集成电路设计方法-ch.ppt
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1、第二章 各种设计方法,集成电路的基本知识全定制设计方法半定制设计方法有通道门阵列法门海法 定制设计方法-标准单元法可编程逻辑器件设计方法逻辑单元阵列设计方法,全定制设计方法,首先确定芯片的功能、性能、允许的芯片面积和成本,设计人员要对结构、逻辑、电路等各个层次进行精心的设计,对不同方案进行反复比较,特别要对于影响性能的关键路径做出深入的分析。全定制版图设计的特点是针对每个晶体管进行电路参数和版图优化,以获得最佳的性能(包括速度和功耗)以及最小的芯片面积。利用人机交互式图形编辑系统,由版图设计人员设计版图中各个器件及器件间的连线。对于特殊的元件或连线,版图绘制人员必须需精心设计每一个器件和连线,
2、因而效率很低。,对于具有重复性结构的网络如ROM、RAM、乘法器等,设计人员对这些网络中的不同单元进行精心的人工设计,然后利用人机交互图形系统具有的强有力的重复或形成矩阵的功能得到整个网络的版图,设计相应的外围电路、输入/输出接口,完成整个设计。在版图设计阶段,除了要有人机交互图形编藐辑系统支持外,还要求有完整的检查和验证工具。这些工具包括设计规则检查、电学规则检查、连接性检查、版图参数提取、电路图提取、版图与电路图一致性检查等。,门阵列是一种最典型、应用最早、应用最广泛的半定制设计方法采用门阵列方法时,集成电路制造厂家首先设计制造出由许多相同的、有规则排列且相互间没有连接起来的单元电路组成的
3、半成品芯片,称之为“母片”。然后,IC生产厂家按照用户的要求,进行结构和逻辑设计,通过合适的掩膜确定管芯的金属化层,将母片上的各单元电路连接起来,形成具有指定功能的数字系统。门阵列管芯是有规则排列的晶体管或其它元件,通用的输入输出(I/O)单元以及有关焊接点的集合门阵列的特点是具有大量的潜在内部连接点,保证了设计者能采用不同的元件互连方案来完成电路设计,门阵列定义,门阵列的结构,门阵列具有许多不同的结构主要包括三种基本结构(1)块单元方法每个单元以有规则的间距按二维矩阵排列单元之间的空隙用作单元内部连接的通道,这些通道分为垂直通道和水平通道(2)行单元方法在这种情况下,各个单元背靠背地沿水平方
4、向或垂直方向排列,行与行或列与列之间留有较宽的间隙,用作单元之间的内部连接通道(3)邻接单元法这里,每个单元紧密邻接,相互间不预留布线通道各单元间的相互连接是通过利用单元内部预留的空隙以及芯片上未加以利用的单元来实现的,在设计各单元的结构时应作到这一点,半定制设计方法-有通道门阵列法,定义:门阵列是在一个芯片上把门或单元(含有若干个器件)排列成阵列形式,单元被排列成行,行与行之间留有作为连线用的通道区,通道的高度是固定的。“有通道门阵列”通道门阵列的基片结构,有通道门阵列法,定义:门阵列是在一个芯片上把门或单元(含有若干个器件)排列成阵列形式,单元被排列成行,行与行之间留有作为连线用的通道区,
5、通道的高度是固定的。“有通道门阵列”单元:门阵列中的各个单元是完全相同的。每个单元含有若干器件,通过连接单元内的器件使每个单元实现某类门的功能,再通过各单元之间的连接实现电路的设计要求。布线通道:为了保证单元之间的布线具有100的布通率,希望有较宽的通道,但这会导致无用的走线区域,因而浪费硅面积。连线:如果门阵列允许有双层金属连线,则两层金属之间通过“通孔”(via)相连;如果只允许单层金属连线,当垂直线段为金属时,则水平线段必须采用多晶硅。,I/O或压焊块:门阵列的另一特点是在它的基片四周,布有固定数目的输入/输出单元和压焊块。宏单元:对于一些标准的逻辑单元,如“与非”门、“或非”门、触发器
6、等,可事先将若干个单元用确定的连线构成这些标准单元,即宏单元 由于芯片内的各单元是相同的,通道尺寸是固定的,输入/输出单元和压焊块的形状和数目也是相同的,因此可以采用统一的掩膜版,并可完成连线以外的所有的芯片加工工序(也就是金属化以前的所有工序),这种经加工后的芯片可以储存起来,在需要时,从中取出一部分加以“单独处理”。,所谓“单独处理”就是根据网络的要求,考虑如何进行门的布局和门之间的连线。这时就需要单独设计和制作用于接触孔和连线的掩膜版。对于单层布线工艺,需再设计制作两块掩膜图21 通道门阵列的基片结构门阵列芯片制造商为适应不同规模电路的要求,设计和制造不同尺寸(不同基本单元数目、I/O数
7、目和压焊块数目)的基片供用户选择。对于同一系列内的所有门阵列芯片,其内部栅格结构(grid system)是完全相同的,因此对于同一系列,把一种芯片上的设计转移到另一中芯片上是非常容易的。,不同规模的门阵列芯片(LL7000系列),典型的CMOS单元结构包含两对或三对共栅或不共栅的P型晶体管和N型晶体管,下图为共栅的四管单元结构示意图。,TTL门阵列的单元结构示意图,它是一个4输入端的单元,由3个晶体管(其中一个为多发射极晶体管)和5个电阻组成。通过改变单元内的金属连线,可构成低功耗门、高功耗门、图腾输出门和扩展器等。,每一门阵列的内部结构都对应于一个栅格结构图,单层金属布线的栅格结构图,此结
8、构中的基本单元采用六管单元,其特点为:属于六管单元单元上部和单元之间的宽多晶硅条用作地道(underpass)。黑点表示允许进行布线的布线通道。方块表示接触孔(包括源漏区内的和多晶硅条上的接触孔)。电源端VDD和电源地端VSS在布线时,除了按电路要求某连线需要与某一方块(接触孔)相连外,其它连线必须绕过方块,这时此方块就“障碍”。此结构中,每组单元和多晶硅地道含有21条垂直通道,其中12条在垂直布线时是不受限制,即不会遇到“障碍”的,另外9条则是有限制的。同一系列内各品种的栅格结构是相同的,即点与点之间、方块与方块之间的间隔是相同的。电源线、地线宽度与位置也是相同的;对不同品种,指的是栅格结构
9、图的大小不同。,宏单元:有了栅格结构就很容易设计出各种类型的宏单元。宏单元也就是完成某种功能元件所需的内连图形。宏单元库一般包括标准的SSI,MSI,LSI功能块。宏单元可以小至一个逻辑门,也可以复杂到一整个芯片作为宏单元,3输入“与非”门原理图与宏单元,VSS VDD,3输入“与非”门原理图与宏单元,VSS VDD,3输入“或非”门原理图与宏单元,VSS VDD,单传输门及与传输门对,对于一个6管单元,可以在一个单元内放置一个2输入“与非”门(“或非”和一个反相器,但必须采用“电源连接”技术将这两个器件隔离。图(b)是正确的连接图形,2输入“与非”的输出端E和反相器输出端B从不同处引出;而图
10、(a)中的PTM既是B的输出,也是E的输出,显然是错误的连接。,“电源连接”隔离技术,“虚假”晶体管效应,在门阵列设计中,当单元之间的连线太拥挤而没有多余的连线通道可利用时,有时不得不将单元中的一根栅作为连线。这根栅的作用仅仅用作通路,但如果不作恰当处理,就会产生“虚假”晶体管效应 用作连线的栅和用作“与非”门的晶体管存在共享的源区/漏区,当共享源区/漏区不接Vss和Vdd;这时用作连线的栅就会对共享源/漏区上的电平做出控制,这就是所谓的“虚假”晶体管效应 在两个独立的元件之间采用“电源连接”技术可防止“虚假”晶体管(phanton transistors)效应。如图(b)所示,当A变高时,不
11、管B和C端的状态是什么,M点将变低而,因此这种连接是错误的。如图(c)所示那样的连接,即共享区接Vss,则由A作为栅的N沟晶体管处于截止状态,但由A作为栅的P沟晶体管仍处于不定状态。如图(d)所示那样的连接,即共享区既接Vss,又接Vdd,这时N沟和P沟晶体管都处于截止状态。,“虚假”晶体管效应及消除,4输入端逻辑门,对于4输入端逻辑门,获得第四对晶体管的方法是从另一单元中取得(在同一列中)。对于采用氧化隔离的门阵列,相邻两个单元间是自动被隔离的,因而不必考虑相邻单元栅上电压所带来的影响,但在本单元内仍应采取“电源连接”措施以防止“虚假”晶体管效应的产生,由传输门组成的“异或”门,图为“异或”
12、门的逻辑图及对应的版图结构。它除了占有一个单元外,部分还占有同一列上的上下两个单元。具有输入信号B的反相器和具有控制信号A的反相器分别处于上下两个单元,B和/B分别连到传输门对的源/漏区,而A和/A分别连到晶体管的栅输入,单元数的计算方法,在CMOS和ECL门阵列中,通常用单元数(cell count)来计算,而在TTL门阵列中,则用晶体管数(transistor count)来计算。门阵列芯片的规模通常用有多少个“等效2输入门”表述。这里的2输入门是指“与非”或者“或非”门。通常一个2输入“与非”门和一个2输入“或非”门所需的单元数相同。下表列出了以3输入端CMOS门阵列单元为基础的各类逻辑
13、门和电路所需的单元数。,典型的门阵列设计流程,用户提出逻辑图及一组测试矢量,先验证逻辑功能是否正确。将该逻辑图转换成相应的宏单元,并进行布图前的逻辑模拟。在模拟完成后,选择合适的门阵列基片完成初始的布局,必要时对逻辑图作适当修改,以找到一个可接受的方案。接着进行最终的自动布局和自动布线。然后,进行一次考虑了所有寄生参数后的逻辑模拟,常称为“布图后”模拟。在用户认可后,产生图形发生器或电子束制版设备所需的控制文件。最后加工掩膜版并制造芯片。,门阵列法优缺点分析,门阵列法的优点它采用相同尺寸的基本单元和I/O单元,并完成了连线以外的所有加工工序。需要定制的掩膜版只有两块或四块。设计所要完成的工作是
14、根据电路要求选择相应的宏单元,进行自动布局和自动布线。设计周期大大缩短,成本也大大下降。当工艺改变或单元结构需要变化时,只需作较少的修改,CAD软件不需更换,因而原始投资较低。即使芯片的产量很低,如只需几百或几千块芯片时,其价格也在可接受的范围内。这些优点是门阵列在各个应用领域中得到迅速推广的重要原因。,门阵列法存在的固有弱点:第一,单元内的晶体管可能无用,如采用4管基本单元来实现时,会有明显的面积浪费。第二,当基片上所提供的连线通道已被全部用完,或I/O单元及压焊块全部用完后,即使有多余的门也无法再利用。第三,为了保证布线的布通率,一般在选择门阵基片时总是使基片的晶体管数大于实际电路所需的晶
15、体管数,因而造成基片上有相当一部分晶体管实际无用,晶体管利用率通常低于80。第四,利用自动布局布线程序进行布图时,并不能保证100的布线布通率(单层金属布线),这时需要进行人工干预,常常需要花费大量的时间。第五,基本单元中的晶体管尺寸,由于要适应各种不同的要求,一般设计得较大,因而相对于其它方法,门阵列的面积较大,速率较低,功耗较大。由于晶体管尺寸是固定不变的,没有可能因负载、扇出的具体情况而实现特殊设计,因而难以保证门延迟的均匀性。第六,由于单元之间存在很宽的布线通道,因而无法实现像ROM,RAM等这类规则结构的电路。,半定制设计方法-门海法,为了克服常规门阵的门利用率较低的缺点,1982年
16、有人提出了门海(sea of gates)概念,它标志着第二代门阵技术的开始。门海技术特点:由一对不共栅的P管和N管组成的基本单元铺满整个芯片(除I/O区外),基本单元之间无氧化隔离区,宏单元之间采用栅隔离技术,无事先确定的布线通道区,宏单元之间的连线将在无用的有效器件区上进行。,基本单元与栅隔离,一个基本单元由一对不共栅的P管和N管构成,各晶体管对相互紧挨而形成P型晶体管链和N型晶体管链。栅和源/漏区留有接触孔或通孔的位置,但是否开孔将视具体电路的要求而定,因此连线孔是“可编程”的。宏单元之间是通过正常的晶体管实现隔离的,作隔离用的晶体管的栅分别接Vdd(对P型管)和GND(对N型管),这样
17、隔离管就处于截止状态,使相邻宏单元在电学上隔离。这种隔离只在需要时才采用,因而门海结构中没有无用的基本单元。对于越复杂的功能元件,就可以节约更多的晶体管。如果相邻两个宏单元共有同一个源/漏区,且分别接Vdd和GND,这时甚至可以不用栅隔离.,门海的基本单元链,下表列出栅隔离门海结构与常规氧化隔离门结构(4管单元)所占面积的比较。表中的单元宽度是归一为垂直方向金属连线的间隔。可以看出,栅隔离的门海结构比起氧化隔离的常规门阵结构,在面积上可节约50左右。,栅隔离与氧化隔离的比较,宏单元与栅隔离的实例,左半部为反相器与一个2输入端“或非”门,它们之间不需隔离,因共用源/漏区分别接Vdd和GND。它们
18、的两边分别采用隔离管进行栅隔离。右半部为一时钟式移位寄存器,移位寄存器内部各元件间不需要栅隔离,而只是在外部与其它部件进行隔离。,走线区域的“可编程”,除了连线孔是“可编程”外,走线区域也是“可编程”的,这是门海技术的一大特点。对于门海基片,因无事先确定的布线通道区域,而是根据电路布局布线的需要,把一行或几行基本单元链改为无用器件区。其办法是在工艺上保留介质层,无用器件区内无接触孔及通孔存在。宏单元之间的连线将在该区的顶部进行,连线与无用器件之间由厚介质层隔离。门海设计软件将决定哪些行用于实现逻辑,哪些行用于连线,这种走线灵活性大,大提高了硅面积的利用率,也保证了100的布通率。同时还可在门海
19、基片的局部区域实现ROM/RAM等规则逻辑电路。,假如每个基本单元行可以容纳15根走线道,由于用于连线的走线区域只能是一个单元行或几个单元行,因此在每一走线通道行中的走线道数只能是15的整倍数(15,30,45,)。如果要求某一走线区域需通过16根走线道,则不得不分配两个基本单元行走线,但这时在该走线通道行中会有14根走线道没有被利用。提高走线道利用率的一种途径是缩小晶体管的宽度,这样在走线通道中可以允许的走线道数减小,导致走线道的增量数减小。但是晶体管宽度的减小会给复杂宏单元的内部连接带来困难,甚至无法实现全部的连接。此外,减小晶体管的宽度会影响门的驱动能力,通常,宏单元是沿着基本单元的行方
20、向扩展,直至对该宏单元来说已具有足够的晶体管数目时为止,因而称其为行式宏单元。对于这种行式宏单元结构。在走线区域中并不是所有的走线道都被充分利用了。,“可编程”走线区域,门海设计流程,特点:与常规门阵列设计相比,在全局布线过程前,需进行布线通道分配,即计算所需的布线道数,即确定应取多少行或在什么区域用于走线 优点:门的利用率较高、集成密度较大;布线灵活和保证布线布通率确;能实现存储器这类等规则电路。缺点:它仍有布线通道,而且增加的布线通道只能是基本单元高度内所含通道数的整倍数,使增加的通道数超过实际的需要,造成面积浪费;布线通道下的晶体管不能再用来实现;因此门的利用率仍不很高。,定制设计方法
21、标准单元法,标准单元法是库单元设计方法中的一种。标准单元法的特点是各个单元具有同一高度(指版图尺寸),但宽度不等;单元本身经过精心设计,并完成了设计规则检查和电学性能验证。设计好的各单元存入设计系统的物理单元库中以便调用,单元的逻辑符号及电学特性则存入逻辑库中;设计时将所需单元从单元库中调出,将其排列成若干行,行间留有布线通道。然后根各要求将各单元用连线联接起来,同时把相应的输入/输出单元和压焊块联结起来,就得到所需要的芯片版图;芯片主要包括3个区域:四周的I/O单元和压焊块;单元部分;布线通道。由于准单元本身的信号端都引到单元的上下两端,因此单元之间的连线都处在布线通道内。,特点:准单元法的
22、布局和布线是自动进行的。设计人员只要输入被设计电路的逻辑图或输入一种电路描述文件,再输入压焊块的排列次序;标准单元法自动设计系统将调用所需的单元和相应的I/O单元及压焊块,进行自动布局和自动布线。在布局和布线过程中,布线通道的高度由设计系统根据需要加以调整,当布线发生困难时,将通道间距适当加大,因而布局布线是在一种不太受约束的条件下进行的,可以保证100的布线布通率。对于标准单元法,虽然每个被调用的单元都是事先设计好的,但制造芯片时的各层掩膜版则需要根据布图结果进行专门的加工定制,即不同的电路需要一套完整的不同层的掩膜版,因而无法事先完成部分加工工序。,准单元的示意图 标准单元法的典型版图布置
23、,单元库,单元库中每个单元都各具有3种描述形式:1)单元的逻辑符号(以L为特征);单元的逻辑符号用以建立逻辑图。(2)单元的拓扑版图(以O为特征);单元的拓扑版图描述单元掩膜版图的外形尺寸、输入输出端口的位置及其宽度。在拓扑版图上除标有单元名外,还有输入输出端口名和控制端口名,其名称与逻辑符号中的名称完全一致。(3)单元的掩膜版图(以A为特征);完整的物理版图,反相器的逻辑符号、拓扑版图和掩膜版图,反相器的逻辑符号、电路图和掩膜版图,在不同的设计阶段,标准单元法自动设计系统将分别调用单元库中的上述3种描述形式。在逻辑图输入时,调用相应的逻辑符号并进行连接。在设计实现阶段,开始只调用单元的拓扑版
24、图,因为它的引入会大大压缩数据的处理量,并有助于设计人员的直观检查。设计人员不需要详细了解单元内部版图的细节,而只掌握单元的主要特征。经自动布局布线得到的是芯片的拓扑版图,在加工制造之前,它需要经过一次转换,将拓扑形式转换成掩膜形式,得到需要的掩膜版图,进行掩膜版的定制,进而加工芯片。,调用不同描述形式的各设计阶段,单元库,单元库一般包括SSI/MSI逻辑单元,从“与非”门、“或非”门到触发器、锁存器和移位寄存器等;规模较大的单元有加法器、乘法器、除法器、算术运算单元、FIFO等。一个典型的单元库除了数字功能块外,还可包括若干模拟功能块。在单元库中,同一功能的单元有几种不同的型号供设计者选择。
25、以反相器为例,有输入级、内部级、缓冲级和输出级之分。其它功能块也是如此,这样在逻辑图转换成标准单元电路图时有较大的灵活性,典型单元库的组成,单元设计,单元在版图上的排列有两种形式。一种是单一单元排列成行,这时I/O 为双边输入/输出,每个I/O端口在单元的上部和下部有两个电学上完全对应的端口;另一种为双单元背靠背排列成行,这时每个I/O端口只能单边输入/输出。在单层布线时,需要一种特殊的单元称为连线单元,其高度与其它标准单元相同,当需要在两个布线通道之间穿过一根连线时,就从库中调用它,并插入标准单元行中,然后把连线接到连线单元的上下两个端口,连线单元就起到了连线的作用。,单元在版图上的排列形式
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