《霍尔式传感器》课件.ppt

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1、第五章 霍尔式传感器,5.1霍尔式传感器的工作原理5.2霍尔式传感器的基本测量电路5.3霍尔式传感器的误差与补偿5.4霍尔式传感器的应用,霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应,但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展,开始用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。,5.1 霍尔式传感器的工作原理 一、霍尔效应及霍尔元件 霍尔传感器是利用霍尔效应制作的半导体磁敏传感器。半导体磁敏传感器是指电参数按一定规律随磁性量变化的传感器，常用的有

2、霍尔传感器和磁敏电阻传感器。磁敏器件是利用磁场工作的，所以可以用非接触方法检验。半导体磁敏器件的特点是：从直流到高频，其特性完全一样，也就是完全不存在与频率的关系。,（一）.霍尔效应,1879年美国物理学家霍尔发现：在通有电流的金属板上加一个强磁场，当电路流方向与磁场方向垂直时，在与电流和磁场都垂直的金属板的两表面之间出现电动势，这种现象就称为霍尔效益，这个电动势差称为霍尔电动势。（置于磁场中的静止载流导体,当它的电流方向与磁场方向不一致时,载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。）其原理可用带电粒子在磁场中所受到的洛伦兹力解释。图 5 1

3、（a）所示,在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板,导电板通以电流I,方向如图所示。导电板中的电流是金属中自由电子在电场作用下的定向运动。此时,每个电子受洛仑磁力fL的作用，fL大小：fL=eBv 式中:e电子电荷;v电子运动平均速度;B磁场的磁感应强度。,fL的方向在图 5-1中是向上的,此时电子除了沿电流反方向作定向运动外,还在fL的作用下向上漂移,结果使金属导电板上底面积累正电荷,而下底面积累电子,从而形成了附加内电场EH,称霍尔电场,该电场强度为 EH=式中UH为电位差。霍尔电场的出现,使定向运动的电子除了受洛仑磁力作用外,还受到霍尔电场的作用力,其大小为eFe，此力阻止电荷继续积累。随

4、着上、下底面积累电荷的增加,霍尔电场增加,电子受到的电场力也增加,当电子所受洛仑磁力与霍尔电场作用力大小相等、方向相反时,即eEH=evB 则 EH=vB 此时电荷不再向两底面积累,达到平衡状态。,若金属导电板单位体积内电子数为n,电子定向运动平均速度为v,则激励电流I=nevbd,则 v=将式上代入式（EH=vB）得 EH=将上式代入式（）得 UH=式中令RH=1/（ne）,称之为霍尔常数,其大小取决于导体载流子密度，则 UH=RH（5-1）式中KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度。由式（5-1）可见,霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔常数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提

5、高灵敏度,霍尔元件常制成薄片形状。当I与B的不垂直时霍尔电压为：,对霍尔片材料的要求,希望有较大的霍尔常数RH,霍尔元件激励极间电阻R=L/（bd）,同时R=UI/I=EIL/I=vL/（nevbd）,其中UI为加在霍尔元件两端的激励电压，EI为霍尔元件激励极间内电场，v为电子移动的平均速度。则 解得RH=从上式可知,霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率的乘积。若要霍尔效应强,则RH值大,因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。,一般金属材料载流子迁移率很高,但电阻率很小;而绝缘材料电阻率极高,但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有:锗、硅、

6、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造,其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好,其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。下表 为常用国产霍尔元件的技术参数。,（二）.霍尔元件基本结构,霍尔元件的结构很简单,它由霍尔片、引线和壳体组成,如下图(a)所示。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四个引线。1、1两根引线加激励电压或电流，称为激励电极；2、2引线为霍尔输出引线，称为霍尔电极。霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成如图（C）。在电

7、路中霍尔元件可用三种符号表示，如图(b)所示。,二、霍尔元件的主要特性,1）额定激励电流和最大允许激励电流 当霍尔元件自身温升10时所流过的激励电流称为额定激励电流。以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。因霍尔电势随激励电流增加而增加,所以,使用中希望选用尽可能大的激励电流,因而需要知道元件的最大允许激励电流,改善霍尔元件的散热条件,可以使激励电流增加。2）输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对外电路来说相当于一个电压源,其电源内阻即为输出电阻。以上电阻值是在磁感应强度为零且环境温度在205时确定的，温度对其有影响。,3）不等位电势和不等

8、位电阻 当霍尔元件的激励电流为I时,若元件所处位置磁感应强度为零,则它的霍尔电势应该为零,但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。产生这一现象的原因有:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上;半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀;激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。不等位电势也可用不等位电阻表示 4）寄生直流电势 在外加磁场为零,霍尔元件用交流激励时,霍尔电极输出除了交流不等位电势外,还有一直流电势,称寄生直流电势。其产生的原因有:,激励电极与霍尔电极接触不良,形成非欧姆接触,造成整流效果;两个霍尔电极大小不对称,则两个电极点的热容不同,散热状态不同形成极向

9、温差电势。寄生直流电势一般在 1mV以下,它是影响霍尔片温漂的原因之一。5）霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和激励电流下,温度每变化1时,霍尔电势变化的百分率称霍尔电势温度系数。它同时也是霍尔系数的温度系数。6）自激场零电动势 当霍尔元件通一输入电流时该电流就会产生磁场，这个磁场就称为自激场。见右图：,由于元件的左右两半场相等，故产生的电动势方向相反而抵消。实际应用中由于输入电流引线也产生磁场，使元件左右两半场不相等，因而有电压输出，该电压就是自激场零电动势。克服其影响的方法就是在安装输入电流引线时适当安排。温度还影响霍尔元件的内阻即输入阻抗和输出阻抗。不同材料制成的霍尔元件，其内阻与温度关

10、系不同。当负载电阻比霍尔元件输出电阻大的多时，输出电阻变化对输出的影响很小。这时就只考虑输入端进行补偿，简单的温度补偿方法是用恒流源补偿。这就是的当输入电阻随温度变化时，输入电流变化极小，从而减小了输入端的温度影响。,5.2霍尔式传感器的基本测量电路,霍尔元件的基本测量电路如右图：控制电流I由电源E提供，R-调节电阻用来根据需要改变I的大小。L 可以是放大器的输入电阻或表头内阻，所加的外磁场B一般与霍尔元件的平面垂直。在实际测量中可以把I或B或I*B作为输入信号，通过霍尔电压输出得到测量结果。,控制电流可以是交流量。由于建立霍尔效应所需的时间极短，所以控制电流的频率可高达 Hz以上。,一、将被

11、测量转换为磁感应强度B（恒流源）,保持霍尔元件的控制电流I恒定不变，就可以测量磁感应强度B，以及位移、角度等可直接转换为B的物理量，进一步还可以测量先转换成位移或角度、然后间接转换为B物理量，如振动、压力、速度、加速度、转速等。,二、将被测量转换为控制电流I（恒压源）保持霍尔元件上所施加的磁感应强度B恒定不变，就可以测量控制电流I，以及可以转换为I的物理量，如电压等。恒压驱动电路简单，但性能较差。随着磁感应强度增加，线性变化坏，仅用于精度要求不太高的场合；恒流驱动线性度高，精度高，受温度影响小。,三、将被测量转换为I与B 的乘积,种类应用可进行乘积运算，并可测量可以转换为乘积运算的物理量。可测

12、量单相负载上的无功功率，也可测量三相负载上的有功功率（I*U*cos）和无功功率（I*U*sin）。,5.3霍尔式传感器的误差与补偿,一、零位误差与补偿,在分析零位电动势时，可将霍尔元件等效为一个电桥，如图所示。控制电极A、B和霍尔电极C、D可看做电桥的电阻连接点，R1、R2、R3、R4构成四个桥臂，控制电压可看为电桥工作电压。理想情况下：Um=0,电桥平衡，R1=R2=R3=R4；如霍尔元件的某种结构原因造成Um 0，这时4个电阻的阻值有差异，Um 就是电桥的不平衡输出电压。产生Um 的原因为等效电桥的四个桥臂电阻不相等，所以任何能够使电桥达到平衡的方法都可作为零位电势的补偿方法。有基本和

13、温度补偿电路。,（一）基本补偿电路,霍尔元件的零位电动势补偿电路有多种，下图是两种常见电路，其中Rp是调节电阻。（a）是在造成电桥不平衡的电阻值较大的一个桥臂上并联Rp，通过调节Rp使电桥达到平衡状态，称为不对称补偿电路。（b）相当于在两个电桥上并联调节电阻，称为对称补偿电路。基本补偿电路没有考虑温度变化的影响。实际上，由于调节电阻Rp与霍尔元件的等效桥臂电阻的温度系数一般都不相同，所以某一温度下通过调Rp使Um=0，当温度发生变化时，平衡又被破坏了，这时又要重新调节。（b）电路的温度稳定性要比（a）好。,二、温度误差与补偿,霍尔元件是采用半导体材料制成的,因此它们的许多参数都具有较大的温度系

14、数。当温度变化时,霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化,从而使霍尔元件产生温度误差。为了减小霍尔元件的温度误差,除选用温度系数小的元件或采用恒 温措施外,采用恒流源供电是个有效措施,可以使霍尔电势稳定。但也只能减小由于输入电阻随温度变化而引起的激励电流I变化所带来的影响。也可以使用一些温度补偿的方法。（一）、采用恒流源提供控制电流 采用恒流源提供恒定的控制电流可以减小温度误差，但元件的灵敏度Kh 也是温度的系数，对于具有正温度系数的霍尔元件，可在元件控制极并联分流电阻R来提高Uh的温度稳定性，如图所示 它由恒流源、并联电阻和霍尔元件组成。,令在初始温 T0 时，元件灵敏度

15、系数为、输入电阻为，当温度由 T0 变化到T，即有 时，各参数变化为,式中，霍尔元件输入电阻 的温度系数 灵敏度 的温度系数由于温度为T0 时有 在温度为T时有要使霍尔电势不随温度而变化，必须保证在B 和 I 的值为常数，温度为 T 和 T0 时有：即有：那么：整理得：,当霍尔元件选定以后，、为定值，其值可在产品说明书中查到，选择适合的补偿分流电阻，使由于温度引起的误差降至极小。,（二）、合理选择负载电阻,图5-7所示电路中，霍尔电压输出接负载电阻RL，则当温度为T时RL上的电压表示为：（5-13）当温度由T变成 T+T 时，则RL上的电压变为 式中-霍尔元件输出电阻；-霍尔元件温度系数；-霍

16、尔元件输出电阻的温度系数；（5-14）要使UL不受温度变化影响，即，由上两式可知 整理得：（5-15）,对于一个霍尔元件，、和 的值容易获得，所以只要使负载电阻RL满足（5-15），就可以实现在输出回路中对温度的补偿。虽然 RL 通常是放大器的输入电阻或表头内阻，其值是一定的，但可通过串、并联电路来调整RL的值。,（三）、采用热敏元件,对于由温度系数较大的半导体材料（锑化铟）制成的霍尔元件，常采用下图的温度补偿电路，Rt 热敏元件（热电阻或热敏电阻）。,（a）在输入回路中进行温度补偿，当温度变化时，用Rt的变化来抵消霍尔元件灵敏度KH和输入电阻Ri变化对霍尔输出的电压UH的影响,（b）在输出回

17、路中进行温度补偿，当温度变化时，用Rt的变化来抵消霍尔电压UH和输出电阻Ro 变化对负载电阻RL上的电压UL的影响,在安装测量电路时，热敏元件最好和霍尔元件封装在一起或尽量靠近，以使二者温度变化一致。,5.4霍尔式传感器的应用,1.霍尔式压力传感器霍尔元件具有结构简单、体积小、动态特性好和寿命长的优点,它不仅用于磁感应强度,有功功率及电能参数的测量,也在位移、压力等测量中得到广泛应用。下图是霍尔压力传感器的结构原理图。由两部分组成：一部分是作为弹性敏感元件的弹簧管,用来感受压力P,并将P转换为弹性元件的位移；另一部分是霍尔元件和磁系统，磁系统形成一个均匀阶梯磁场见下图所示，在其工作范围内，；霍

18、尔元件固定在在弹性元件上，所以霍尔元件在均匀梯度磁场中的位移也是x。-斜率，为常数；-系数，为常数,霍尔电压 与被测压力P之间的关系可表示为：,式中 K-霍尔式压力传感器的输出灵敏度,2.霍尔式微位移传感器,下图给出了一些霍尔式位移传感器的工作原理图。图（a）是磁场强度相同的两块永久磁铁,同极性相对地放置,霍尔元件处在两块磁铁的中间。由于磁铁中间的磁感应强度B=0,因此霍尔元件输出的霍尔电势UH也等于零,此时位移x=0。若霍尔元件在两磁铁中产生相对位移,霍尔元件感受到的磁感应强度也随之改变,这时UH不为零,其量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量,这种结构的传感器,其动态范围可达 5

19、 mm,分辨率为 0.001mm。,图（b）所示是一种结构简单的霍尔位移传感器,由一块永久磁铁组成磁路的传感器,在x=0 时,霍尔电压不等于零。图（c）是一个由两个结构相同的磁路组成的霍尔式位移传感器,为了获得较好的线性分布,在磁极端面装有极靴,霍尔元件调整好初始位置时,可以使霍尔电压UH=0。这种传感器灵敏度很高,但它所能检测的位移量较小,适合于微位移量及振动的测量。3.霍尔式转速传感器 下 图 是几种不同结构的霍尔式转速传感器。磁性转盘的输入轴与被测转轴相连,当被测转轴转动时,磁性转盘随之转动,固定在磁性转盘附近的霍尔传感器便可在每一个小磁铁通过时产生一个相应的脉冲,检测出单位时间的脉冲数

20、,便可知被测转速。磁性转盘上小磁铁数目的多少决定了传感器测量转速的分辨率。,3.霍尔计数装置 霍尔开关传感器SL3501是具有较高灵敏度的集成霍尔元件,能感受到很小的磁场变化,因而可对黑色金属零件进行计数检测。下图 是对钢球进行计数的工作示意图和电路图当钢球通过霍尔开关传感器时,传感器可输出峰值20mV的脉冲电压,该电压经运算放大器A（A741）放大后,驱动半导体三极管VT（2N5812）工作,VT输出端便可接计数器进行计数,并由显示器显示检测数值。,左手定则：伸开左手，使大拇指跟其余四个手指垂直，并且都跟手掌在一个平面内，把手放入磁场中，让磁力线垂直穿入手心，并使伸开的四指指向电流的方向，那么，大拇指所指的方向，就是通电导线所受的安培力的方向 右手定则：右手平展，使大拇指与其余四指垂直，并且都跟手掌在一个平面内。把右手放入磁场中，若磁力线垂直进入手心（当磁感线为直线时，相当于手心面向N极），大拇指指向导线运动方向，则四指所指方向为导线中感应电流的方向。,补充：,