教学课件：第五讲-电力电子器件的驱动.ppt

《教学课件：第五讲-电力电子器件的驱动.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《教学课件：第五讲-电力电子器件的驱动.ppt（18页珍藏版）》请在三一办公上搜索。

1、1,第五讲 电力电子器件的驱动,2,电力电子器件器件的驱动,5.1 电力电子器件驱动电路概述5.2 晶闸管的触发电路5.3 典型全控型器件的驱动电路,3,5.1 电力电子器件驱动电路概述,使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。驱动电路的基本任务：按控制目标的要求施加开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号。对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。,驱动电路主电路与控制电路之间的接口,4,5.1 电力电子器件驱动电路概述,驱动电路还要提供控

2、制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。光隔离一般采用光耦合器磁隔离的元件通常是脉冲变压器,图1-25 光耦合器的类型及接法a)普通型 b)高速型 c)高传输比型,5,5.1 电力电子器件驱动电路概述,按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。,分类,6,几种常用触发信号电压波形,正弦波,尖脉冲,方波,强触发脉冲,脉冲列,5.1 电力电子器件驱动电路概述,7,5.1 电力电子器

3、件驱动电路概述,简易移相触发电路,此电路的移相范围小于90,8,5.1 电力电子器件驱动电路概述,阻容移相触发电路,此电路的充电延时触发来实现移相的；改变RP阻值可改变触发时间。,9,5.1 电力电子器件驱动电路概述,数字集成块触发电路,该触发集成电路验证以直接触发普通晶闸管，但可以直接触发高灵敏度的晶闸管。,10,5.2 晶闸管的触发电路,作用：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。晶闸管触发电路应满足下列要求：脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。触发脉冲应有足够的幅度。不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电

4、气隔离。,t,图1-26理想的晶闸管触发脉冲电流波形t1t2脉冲前沿上升时间（1s）t1t3强脉宽度IM强脉冲幅值（3IGT5IGT）t1t4脉冲宽度I脉冲平顶幅值（1.5IGT2IGT）,晶闸管的触发电路,11,5.2 晶闸管的触发电路,V1、V2构成脉冲放大环节。脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节。V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。,图1-27 常见的晶闸管触发电路,常见的晶闸管触发电路,12,5.3 典型全控型器件的驱动电路,(1)GTOGTO的开通控制与普通晶闸管相似。GTO关断控制需施加负门极电流。,图1-28推荐的GTO门极电压电流波形,1

5、)电流驱动型器件的驱动电路,正的门极电流,5V的负偏压,GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。,13,5.3 典型全控型器件的驱动电路,直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿。目前应用较广，但其功耗大，效率较低。,图1-29 典型的直接耦合式GTO驱动电路,14,5.3 典型全控型器件的驱动电路,开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压

6、。,图1-30 理想的GTR基极驱动电流波形,(2)GTR,15,5.3 典型全控型器件的驱动电路,GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。,图1-31GTR的一种驱动电路,驱动GTR的集成驱动电路中，THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的M57215BL较为常见。,16,5.3 典型全控型器件的驱动电路,电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。使MOSFET开通的驱动电压一般1015V，使IGBT开通的驱动电压一般15 20V。关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5-15V）有利于减小关断时间和关断损耗。在栅极串

7、入一只低值电阻可以减小寄生振荡。,2)电压驱动型器件的驱动电路,17,5.3 典型全控型器件的驱动电路,(1)电力MOSFET的一种驱动电路：电气隔离和晶体管放大电路两部分,图1-32电力MOSFET的一种驱动电路,专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。,18,5.3 典型全控型器件的驱动电路,(2)IGBT的驱动,图1-33M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图,常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和 M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。,多采用专用的混合集成驱动器。,