基于PLC技术的光网络器.ppt
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1、第三章 基于PLC技术的光网络器件,张敏明:mmz万助军:华中科技大学光电学院,第三章 基于PLC技术的光网络器件,3.1 PLC技术简介3.2 Y分支器3.3 定向耦合器3.4 多模干涉耦合器3.5 热光开关,什么是PLC技术?,PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)在平面衬底材料上制作芯层/包层波导结构,并以波导构成各种回路或者功能器件。,平面光波导材料,平面光波导材料,铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导,波导结构为扩散型。InP波导以InP为称底和下包层,以InGaAsP为芯层,以InP或者InP/空气为上包层,波导结构为掩埋脊形或者脊形。二
2、氧化硅波导以硅片为称底,以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层,波导结构为掩埋矩形。SOI波导是在SOI基片上制作,称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气,波导结构为脊形。聚合物波导以硅片为称底,以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层,波导结构为掩埋矩形。玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导,波导结构为扩散型。,SiO2/Si光波导工艺,采用火焰水解法(FHD)或者化学气相淀积工艺(CVD),在硅片上生长一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导下包层,如图(b)所示;采用FHD或者CVD工艺,在下包层上再生长一层SiO2,作为波导芯层,其中掺杂锗离子,获得需
3、要的折射率差,如图(c)所示;通过退火硬化工艺,使前面生长的两层SiO2变得致密均匀,如图(d)所示;进行光刻,将需要的波导图形用光刻胶保护起来,如图(e)所示;采用反应离子刻蚀(RIE)工艺,将非波导区域刻蚀掉,如图(f)所示;去掉光刻胶,采用FHD或者CVD工艺,在波导芯层上再覆盖一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导上包层,如图(g)所示;通过退火硬化工艺,使上包层SiO2变得致密均匀,如图(h)所示。,玻璃光波导工艺,在玻璃基片上溅射一层铝,作为离子交换时的掩模层,如图(b)所示;进行光刻,将需要的波导图形用光刻胶保护起来,如图(c)所示;采用化学腐蚀,将波导上部的铝膜去掉,如图(
4、d)所示;将做好掩模的玻璃基片放入含Ag+-Na+离子的混合溶液中,在适当的温度下进行离子交换,如图(e)所示,Ag+离子提升折射率,得到如图(f)所示的沟道型光波导;对沟道型光波导施以电场,将Ag+离子驱向玻璃基片深处,得到掩埋型玻璃光波导,如图(g)所示。,第三章 基于PLC技术的光网络器件,3.1 PLC技术简介3.2 Y分支器3.3 定向耦合器3.4 多模干涉耦合器3.5 热光开关,Y分支器的工作原理,奇模,1次模,Y分支器的分光过程,Y分支器的合光过程:同相位,Y分支的合光过程:相位差为,基模,偶模,偶模,基模,Y分支器的仿真情况,基于Y分支器的Mach-Zehnder干涉器,两臂光
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