分界面的衔接条件边值条件.ppt
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1、授课计划chap1-2,重点内容回顾及疑难解答,教学内容,主要知识点,重点难点,思考题与作业,备注,预习1-4,1-5,1-3 静电场基本方程与分界面上的衔接条件 积分方程、微分方程、分界面的衔接条件1-4 静电场边值问题 位函数方程;边值问题的概念、分类、建立、求解。总结,1.微分方程 2.分界面的衔接条件 3.边值问题的建立 4.简单位函数方程的求解,1.场点、源点的概念 2.场源与电荷的对应关系 3.电场强度与电位的计算 4.参考电位的选取 5.导体与电介质的特性 测验:电场强度与电位的计算公式,本讲主要内容,或,1.分界面衔接条件,2.边值问题及其分类,3.边值问题的建立(难点*),4
2、.边值问题分析方法概述,上一讲主要内容回顾,1.源点、场点的概念,2.电场强度、电位的积分公式,3.电场强度与电位的对应关系,4.导体、电介质在电场中的性质。,5.极化电荷的作用及其分布。,6.真空与电介质中的高斯定理及其应用。,1-3 静电场基本方程 与分界面上的衔接条件,1.积分形式的基本方程(物理中学过)2.微分形式的基本方程(重点)3.两种介质分界面的衔接条件(难点),1.积分形式的基本方程,2.微分形式的基本方程,由高斯散度定理可得,由斯托克斯定理有,它表明基本变量E在闭合回线上的环量特性。,表明源(电荷)与场 之间的对应关系。,小结:,静电场是有源场。,静电场是无旋场。,例,解一:
3、电场明显具有球对称性,D沿半径方向 且大小只是r的函数。球的电荷总量为,例(解法一结果),当r=a时,同理可得:,当r=a时,应用积分形式的高斯定律,可求得,3.两种介质交界面的衔接条件,介质中静电场的基本方程,1)交界面法线方向的衔接条件,柱面hS,式中是分界面上 的自由电荷密度。当分界面上没有自由电荷时,有,对于此闭合面,高斯通量定律写成,或写成,例(解法二),解:利用微分形式的散度方程求解。,对于球外的点(r=a),有:,对于球内的点(r=a),散度方程为:,(r=a),(r=a),由边界条件可知,当r=a时,D1=D2,(r=a),对比,(r=a),确定系数C1、C2,例,计算均匀电荷
4、面密度为的无限大平面的电场。,解:如图所示取柱形闭合面,无限大,注意侧面上D0 的通量为零。因此求得D0=/2,用矢量式表示时,为,根据高斯定律,2)分界面切线方向的衔接条件,电场强度在矩形回路上的环量为零,导体表面是等位面,E 线与导体表面垂直;,导体与电介质分界面,例,解,导体中 E10,D1=0,导体表面上任一点的 D 等于该点的。,下 页,上 页,试写出导体与电介质分界面上的衔接条件。,分界面衔接条件,分解面介质侧,表明,介质分界面衔接条件小结,当分界面上没有自由电荷时,有,或,折射定律,忽略边缘效应,图(a),图(b),试求两个平板电容器的电场强度。,下 页,上 页,平行板电容器,例
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