计算机组成与结构chap.ppt
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1、第三章存储系统,Department of Computer覃 颖 Tel:6392292Email:,3.1 存储器概述,3.1.1 存储器分类存储器是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。,3.1 存储器概述,3.1.1 存储器分类按存储介质分:半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。,3.1 存储器概述,3.1.1
2、 存储器分类按存储方式分随机存储器:任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间和存储单元的物理位置无关。顺序存储器:只能按某种顺序来存取,存取时间和存储单元的物理位置有关。,3.1 存储器概述,3.1.1 存储器分类按存储器的读写功能分只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的,只能读出而不能写入的半导体存储器。随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的半导体存储器。,3.1 存储器概述,3.1.1 存储器分类按信息的可保存性分非永久记忆的存储器:断电后信息即消失的存储器。永久记忆性存储器:断电后仍能保存信息的存储器。,3.1 存储器概述,3.1.1 存储器分类按在计算机系统中的作用分,
3、根据存储器在计算机系统中所起的作用,可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。,3.1 存储器概述,3.1.2 存储器的分级结构 存储器有三个主要特性:速度、容量和位价(价格/位)。如下的存储器分层结构图可以形象地反映这三个特性之间的关系:,3.1 存储器概述,3.1.2 存储器的分级结构 为解决存储器在速度、容量和成本这三者之间的矛盾,现代计算机几乎都具有缓存主存、主存辅存这两个存储层次,构成缓存、主存、辅存三级存储系统:在主存辅存这一层次的不断发展中,又形成了虚拟存储系统。,3.1 存储器概述,3.1.3 主存储器的技术指标 主存储器的性能指标主要是存储容量、存取时间、存储
4、周期和存储器带宽。,3.1 存储器概述,3.1.3 主存储器的技术指标 存储容量:存储容量是指主存能存放二进制代码的总数,即:存储容量=存储单元的个数 存储字长(字存储单元即存放一个机器字的存储单元,相应的地址称为字地址。一个机器字可以包含数个字节,所以一个存储单元也可包含数个能够单独编址的字节地址。)实际使用中常以字节总数来表示,即:存储容量=存储单元的个数 存储字长/8,3.1 存储器概述,3.1.3 主存储器的技术指标 存储速度:存储速度是由存取时间和存取周期来表示的。存取时间又叫存储器的访问时间(Memory Access Time),它是指启动一次存储器操作(读或写)到完成该操作所需
5、的全部时间,分读出时间和写入时间两种。存取周期(Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的最小间隔时间,通常存取周期大于存取时间。,3.1 存储器概述,3.1.3 主存储器的技术指标 存储器的带宽:它表示每秒从存储器进出信息的最大数量,单位可用字/秒或字节/秒表示。例如:存取周期为500ns,每个存取周期可访问16位,则它的带宽为32M位/秒。,3.2 随机读写存储器,3.2.1 SRAM存储器 基本存储元:基本存储元是组成存储器的基础和核心,它用来存储一位二进制信息0或1。(六管SRAM存储元的电路图及读写操作图),3.2 随机读写存储器,3.2.1 S
6、RAM存储器 SRAM存储器的组成:,(演示),3.2 随机读写存储器,3.2.1 SRAM存储器 地址译码方式:单译码方式的特点是用一根字选择线(字线),直接选中一个存储单元的各位,也称为线选法。(图示)双译码方式的特点是有X、Y两个方向的地址译码,即被选单元是由X、Y两个方向的地址决定的,故也称为重合法。(图示),3.2 随机读写存储器,3.2.1 SRAM存储器 SRAM存储器芯片实例:Intel6116:2K 8位的静态RAM芯片A0A10 地址输入I/O1I/O8 数据输入/输出CE 片选信号OE 三态输出允许信号WE 读写控制:=0写,=1读VCC 电源GND 地线,(演示),3.
7、2 随机读写存储器,3.2.1 SRAM存储器 存储容量的扩展:位扩展法:位扩展是指增加存储字长(示例:由2片2114(1K 4位)芯片组成1K 8位的存储器)字扩展法:字扩展是指增加存储器字的数量(示例:由2片1K 8位的存储芯片组成2K 8位的存储器)字位同时扩展法:字、位扩展是指即增加存储器字的数量,又增加存储字长(示例:由16片1K 1位的存储芯片组成2K 8位的存储器),3.2 随机读写存储器,3.2.1 SRAM存储器 存储器的读、写周期 读周期:读周期与读出时间是两个不同的概念。读出时间是从给出有效地址到外部数据总线上稳定地出现所读出的数据信息所经历的时间。读周期时间则是存储片进
8、行两次连续读操作时所必须间隔的时间,它总是大于或等于读出时间。(图示),3.2 随机读写存储器,3.2.1 SRAM存储器 存储器的读、写周期 写周期:要实现写操作,要求片选CS和写命令WE信号都为低,并且CS信号与WE信号相“与”的宽度至少应为tW。(图示),3.2 随机读写存储器,3.2.2 DRAM存储器 基本存储元四管动态存储元单管动态存储元,3.2 随机读写存储器,3.2.2 DRAM存储器 DRAM存储芯片实例Intel216464K 1位的动态RAM芯片存取时间为150ns/200ns(-15,-20)低功耗,最大275mW每2ms需刷新一次,每次512单元A0A7 地址输入RA
9、S 行地址选通信号CAS 列地址选通信号WE 读写信号:=0写;=1读,3.2 随机读写存储器,3.2.2 DRAM存储器 DRAM的刷新:动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止,这一段时间间隔叫刷新周期。常用的刷新方式有三种,一种是集中式,另一种是分散式,第三种是异步式。,3.2 随机读写存储器,3.2.2 DRAM存储器 DRAM的刷新:集中式刷新:在整个刷新间隔内,前一段时间重复进行读/写周期或维持周期,等到需要进行刷新操作时,便暂停读/写或维持周期,而逐行刷新整个存储器,它适用于高速存储器。(图示)分散式刷新:把存储系
10、统周期tc分为两半,周期前半段时间tm用来读/写操作或维持信息,周期后半段时间tr作为刷新操作时间。这样,每经过128个系统周期时间,整个存储器便全部刷新一遍。(图示)异步式刷新方式:是前两种方式的结合。,3.2 随机读写存储器,3.2.2 DRAM存储器 存储器控制电路:DRAM存储器的刷新需要有硬件电路的支持,包括刷新计数器、刷新/访存裁决、刷新控制逻辑等。这些控制线路形成DRAM控制器,它将CPU的信号变换成适合DRAM片子的信号。,3.2 随机读写存储器,3.2.2 DRAM存储器 存储器控制电路:(1)地址多路开关:刷新时需要提供刷新地址,由多路开关进行选择。(2)刷新定时器:定时电
11、路用来提供刷新请求。(3)刷新地址计数器:只用RAS信号的刷新操作,需要提供刷新地址计数器。(4)仲裁电路:对同时产生的来自CPU的访问存储器的请求和来自刷新定时器的刷新请求的优先权进行裁定。(5)定时发生器:提供行地址选通信号RAS、列地址选通信号CAS和写信号WE。,(演示),3.3 只读存储器和闪速存储器,3.3.1 只读存储器 只读存储器简称ROM,它只能读出,不能写入。它的最大优点是具有不易失性。ROM的分类:根据编程方式不同,ROM通常分为三类:,3.3 只读存储器和闪速存储器,3.3.1 只读存储器 掩模ROM可编程只读存储器PROM(Programmable ROM)可擦除的E
12、PROM(Erasable PROM)电可擦除的E2PROM(Electrically Erasable PROM),3.3 只读存储器和闪速存储器,3.3.2 闪速存储器 闪速存储器是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器,它突破了传统的存储器体系,改善了现有存储器的特性。,3.3 只读存储器和闪速存储器,3.3.2 闪速存储器 闪速存储器的工作原理:闪速存储器是在EPROM功能基础上增加了电路的电擦除和重新编程能力。例如在28F256A中引入一个指令寄存器来实现这种功能。其作用是:(1)保证TTL电平的控制信号输入;(2)在擦除和编程过程中稳定供电;(3)最大限度的与EPROM兼容。,(
13、演示),3.4 cache存储器,3.4.1 cache基本原理 cache是介于CPU和主存之间的小容量存储器,存取速度比主存快。它能高速地向CPU提供指令和数据,加快程序的执行速度。它是为了解决CPU和主存之间速度不匹配而采用的一项重要技术。(演示),3.4 cache存储器,3.4.1 cache基本原理 CPU与cache之间的数据交换是以字为单位,而cache与主存之间的数据交换是以块为单位。一个块由若干定长字组成的。当CPU读取主存中一个字时,便发出此字的内存地址到cache和主存。此时cache控制逻辑依据地址判断此字当前是否在 cache中:若是,此字立即传送给CPU;若非,则
14、用主存读周期把此字从主存读出送到CPU,与此同时,把含有这个字的整个数据块从主存读出送到cache中。由始终管理cache使用情况的硬件逻辑电路来实现LRU替换算法。,(演示),3.4 cache存储器,3.4.1 cache基本原理 cache的命中率:CPU欲读取主存某字时,有两种可能,一是该数已在Cache中,称为CPU访问Cache命中,另一种是不在Cache内,此时需将该数所在的主存整个字块一次调入Cache中,此称为CPU访问Cache不命中,命中率是指CPU要访问的信息已在Cache内的比率。,3.4 cache存储器,3.4.1 cache基本原理 cache的命中率:在一个程
15、序执行期间,设Nc表示cache完成存取的总次数,Nm表示主存完成存取的总次数,h定义为命中率,则有:h=Nc/(Nc+Nm),3.4 cache存储器,3.4.1 cache基本原理 cache的命中率:若tc表示命中时的cache访问时间,tm表示未命中时的主存访问时间,1-h表示未命中率,则cache/主存系统的平均访问时间ta为:ta=htc+(1-h)tm设r=tm/tc表示主存慢于cache的倍率,e表示访问效率,则有:e=tc/ta=1/h+(1-h)r为提高访问效率,命中率h越接近1越好,r值以5至10为宜,不宜太大。命中率h与程序的行为、cache的容量、组织方式、块的大小有
16、关。,(举例),3.4 cache存储器,3.4.2 主存与cache的地址映射 cache的容量很小,它保存的内容只是主存内容的一个子集,且cache与主存的数据交换是以块为单位。所谓地址映射即是应用某种方法把主存地址定位到cache中。址映射方式有全相联方式、直接方式和组相联方式三种。,3.4 cache存储器,3.4.2 主存与cache的地址映射 全相联映射方式:主存中一个块的地址与块的内容一起存于cache的行中,其中块地址存于cache行的标记部分中。这种方法可使主存的一个块直接拷贝到cache中的任意一行上,非常灵活。它的主要缺点是比较器电路难于设计和实现,因此只适合于小容量ca
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