可编程逻辑器件的工作原理及应用.ppt
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1、第七章 可编程逻辑器件的工作原理及应用,主讲:司杨制作:张海峰,电工教研室,第七章 可编程逻辑器件的工作原理及应用,电工教研室,7.1 可编程逻辑器件的编程原理,7.1.1 概述一、数字电路的发展与可编程器件的出现二、PLD的发展态势三、可编程逻辑器件的分类1.按集成密度划分为7.1.2 PLD的结构、表示方法1.PLD的基本结构2.PLD的逻辑符号表示方法3.编程连接技术4.低密度可编程逻辑器件,电工教研室,6.1.3 可编程只读存储器PROM6.1.4 可编程逻辑阵列 PLA一、PLA基本结构二、PLA应用举例6.1.5 可编程阵列逻辑 PAL6.1.6 通用阵列逻辑 GAL一、GAL16
2、V8总体结构二、输出逻辑宏单元(OLMC)1.OLMC的结构2.GAL16V8的结构控制字3.OLMC的配置三、行地址结构6.1.2 PLD的结构、表示方法,一、数字电路的发展与可编程器件的出现,集成度:,高效、低耗、高精度、高稳定、智能化。,VLSIC,LSIC,SSIC,MSIC,7.1.1 概述,专用型:ASIC(Application Specific Integratel Circuit),逻辑功能:,通用型:54/74系列、74HC系列、74HCT系列等,可编程器件(PLD:Programmable Logic Device),VLSIC,二、PLD的发展态势,向低电压和低功耗方向
3、发展,5V 3.3V 2.5V 1.8V 更低,向高集成度、高速度方向发展 集成度已达到400万门以上,向数、模混合可编程方向发展,向内嵌多种功能模块方向发展 RAM,ROM,DSP,CPU等,1.按集成密度划分为,三、可编程逻辑器件的分类,7.1.2 PLD的结构、表示方法,与门阵列,或门阵列,乘积项,和项,PLD主体,输入电路,输入信号,互补输入,输出电路,输出函数,可由或阵列直接输出,构成组合输出;通过寄存器输出,构成时序方式输出。,1.PLD的基本结构,2.PLD的逻辑符号表示方法,(1)连接的方式,(2)基本门电路的表示方式,F1=ABC,与门,或门,A,B,C,&,L,A,B,C,
4、1,L,D,F1=A+B+C+D,三态输出缓冲器,输出恒等于0的与门,输出为1的与门,输入缓冲器,简化,熔丝编程技术是用熔丝作为开关元件,这些开关元件平时(在未编程时)处于连通状态,加电编程时,在不需要连接处将熔丝熔断,保留在器件内的熔丝模式决定相应器件的逻辑功能。反熔丝编程技术也称熔通编程技术,这类器件是用逆熔丝作为开关元件。这些开关元件在未编程时处于开路状态,编程时,在需要连接处的逆熔丝开关元件两端加上编程电压,逆熔丝将由高阻抗变为低阻抗,实现两点间的连接,编程后器件内的反熔丝模式决定了相应器件的逻辑功能。,(1)熔丝(Fuse)和反熔丝(Anti-fuse)编程技术,3.编程连接技术,熔
5、丝结构,反熔丝结构示意,体积小,集成度高,速度高,易加密,抗干扰,耐高温只能一次编程,在设计初期阶段不灵活,PLD表示的与门,熔丝工艺的与门原理图,L=ABC,高电平,A、B、C有一个输入低电平0V,A、B、C三个都输入高电平+5V,低电平,L=ABC,熔丝图中 L=AB,A、B、C 中有一个为0,A、B、C 都为1,输出为0;,输出为1。,情况2:L=AC,情况1:L=ABC,X,X,器件的开关状态不同,电路实现逻辑函数也就不同,1 0 1,1 1 1,(2)浮栅型电可写紫外线擦除编程技术,浮栅管相当于一个电子开关,如N沟浮栅管,当浮栅中没有注入电子时,浮栅管导通;当浮栅中注入电子后,浮栅管
6、截止。浮栅管的浮栅在原始状态没有电子,如果把源极和衬底接地,且在源-漏极间加电压脉冲产生足够强的电场,使电子加速跃入浮栅中,则使浮栅带上负电荷,电压脉冲消除后,浮栅上的电子可以长期保留;当浮栅管受到紫外光照射时,浮栅上的电子将流向衬底,擦除所记忆的信息,而为重新编程做好准备。,浮栅型紫外线擦除熔丝结构,早期PROM器件采用此工艺,可反复编程不用每次上电重新下载,但相对速度慢,功耗较大,三、浮栅编程技术,用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的ROM,即已写入的内容可以擦去,也可以重新写入新的内容。,(一)叠栅型(SIMOS)存储单元,0,问题:浮栅上的电荷无放电通路,没法泄漏。,用紫外线
7、照射芯片上的玻璃窗,则形成光电电流,把栅极电子带回到多晶硅衬底,SIMOS管恢复到初始的导通状态。,(3)浮栅型电可写电擦除编程技(E2PROM),此类器件在CMOS管的浮栅与漏极间有一薄氧化层区,其厚度为10m15m,可产生隧道效应。编程(写入)时,漏极接地,栅极加20V的脉冲电压,衬底中的电子将通过隧道效应进入浮栅,浮栅管正常工作时处于截止状态,脉冲消除后,浮栅上的电子可以长期保留;若将其控制栅极接地,漏极加20V的脉冲电压,浮栅上的电子又将通过隧道效应返回衬底,则使该管正常工作时处于导通状态,达到对该管擦除的目的。编程和擦除都是通过在漏极和控制栅极上加入一定幅度和极性的电脉冲来实现,可由
8、用户在“现场”用编程器来完成。,浮栅型电可擦除熔丝结构,大多数CPLD器件采用此工艺,可反复编程不用每次上电重新下载,但相对速度慢,功耗较大,向浮栅写入电荷时,G加25V,D接GND。,擦除浮栅电荷时,G加5V,D接25V。,(二)隧道型(FLOTOX)储存单元,前面研究的可擦写存储器的缺点是擦除已存入的信息必须用紫外光照射一定的时间,因此不能用于快速改变储存信息的场合。,FLOTOX管的结构剖面示意图如图所示。,它与叠栅型管的不同在于浮栅延长区与漏区N 之间的交叠处有一个厚度约为80埃的薄绝缘层。,隧道型储存单元制成的存储器克服了这一缺点,它称为电可改写只读存储器E2PROM,即电擦除、电编
9、程的只读存储器。,(4)SRAM编程技术,与浮栅型熔丝结构基本相同。SRAM编程技术是在FPGA器件中采用的主要编程工艺之一。SRAM型的FPGA是易失性的,断电后其内部编程数据(构造代码)将丢失,需在外部配接ROM存放FPGA的编程数据。,可反复编程,实现系统功能的动态重构每次上电需重新下载,实际应用时需外挂EEPROM用于保存程序,(2)浮栅MOS管开关,用不同的浮栅MOS管连接的PLD,编程信息的擦除方法也不同。SIMOS管连接的PLD,采用紫外光照射擦除;Flotox MOS管和快闪叠栅MOS管,采用电擦除方法。,浮栅MOS管,叠栅注入MOS(SIMOS)管,浮栅隧道氧化层MOS(Fl
10、otox MOS)管,快闪(Flash)叠栅MOS管,当浮栅上带有负电荷时,使得MOS管的开启电压变高,如果给控制栅加上VT1控制电压,MOS管仍处于截止状态。,a.叠栅注入MOS(SIMOS)管,导通,截止,若要擦除,可用紫外线或X射线,距管子2厘米处照射15-20分钟。,L=BC,1 1 1 1,浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A(埃)的薄绝缘层遂道区。,当遂道区的电场强度大到一定程度,使漏区与浮栅间出现导电遂道,形成电流将浮栅电荷泄放掉。,遂道MOS管是用电擦除的,擦除速度快。,b.浮栅隧道氧化层MOS(Flotox MOS)管,结构特点:1.闪速存储器存储单元MOS管
11、的源极N+区大于漏极N+区,而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的;2.浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。,c.快闪叠栅MOS管开关(Flash Memory)(自学),特点:结构简单、集成度高、编程可靠、擦除快捷。,PLD中的三种与、或阵列,与阵列、或阵列均可编程(PLA),与阵列固定,或阵列可编程(PROM),与阵列可编程,或阵列固定(PAL和GAL等),三种与、或阵列有什么应用特点?,输出函数为最小项表达式,输出函数的乘积项数不可变每个乘积项所含变量数可变,输出函数的乘积项数可变每个乘积项所含变量数可变,4.低密度可编程逻辑器件(LDPLD:Low-Density
12、 PLD),(1)PROM(Programmable ROM),20世纪70年代初。,与阵列固定,或阵列可编程。,(2)PLA(Programmable Logic Array),20世纪 70年代初。,与阵列、或阵列都可编程。,(3)PAL(Programmable Array Logic),20世纪70年代末。,与阵列可编程,或阵列固定。,(4)GAL(Generic Array Logic),20世纪80年代初。,大部分与阵列可编程,或阵列固定。,7.1.3 可编程只读存储器PROM,完全译码阵列,实现组合逻辑函数:将函数写为最小项之和形式,将对应的与项或起来即可。,容量与门数或门数 2
13、nm,利用效率低。,例:试用PROM实现4位二进制码到Gray码的转换。,转换真值表,7.1.4 可编程逻辑阵列 PLA,一、PLA基本结构,图 PLA的基本结构,二、PLA应用举例,例 用PLA器件实现函数,解:用PLA器件实现,需3个输入端,2个输出端。,用卡诺图法化简,得出F1、F2的最简与或式:,相应的实现电路如图所示。,图10.5.2 用PLA实现组合函数的设计,&,1,例 由PLA构成的逻辑电路如图所示,试写出该电路的逻辑表达式,并确定其逻辑功能。,写出该电路的逻辑表达式:,AnBnCn,AnBn,AnCn,BnCn,全加器,试写出该电路的逻辑表达式。,例:试用PLA实现4位二进制
14、码到Gray码的转换。,解:利用卡诺图化简得最简与或式:,时序型PLA基本结构图,PLA的与或阵列只能构成组合逻辑电路,若在PLA中加入触发器则可构成时序型PLA,实现时序逻辑电路。,1 1 1 0 0 0 0 1 01 0 0,例:试用PLA和JK触发器实现2位二进制可逆计数器。当X=0时,进行加法计数;X=1时,进行减法计数。,解:X为控制信号,Y为进位(借位)输出信号。,0 0 0 0 0 1 0 1 00 1 1,1 0 0 1 0 11 1 01 1 1,0 1 0 1 0 0 1 1 00 0 1,画状态图,列状态转移表,求状态、驱动和输出方程,比较得驱动方程:,画阵列图,7.1.
15、5 可编程阵列逻辑 PAL,除了具有与阵列和或阵列以外,还有输出和反馈电路:专用输出结构可编程输入/输出结构寄存器输出结构异或输出结构,图 PAL器件的基本电路结构,&,1,图 专用输出结构,特点:或非门输出或互补输出常用器件:PAL16L8,PAL20L10等,图 可编程输入/输出结构,(1)端口既可做输入也可做输出(2)做输出端口时,输出信号又可被反馈到输入,构成简单的触发器。,图 寄存器输出结构,(1)增加了D触发器,整个PAL的所有D触发器共用一个时钟和输出使能信号。(2)可构成同步时序逻辑电路,图 异或输出结构,&,&,=1,1,增加了异或门,使时序逻辑电路的设计得到简化。,例1:用
16、PAL设计一个带使能端(低电平有效)的2/4线译码器,输出低电平有效。,解:使能输入:EN;译码地址输入:A1和A0;输出为:Y0,Y1,Y2,Y3。由真值表可知:Y0=A1A0,Y1=A1A0,Y2=A1A0,Y3=A1A0,最好选用低电平输出有效的专用输出结构或可编程I/O型PAL。由要求有使能输出,应选用带有三态输出的PAL器件。选用PAL16L8器件实现的简化示意如图:,例1实现电路图,6.1.6 通用阵列逻辑 GAL,一、GAL16V8总体结构,8个输入缓冲器(引脚29);,8个输出缓冲反相器(引脚1219);,8个输出反馈/输入缓冲器(既可做输入也可做输出),因此为16V8;,1个
17、时钟输入缓冲器;,1个选通信号输入反相器;,20个引脚的器件;,1,1,1,1,EN,&,19,2,7,0,0 3,1,CLK,OLMC,(19),1.88个与门,可实现64个乘积项(Product Term)。,2.每个与门有32个输入端(每个乘积项可包含16个变量)。,3.每个输出端最多只能包含8个乘积项,当表达式逻辑化简后,乘积项数多于8个时,则必须适当拆开,再分配给另一个OLMC。,4.最多有16个引脚作为输入端(指16个输入变量,CLK不属于输入变量),最多有8个引脚作为输出端。,二、输出逻辑宏单元(OLMC),1.OLMC的结构:,(1)8输入的或门,(2)异或门:控制输出信号的极
18、性,高电平有效,低电平有效,(3)DFF,(4)4个多路选择器,乘积项多路选择器(PTMUX Product Term Multiplexer),三态多路选择器(TSMUX),输出多路选择器(OMUX),反馈多路选择器(FMUX),图10.6.2 OLMC的结构框图,表 FMUX的控制功能表,*,*,*在OLMC(12)和OLMC(19)中SYN代替AC0,SYN代替AC1(m)。,2.GAL16V8的结构控制字,GAL16V8的各种配置由结构控制字确定。,图10.7.3 GAL16V8结构控制字的组成,32位,乘积项禁止位,4位,XOR(n),1位,SYN,8位,AC1(n),1位,AC0,
19、4位,XOR(n),32位,乘积项禁止位,82位,1215,1619,1219,(n),(n),(n),PT63PT32,PT31PT0,3.OLMC的配置,(a)专用输入模式,(b)专用组合输出模式,(d)时序电路中的组合输出模式,1,EN,1,CLK,OE,=1,1,XOR(n),CLK,OE,来自邻级输出(m),I/O(n),NC,来自与阵列,反馈,(e)寄存器输出模式,图 OLMC的5种工作模式下的简化电路,三、行地址结构,图 GAL16V8编程单元的地址分配,移 位 寄 存 器,与逻辑阵列,与逻辑阵列,PT63 PT32,PT31 PT0,0,31,32,电 子 标 签,电 子 标
20、签,保 留 地 址 空 间,33,59,结 构 控 制 字,60,82位,加密单元,保留,整体擦除,61,62,63,SDO,SDI,SCLK,行 地 址,熔丝图,0000 0000,0011 1010,对应,-,共64行,0,31,SUPPERL编程器采用下拉式菜单技术和多窗口技术,人机界面良好,操作使用简单,我们以它为例进行编程介绍。,例1:用GAL设计一个带使能端(低电平有效)的2/4线译码器,输出低电平有效。,解:2个信号输入A1,A0;一个使能控制端,4个输出端。选择EN由11引脚输入,Y3,Y2,Y1,Y0分别由OLMC(12)OLMC(15)提供。应配置为专用组合输出模式:AC0
21、=0,AC1=1;XOR=0;SYN=1;乘积项数为1。,OLMC的配置:,例 人的血型有A、B、AB、O型4种。输血时输血者的血型与受血者的血型必须符合图所示的关系。试用1片GAL16V8设计一个逻辑电路,判断输血者的血型与受血者的血型是否符合上述规定。,解:设定输血者血型用X1、X2表示,受血者血型用X3、X4表示。取值组合为0011时,分别表示血型为A、B、AB、O型;输出为F:取值为1时,表示血型相符,否则,表示血型不符。根据题意得到真值表为:,例的真值表,由真值表,经卡诺图法化简,电工教研室,7.2 CPLD和FPGA的结构和特点,6.2.1 PLD的发展和现状一、PLD的发展历程二
22、、PLD的现状6.2.2 CPLD/FPGA的特点1.基本结构2.编程工艺3.器件规模4.FPGA/CPLD生产商6.2.3 复杂可编程逻辑器件(CPLD)的结构和基本原理一、复杂可编程逻辑器件(CPLD)的结构1.可编程逻辑阵列(LAB)2.可编程I/O单元(IOC)3.可编程内部连线(PIA),电工教研室,6.2.4 现场可编程门阵列(FPGA)的结构和基本原理一、FPGA的基本结构 1.可编程逻辑块(CLB)2.输入/输出模块(IOB)3.可编程互连资源(PIR)二、CPLD与FPGA的区别三、大的PLD生产厂家四、FPGA和CPLD的选用1.器件的资源2.芯片速度3.器件功耗4.FPG
23、A/CPLD的选择5.FPGA/CPLD封装,7.2.1 PLD的发展和现状,一、PLD的发展历程PROM、EPROM、EEPROM 只能完成简单的数字逻辑功能PAL、GAL、PLA PLD能以乘积和的形式完成大量的组合逻辑功能(规模较小)CPLD、FPGA 设计与制造集成电路的任务已不完全由半导体厂商来独立承担。系统设计师们更愿意自己设计专用集成电路(ASIC)芯片,而且希 望ASIC的设计周期尽可能短,最好是在实验室里就能设计出合适 的ASIC芯片,并且立即投入实际应用之中,因而出现了现场可编 程逻辑器件(FPLD),其中应用最广泛的当属现场可编程门阵列(FPGA)和复杂可编程逻辑器件(C
24、PLD)。几乎所有应用门阵列、PLD和中小规模通用数字集成电路的场合 均可应用FPGA和CPLD器件。,70年代,80年代,90年代,PROM 和PLA 器件,改进的 PLA 器件,GAL器件,FPGA器件,EPLD 器件,CPLD器件,内嵌复杂功能模块的SOPC,CPLD器件,FPGA器件,二、PLD的现状,目前,使用较广泛的PLD有CPLD和FPGA两大类。,CPLD:(Complex Programmable Logic Device)复杂 的可编程逻辑器件。专指那些集成规模大于1000门以上的可编程 逻辑器件。ROM型器件停电数据可保存。FPGA:(Field Programmable
25、 Gate Array)现场可编程 门阵列。它是一种由掩膜可编程门阵列和可编程逻辑器 件两者演变而来的通用型用户可编程器件。RAM型器件停电数据不可保存,须与存储器 连用。,7.2.2 CPLD/FPGA的特点,CPLD可编程逻辑宏单元LMC,Logic Macro Cell(结构较复杂)复杂的I/O控制块(完成芯片上逻辑与外部封装脚的接口)逻辑单元之间采用连续式互连结构(固定长度的金属线)内部延时时间固定,可预测,FPGA可编程逻辑功能块(实现用户功能的基本单元)可编程I/O块(完成芯片上逻辑与外部封装脚的接口)逻辑单元之间采用分段式互连结构(不同长度的金属线)内部延时时间不固定,预测性差,
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