD-2VOD,共源共栅电流镜,14,单端输出运放(a)与全差动运放(b)相比,存在缺点:1、仅能提供输出摆幅的一半;2、包含镜像极点,不如(b)稳定。,尽管全差动结构需要反馈环路来确定输出共模电平,还是全差动结构更好!,15,5.3两级运放 单级运放的缺点:1、增益被输入对管跨导与输出阻抗的乘积所限制;2、要获得高增益,如采用共源共栅结构,则限制输出摆幅。,采用两级运放,将增益和摆幅的要求分开处理:1、第一级提供高增益;2、第二级提供大的输出摆幅。,第二级采用简单的共源级,以提供最大的输出摆幅。,16,单边输出摆幅为:,总增益与共源共栅结构相当,17,要获得高增益,第一级可以采用共源共栅结构
8、。,18,两级运放也可以提供单端输出。方法之一是将两个输出级的差动电流转换成单端电压:维持了第一级的差动特性;若将输出与输入短接,形成单位增益缓冲器,其缺点:VOUTmin=VGS2+VISS,限制了输出摆幅。,能否级联比两级更多的级数来获得更高的增益?,每级运放引入至少一个极点,多级运放很难保证系统的稳定性。很少用多于两级的运放。,19,5.4 增益的提高,增益的提高可以通过进一步提高输出阻抗,而不是增加共源共栅器件!,一个有效的方法:通过反馈增大输出阻抗,电流电压反馈,提高输出电阻。强制Vx=Vb,驱动M2栅极,M2漏极电压的变化对Vx的影响减小,输出阻抗更高,等效为一个反馈电阻,检测电流
9、并转换为电压,直流偏置,辅助放大器,20,调节型共源共栅,调节型共源共栅,类似于三层共源共栅的增益,调节型共源共栅:Voutmin=VOD2+VGS3普通共源共栅:Voutmin=VOD2+VOD1,辅助放大器减小了输出摆幅。,对于小信号,Vb=0,增益为负还是为正?,21,将调节型共源共栅应用于差动共源共栅结构中:,在差动共源共栅级中采用调节型共源共栅提高输出阻抗,最小输出电压为:VOD3+VGS5+VISS2,输出摆幅比差动共源共栅结构小一个阈值电压,摆幅的限制来源于增益提高放大器中的NMOS差动对,X、Y为全差动信号,M5、M6差动对尾电流源,22,PMOS折叠式共源共栅的最小输入共模电
10、压可为0,对于PMOS差动对,VX和VY的共模输入电压可为0,对于该电路,VX和VY电压最小电压为:,最小输出电压:,相当于四层共源共栅结构,和差动共源共栅结构相当,23,调节型共源共栅技术可用到共源共栅运放的电流源负载上:,套筒式共源共栅,折叠式共源共栅,提高输出阻抗、增益,A1采用PMOS差动对,A2采用NMOS差动对,24,性能比较:,没有一种结构在所有性能指标上都能达到最优,设计时根据具体的性能要求来选择最合适的结构,25,5.5 共模反馈 全差动电路相对于单端电路的优点:更大的输出摆幅;避免了镜像极点,达到更高的闭环速度。然而,全差动电路需要“共模反馈”(CMFB)。,?,NMOS电
11、流镜确定的ISS和PMOS电流镜确定的ID3,4不匹配,输入输出共模电平均为VDD-ISSRD/2,实际上NMOS电流镜和PMOS电流镜存在失配,从而引起输出电压的变化,输入输出共模电平如何确定,差动负反馈,26,电流源失配会引起输出共模电压的变化:,由于NMOS电流镜确定的ISS和由PMOS电流镜确定的ID3,4存在不匹配,将产生(IP-IN)(RP|RN)的输出电压变化。,差动反馈不能确定共模电压,全差动电路需要共模反馈!,27,晚,必须增加共模反馈网络监测两输出端的共模电平,并调节运放的偏差电流。,CMFB反馈电路完成:检测输出共模电平和参考电压进行比较将误差送回放大器偏置网络,调节偏置
12、电流。,28,1、检测输出共模电平:,R1和R2必须比运放的输出阻抗大得多,否则会引起运放增益的下降。,29,(1)采用源跟随器和电阻检测输出共模电平要消除阻性负载影响,可以在两个输出端与检测电阻间插入源跟随器。,电压平移VGS,具有高输入阻抗,30,缺点:1、减小了输出摆幅(减小了一个阈值电压);2、R1和R2,或I1和I2必须足够大,以保证输出端出现大的差动摆幅时,M7和M8不会“挨饿”。,若R1+R2或I1不够大,IX相对于I1足够大,因此ID7近似为0。此时,Vout,CM不代表实际的共模输出电平。,31,(2)采用工作在线性区的MOS管检测输出共模电平,M7、M8工作在深线性区,在P
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- 教学 课件 第五 运算放大器 频率 补偿 分解
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