晶体管及放大电路基础.ppt
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1、第二章 晶体管及放大电路基础,2.1 晶体管2.2 共射极放大电路的组成和工作原理2.3 放大电路的静态分析2.4 放大电路的动态分析2.5 静态工作点的选择和稳定2.6 共集电极和共基极放大电路2.7 多级放大电路2.8 放大电路的频率响应,2.1 晶体管,2.1.1 晶体管的结构,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,基区:较薄,掺杂浓度低,集电区:面积较大,发射区:掺杂浓度较高,三个极,三个区,发射结,集电结,两个结,2.1.2 晶体管的电流放大原理,1.三极管放大的条件,内部条件,发射区掺杂浓度高,基区薄且掺杂浓度低,集电结面积大,外部条件,发射结正偏集电结反偏,2.满足放大条件的
2、三种电路,共发射极,共集电极,共基极,实现电路:,3.三极管内部载流子的传输过程,1)发射区向基区注入多子电子,形成发射极电流 IE。,I CN,多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。,IE,少数与空穴复合,形成 IBN。,I BN,基区空穴来源,基极电源提供(IB),集电区少子漂移(ICBO),I CBO,IB,即:,IB=IBN ICBO,2)电子到达基区后,(基区空穴运动因浓度低而忽略),I CN,IE,I BN,I CBO,IB,3)集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 IC,IC,I C=ICN+ICBO,4.三极管的电流分配关系,定义:,其值的大小约为0.90.99。,(1
3、)IC与I E之间的关系:,所以:,三个电极上的电流关系:,IE=IC+IB,(2)共发射极电路的IC与I B之间的关系:,联立以下两式:,得:,所以:,得:,令:,(3)共集电极电路的电流分配关系:,用IB来表示IE,则可得到共集电极电路的电流分配关系:,IE=IC+IB,2.1.3 晶体三极管的特性曲线,一、输入特性,输入回路,输出回路,与二极管特性相似,特性基本重合(电流分配关系确定),特性右移(因集电结开始吸引电子),导通电压 UBE(on),硅管:(0.6 0.8)V,锗管:(0.2 0.4)V,取 0.7 V,取 0.3 V,二、输出特性,截止区:IB 0 IC=ICEO 0条件:
4、两个结反偏,截止区,ICEO,2.放大区:,放大区,截止区,条件:发射结正偏 集电结反偏特点:水平、等间隔,ICEO,3.饱和区:,uCE u BE,uCB=uCE u BE 0,条件:两个结正偏,特点:IC IB,临界饱和时:uCE=uBE,深度饱和时:,0.3 V(硅管),UCE(SAT)=,0.1 V(锗管),放大区,截止区,饱和区,ICEO,输出特性三个区域的特点:,放大区:发射结正偏,集电结反偏。即:IC=IB,且 IC=IB,(2)饱和区:发射结正偏,集电结正偏。即:UCEUBE,IBIC,UCE=UCES 0.3V,(3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。UBE 死区电压,IB=0
5、,IC=ICEO 0,例:=50,USC=12V,RB=70k,RC=6k 当USB=-2V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?,当USB=-2V时:,IB=0,IC=0,IC最大饱和电流:,Q位于截止区,例:=50,USC=12V,RB=70k,RC=6k 当USB=-2V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?,IC ICmax(=2mA),Q位于放大区。,USB=2V时:,USB=5V时:,例:=50,USC=12V,RB=70k,RC=6k 当USB=-2V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?,IC Icmax(=2 mA),Q位于饱和区。(实际上,此时
6、IC和IB 已不是的关系),前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共集接法。,共射直流电流放大倍数:,工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB,相应的集电极电流变化为IC,则交流电流放大倍数为:,1.电流放大倍数和,例:UCE=6V时:IB=40 A,IC=1.5 mA;IB=60 A,IC=2.3 mA。,在以后的计算中,一般作近似处理:=,例2、下面三极管工作在放大区,试判断是硅管还是锗管,是NPN型还是PNP型,并指出三极管的三个极分别是哪一个。,3V,2.3V,6V,NPN型,PNP型,要保证三极管工作在放大
7、区,必须使发射结正偏,集电结反偏。,对NPN型来说,就是必须使UbUe,UbUbUe,对PNP型来说,就是必须使UbUc即:UeUbUc,发射结正偏,所以发射结两端的电压硅管相差0.7V,锗管相差0.20.3V。,-1.2V,-1V,-3V,N,N,P,N,P,P,例:测量三极管三个电极对地电位如图 03.09所示,试判断三极管的工作状态。,例:用数字电压表测得VB=4.5 V、VE=3.8 V、VC=8 V,试判断三极管的工作状态。,放大状态,2.1.4 晶体管的主要参数,1、直流参数,(1)共基极直流电流放大系数,(2)共射极电流放大系数,(3)集电极-基极间反向饱和电流 ICBO,(4)
8、集电极-发射极间反向饱和电流 ICEO,2、交流参数,(1)共基极交流电流放大系数,(2)共射极电流放大系数,(4)集电极-发射极间反向饱和电流 ICEO,3、极限参数,(1)ICM 集电极最大允许电流,超过时 值明显降低。,(2)PCM 集电极最大允许功率损耗,PC=iC uCE。,U(BR)CBO 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。,(3)U(BR)CEO 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。,U(BR)EBO 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。,U(BR)CBO,U(BR)CEO,U(BR)EBO,2.1.5 温度对管子参数的影响,对的影响:温度每增加1度,大约增加(0.
9、51)%对ICBO的影响:温度每增加10度,其值增加一倍。对UBE的影响:温度每增加1度,其绝对值下降22.5mV。,补充内容,半导体三极管的型号(补充)国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管第二位:A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管第三位:X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。,补充:判断三极管工作状态的三种方法。,1)三极管结偏置的判定方法,结,偏置,工作状态,2)三极管电流
10、关系判定法,各极电流,电流关系,工作状态,3)三极管电位判定法,各位,电位,工作状态,共射电路三极管各极电位(对”地”而言)VB和VC和三极管的工作状态(以NPN管为例),即:VCVBVE NPN管 VCVBVE PNP管,注:多数NPN管由Si材料制成,PN结的导通压降一般为0.6-0.7;多数PNP管由Ge材料制成,PN结的导通压降一般为0.2-0.3;VCES:饱和压降,对硅管而言,临界饱和时为0.7,深度饱和时为0.3,2.2 共射极放大电路的组成和工作原理2.2.1 放大电路概述,(1)放大 信号的增强,双口网络,(2)不失真,3层含义:,增益(放大倍数),(3)能量转换 有源电路(
11、器件),放大电路是一个双口网络。从端口特性来研究放大电路,可将其等效成具有某种端口特性的等效电路。,信号源,负载,输入端口特性可以等效为一个输入电阻,输出端口可以根据不同情况等效成不同的电路形式,负载开路时的 电压增益,1.电压放大模型,输入电阻,输出电阻,由输出回路得,则电压增益为,由此可见,即负载的大小会影响增益的大小,要想减小负载的影响,则希望?(考虑改变放大电路的参数),理想情况,另一方面,考虑到输入回路对信号源的衰减,理想,有,要想减小衰减,则希望?,关心输出电流与输入电流的关系,2.电流放大模型,3.互阻放大模型,4.互导放大模型,(2)输入电阻ri,放大电路一定要有前级(信号源)
12、为其提供信号,那么就要从信号源取电流。输入电阻是衡量放大电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大,从其前级取得的电流越小,对前级的影响越小。,(1)电压放大倍数Au,Ui 和Uo 分别是输入和输出电压的有效值。,5、电路的主要参数,(3)输出电阻ro,放大电路对其负载而言,相当于信号源,我们可以将它等效为戴维南等效电路,这个戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。,如何确定电路的输出电阻ro?,步骤:,1.所有的电源置零(将独立源置零,保留受控源)。,2.加压求流法。,方法一:计算。,方法二:测量。,1.测量开路电压。,2.测量接入负载后的输出电压。,步骤:,3.计算。,(4)通频带,通频带:,f
13、bw=fHfL,放大倍数随频率变化曲线,(5)全谐波失真度(p44)(6)动态范围UOPP,符号规定,UA,大写字母、大写下标,表示直流量。,uA,小写字母、大写下标,表示全量。,ua,小写字母、小写下标,表示交流分量。,uA,ua,全量,交流分量,t,UA直流分量,2.2.2 共射极放大电路的组成及其工作原理,三极管放大电路有三种形式,共射放大器,共基放大器,共集放大器,以共射放大器为例讲解工作原理,放大元件iC=iB,工作在放大区,要保证集电结反偏,发射结正偏。,输入,输出,?,参考点,集电极电源,为电路提供能量。并保证集电结反偏。,集电极电阻,将变化的电流转变为变化的电压。,使发射结正偏
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