计算机组装实训存储器.ppt
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1、第 4 章 存储器,第 4 章 存储器,计算机的工作过程就是在程序的控制下对数据信息进行加工处理的过程。因此,计算机中必须有存放程序和数据的元器件,这个元器件就是人们所说的存储器,它是计算机的重要组成部分。存储器分为内存储器(简称内存)和外存储器(简称外存)。内存储器由半导体芯片组成,依赖于外来供电维持信息的保存状态。外存储器通常是磁性介质(软盘、硬盘、磁带)或光盘,能长期保存信息,并且不依赖于外来供电维持信息的保存状态。,第 4 章 存储器,知识目标:熟悉内存的分类、DDR内存的结构;熟悉硬盘的接口、组成、主要参数;掌握光存储设备的结构,光盘驱动器的分类;了解CD-ROM驱动器、CD-RW驱
2、动器、DVD-ROM驱 动器、Combo驱动器、DVD刻录机等光存储设备的性 能参数、工作原理;掌握光盘的类型、规格,数据的存放格式;,第 4 章 存储器,技能目标:能够根据识别常见内存上的标识;能够根据内存选购原则为不同主板机型选购内存;能够掌握CD-ROM驱动器、CD-RW驱动器、DVD-ROM驱动器、Combo驱动器、DVD刻录机等光存储设备的选购要点;能够选购CD-R盘片;能够使用测试软件对内存、硬盘等进行测试。,4.1 存储器概述,计算机的工作过程就是在程序的控制下对数据信息进行加工处理的过程。因此,计算机中必须有存放程序和数据的元器件,这个元器件就是人们所说的存储器,它是计算机的重
3、要组成部分。4.1.1 计算机存储结构 根据存储器的存储容量、存取速度和存储成本等指标,计算机通常采用多级存储结构,如图4.1所示。,4.1 存储器概述,从图4.1中可以看出,计算机的存储采用三级结构,离CPU最近的采用Cache存储器,第二级采用动态随机存储器,第三级采用外存储器。三级存储结构能有效地解决存储容量、存储成本和存储速度之间的矛盾,三者之间的关系如图4.2所示。从图4.2中可以看出,磁盘、磁带、光盘和闪存的容量大、成本低,但存取速度慢,主要用于外存,又称辅助存储器,常见外存有硬盘、软盘(已经被淘汰)、CD-ROM、磁带和U盘(属于半导体存储器)等,能长期保存信息,并且不依赖于外来
4、供电维持信息的保存状态。,4.1 存储器概述,4.1 存储器概述,Cache存储器属于半导体存储器,存取速度快,但容量相对较小,价格贵。主存采用动态随机存储器,其存取速度比Cache慢,但比外存储器快,俗称内存,内存储器由半导体芯片组成,依赖于外来供电维持信息的保存状态。4.1.2 半导体存储器分类半导体存储器是利用半导体作为存储单元的存储器。半导体存储器分为ROM(Read Only Memory,只读存储器)和RAM(Random Access Momory,随机存取存储器),而RAM又分为DRAM(Dynamic RAM,动态随机存取存储器)和SRAM(Static RAM,静态随机存取
5、存储器)。,4.1 存储器概述,其中SRAM主要用于Cache,DRAM主要用于主存(俗称内存),而ROM用于非频繁存取的场所。,4.2 内存,内存储器是CPU可直接进行访问的存储器。内存作为计算机硬件的必要组成部分之一,其地位越来越重要,内存的容量与性能也已成为衡量微机整体性能的一个决定性因素。微型计算机的内存储器由于采用大规模及超大规模集成电路工艺制造,所以具有密度大、体积小、重量轻、存取速度快等特点。4.2.1 内存的分类按内存在计算机内的用途分为主存储器(Main Memory,简称主存)和辅助存储器(Auxiliary Memory,简称辅存)。平时所说的内存容量是指主存储器的容量。
6、内存实质上是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存在计算机系统中具,4.2 内存,有非常重要的作用,是CPU与硬盘之间数据交换的桥梁,是数据传输过程中的一个寄存纽带。内存的主要功能是存放各种输入、输出数据和中间结果以及与外部存储器交换数据时作缓冲用。1.按内存的工作原理分类内存泛指计算机系统中存放数据和指令的半导体存储单元,包括RAM(Random Access Memory,随机存储器)、ROM(Read Only Memory,只读存储器)、Cache(高速缓冲存储器)等。按内存的工作原理可分为ROM和RAM。这两种基本类型的内存,分别用于不同的用途。,4.2 内存,(1
7、)ROM。ROM是只能读取,不能随意修改或删除内容的一种存储器,其中的内容也不会因为掉电而丢失。ROM主要用来存放固定不变的控制计算机系统的程序和参数表,也用于存放常驻内存的监控程序和部分引导程序。人们通常所说的BIOS(基本输入输出系统)就存放在ROM中。根据ROM中的信息存储方法,可把ROM分为以下几类:普通ROM或称掩膜ROM:这种ROM中的信息是在芯片制造时由生产厂家写入的,其中的内容一经写入就不能再被更改。这种ROM又可分为MOS型和双极型两种。MOS型功耗小,但速度较慢;双极型速度较快但功耗大。,4.2 内存,一次可编程只读存储器PROM(Programming ROM):PROM
8、出厂时里面没有被写入信息,允许用户采用特定的设备将编好的程序固化在PROM中,和普通ROM一样,PROM中的内容一旦写入也就不能再更改了。多次改写可擦除可编程只读存储器这类ROM有以下三种:可擦编程只读存储器EPROM(Erasable Programmable ROM):其内容可通过紫外线擦除,因此可多次改写。EPROM芯片上有一个透明窗口,可通过写入器向芯片内写入内容,写入后便用不透明的标签将其贴住。,4.2 内存,如果要擦除EPROM中的内容,可揭掉标签,用紫外线照射EPROM的窗口,EPROM中的内容就会丢失,但操作不方便,因为EPROM擦除时一般要用紫外线连续照射30分钟左右,才能擦
9、除原来的内容。电可擦除可编程只读存储器EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM):其内容可通过加电擦除,因此也可多次改写,且操作方便,用户可用一般微机重新写入新的内容,但写入电压较低,易被误改写。闪速存储器Flash Memory:其本质也属于EEPROM,但改写电压较高,使用安全可靠,且速度快功耗低,所以586以上微机的主板上均采用Flash,4.2 内存,ROM BIOS,使得BIOS升级非常方便。Flash Memory另一个用途是可用作固态大容量存储器,如各种闪盘等就是使用Flash芯片作存储介质的。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。
10、硬盘虽有容量大和价格低的优点,但它是机电设备,有机械磨损,可靠性和耐用性相对较差,抗冲击、抗振动能力弱,功耗大。因此,计算机界一直在研究取代硬盘的介质。随着Flash Memory集成度的不断提高,价格逐渐降低,使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。(2)RAM。RAM就是平常所说的内存。在系统运行时,RAM将计算机将所需的指令和数据从外部存储器(如硬盘、软盘、光盘等)调入内存中,CPU再从RAM,4.2 内存,中读取指令或数据进行运算,并将运算结果存入RAM中。RAM的存储单元根据需要可以读出,也可以写入或改写。RAM只能用于暂时存放程序和数据,一旦关闭电源或发生断电,其中的数据就会丢失。
11、现在的RAM多为MOS型半导体电路,根据其制造原理不同,随机存储器RAM又分为静态随机存贮器SRAM(Static RAM)和动态随机存贮器DRAM(Dynamic RAM)两种。现在所说的内存主要是指随机存储器(RAM)。SRAM(Static RAM,静态随机存储器)。SRAM曾经是一种主要的内存,其存储单元的基本结构是一个双稳态电路,由于读、写的转换由写电路控制,所以只,4.2 内存,要写电路不工作,且电路有电,其开关元件的状态就保持不变,不需要电流刷新,因此SRAM称为静态RAM。SRAM的读写速度很快。现在SRAM用在CPU的一级、二级缓存上。另外,SRAM还用在数字移动电话和路由器
12、中。DRAM(Dynamic RAM,动态随机存储器)。DRAM比SRAM速度慢,但比SRAM便宜,在容量上也可以做得更大,体积也更小,所以主存都使用DRAM。另外DRAM还用在显卡、声卡、硬盘等设备中,充当设备缓存。一个DRAM单元由一个晶体管和一个小电容组成,DRAM的晶体管通过小电容的电压来保持断开、接通的,4.2 内存,状态,当小电容有电时,晶体管接通表示1;当小电容没电时,晶体管断开表示0。而电容的放电特性却使充电后小电容上的电荷很快就会丢失,因此需要不断地对其进行充电,也就是所谓“刷新”。所谓的内存具有多少纳秒(ns),就是指它的刷新时间。由于电容的充、放电需要时间,所以DRAM的
13、读写速度远远低于SRAM,但由于它结构简单,一个存储单元所用的晶体管数仅是SRAM的四分之一,实际生产时集成度很高,成本大大低于SRAM,适合作大容量存储器,所以主内存通常采用DRAM,只有高速缓冲存储器(Cache)才使用SRAM。,4.2 内存,另外,DRAM还用于显示卡、声卡、硬盘等设备中,充当设备缓存。根据内存的访问方式DRAM又分为两种:同步内存和异步内存。区分的标准是看它们能不能和系统时钟同步,在SDRAM之前的EDO内存采用的存取方式是通过内存控制电路(在主板的芯片组中,一般在北桥芯片组中)发出行地址选择信号(RAS)和列地址选择信号(CAS)来指定哪一块存储体将被访问。当系统的
14、速度逐渐增加,特别是超过66MHz以后,EDO内存的速度就显得太慢了,CPU总要等待内存的数据,严重影响了性能,内存成了一个很大的瓶颈。因此出现了与系统时钟频率同步的DRAM。,4.2 内存,2.按内存的外观分类目前计算机配备的DRAM主要有两种形式。(1)双列直插内存芯片。双列直插封装(Double Inline Package,DIP)内存芯片是一种含有若干个引脚的半导体芯片。一片芯片的容量一般为64Kbit、256Kbit、1024Kbit或10244Kbit。因为DIP芯片容量小,需要数量相对较多,占了主板很大的空间,不便于内存的扩充,并且拆装也不方便。DIP芯片一般用于286以下的微
15、机,现在微机上只有在显示卡、硬盘等部件上才能见到它们。如图4.3所示。,4.2 内存,(2)内存模块(内存条)。内存模块(Memory Module)也称内存条、内存。内存条是把多片存储器芯片、电容、电阻等元器件焊在一小条印刷电路板上,组装起来合成一个内存模组(RAM Module)而形成的一种条形存储器。它大大节省了主板空间并增强了配置的灵活性,现在的主板多采用内存条结构。,图4.3 DIP内存芯片,4.2 内存,内存条的针脚数称为内存条线数,按线数不同可把内存条分为30线内存条、72线内存条、168线SDRAM内存条、184线DDR内存条、240线DDR2/3内存条。内存条主要有两种接口标
16、准,即早期的SIMM(Single-In Line Memory Module,单边接触内存模组)和现在的DIMM(Dual In-Line Memory Module,双边接触内存模组)。SIMM是486及其较早的PC机中常用的内存接口方式,一般30线、72线。DIMM接口内存的插板两边都有数据接口触片,这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中,通常为84针,但由于是双边的,所以一共有842=168线,,4.2 内存,而人们把这种内存称为168线内存。目前240线DDR2内存条为主流产品,30线和72线的内存条已不再生产。DDR 3 RDRAM也为240线。3.按内存的技术标准分类根据内存
17、条的不同技术标准(如数据传输率、存取时间、潜伏期、制造技术、操作程序等),DRAM又可以分为不同的类型,主要有以下几种:(1)FPM DRAM内存条。FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM,快速翻页动态存储器)在386时代很流行,如图4.4所示。它的刷新频率每秒钟可达几百次,由于FPM使用同一电路来存取数据,所以它每隔3个时钟脉冲周期才传送一次数据,这导致了它的存取速度并,4.2 内存,不快,基本都在60ns以上。另外,在FPM DRAM中,由于存储地址空间是按页排列的,所以当访问某一页面时,切换到另一页面还会占用CPU额外的时钟周期,FPM DRAM内存使用30针脚。,4.
18、2 内存,(2)EDO DRAM内存条。EDO DRAM(Extended Date Out DRAM,扩展数据输出动态存储器)主要流行在486以及早期的奔腾电脑上,如图4.5所示,EDO DRAM内存使用72针 图4.4 FPM RAM 内存脚。EDO-RAM同FP DRAM相似,但它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔,每隔两个时钟周期传输一次数据,在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面,大大地缩短了存取时间,故而速度要比普通DRAM快15%30%,速度可达到60ns。,4.2 内存,(3)SDRAM 内存条。SDRAM(Synchronous DRAM,同步动态
19、随机存储器)是PentiumII/III使用的一种内存类型,如图4.6所示。顾名思义,其工作速度与系统总线速度是同步的。SDRAM按标准运行工作频率分为PC66、PC100和PC133三大标准,这里的66、100及133就是指系统总线频率,即PC100内存最适用于系统总线为100MHz的计算机中,而PC133则最适用于系统总线为133MHz的计算机中。,4.2 内存,SDRAM内存访问采用突发(burst)模式,它的原理是SDRAM在原标准动态存储器中加入同步控制逻辑元件,利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统性能,还能简化设计、提供高速的数据传输。在
20、功能上,它类似常规的DRAM,也需不断进行刷新。可以说,SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。采用并列数据传输方式。(4)DDR SDRAM内存条。DDR是“Double Data Rate SDRAM”(双倍数据速率的SDRAM内存)的缩写,DDR内存条用在Pentium4级别的计算机上,DDR内存使用184针脚,非对称设计,工作电压为1.8V。常见容量有128MB、256MB、512MB、1GB等.,4.2 内存,如图4.7所示为一块KingBox 1GB400内存条。DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术,DDR,英文原意为“DoubleDataRate”,即双数据传输模式。之所
21、以称其为“双”,也就意味着有“单”,我们日常,4.2 内存,所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”,这种内存的特性是在一个内存时钟周期中,在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写),而DDR则引用了一种新的设计,其在一个内存时钟周期中,在方波上升沿时进行一次操作,在方波的下降沿时也做一次操作,之所以在一个时钟周期中,DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务,所以理论上同速率的DDR内存与SDRAM内存相比,性能要超出一倍,可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDRAM。DDR内存在系统时钟的上升沿及下降沿都传输数据。因此,在相同的系统频率下,数据传输速率(也称等效频率)是
22、SDRAM,4.2 内存,的两倍,所以在标识上采用了“数据传输频率时钟频率2”的方法。如DDR的传输频率为200MHz,时钟频率为100MHz。常见DDR SDRAM性能如表4-1所示。表4-2 常见DDR2 SDRAM性能,4.2 内存,(7)DDR3 SDRAM内存条。DDR3 SDRAM内存条用在Intel Core 2级别的P35芯片组的计算机上。DDR3内存条用240个引脚、工作电压为1.5V、起始传输频率为1066MHz.但DDR3针脚隔断槽口与DDR2不同,DDR3内存左右两侧安装卡口与DDR2不同。常见的容量有1MB、2GB、4GB等,如图4.10所示为一条威刚(A-DATA)
23、DDR3 DDR3-1066 1G内存条。,4.2 内存,4.2.2 内存的单位和性能指标1.内存的单位存储器是具有“记忆”功能的电子器件,它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”,这种器件称为记忆元件或记忆单元。2.内存的性能指标(1)容量。每个时期内存条的容量都分为多种规格,168线SDRAM内存条常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB甚至1GB,单条DDR和DDR2/3内存条常见的内存容量为128MB、256MB、512MB、1GB、2GB和4GB等几种。,4.2 内存,(2)内存电压。内存能稳定工作时的电压叫内存电压。(3)内存速度。
24、内存主频和CPU主频一样,习惯上被用来表示内存的速度,它代表着该内存所能达到的最高工作频率。(4)时钟周期。内存时钟周期代表着内存运行的最大工作频率,一般在内存上标识为“X”。(5)存取时间。代表读取数据所延迟的时间。不同于系统时钟频率,二者之间有着本质的区别。(6)数据宽度和带宽。内存的数据宽度是指内存同时传输数据的位数,以bit为单位。,4.2 内存,(7)内存的“线”数。内存的“线”数是指内存条与主板插接时的接触点数,这些接触点就是“金手指”。(8)SPD(Serial presence Detect)。SPD是1个8针SOIC封装的EEPROM芯片,容量为256字节,型号多为24LC0
25、1B,位置一般处在内存条正面的右侧,里面主要保存了该内存条的相关资料,如容量、厂商、工作速度、电压与行、列地址、带宽及是否具备ECC校验等。(9)奇偶校验(Parity)、非奇偶校验(Non-Parity)。根据内存中是否存在奇偶校验位,又可将DRAM分为非奇偶校验内存和奇偶校验内存。,4.2 内存,(10)ECC(Error Checking and Correcting 错误检查和纠正)。ECC也是在原来的数据位上再外加若干位来实现的。4.2.3 DDR SDRAM 内存的物理结构 下面以一品牌为威刚(A-DATA)的DDR3内存条为例讲述DDR3内存条的结构,如图4.11所示。,4.2
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