晶体三极管及其放大电路.ppt
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1、第6章 晶体三极管及其放大电路,第6章 晶体三极管及其放大电路,6.1 晶体三极管 6.2 放大电路的组成和工作原理 6.3 放大电路的分析 6.4 放大电路的三种接法 6.5 电流源电路 6.6 功率放大电路,6.1 晶体三极管,几种常见晶体管的外形,1.晶体管的结构,中功率管,大功率管,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。,发射区:发射载流子集电区:收集载流子基区:传送和控制载流子,6.1 晶体三极管,2.晶体管的类型与符号,扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。,外部条件,发射区比基区重掺杂;基区很薄;集电区面积大,内部条件,6.1.2 晶体管
2、的电流分配与放大作用,6.1.2 晶体管的电流分配与放大作用,扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。,少数载流子的运动,因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区,因基区薄且多子浓度低,使扩散到基区的电子(非平衡少子)中的极少数与空穴复合,因集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区,基区空穴的扩散,7,电流分配:IEIBIC,3个电极的电流关系IEICIB,交流电流放大系数,直流电流放大系数,大表示只要基极电流很小的变化,就可以控制产生集电极电流大的变化,即电流放大作用好。,6.1.2 晶体管的电流分配与放大作用,放大的条件
3、:发射结正向偏置,集电结反向偏置。,NPN型:VCVBVEPNP型:VEVBVC,PNP管IE流进,PNP管IC流出,PNP管IB流出,6.1.2 晶体管的电流分配与放大作用,为什么UCE增大曲线右移?,对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。,为什么像PN结的伏安特性?,为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了?,1.输入特性,发射结电压UBE硅管:0.6V0.7V,锗管:0.2v0.3V,相当于两个并联PN结,更多的电子被集电极收集,iB减小,同样uBE下,曲线右移,大部分电子都被拉过去,6.1.3 晶体管的共射特性曲线,对应于一个IB
4、就有一条iC随uCE变化的曲线。,为什么uCE较小时iC随uCE变化很大?为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线?,饱和区,放大区,截止区,大部分电子都被拉过去,iC不再增加,2.输出特性,截止区:iB=0的曲线下方。iC=ICEO uBE小于死区电压,为了可靠截止,常使得发射结和集电结均反偏。,饱和区,放大区,截止区,放大区:iC平行于uCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏。,饱和区:iC明显受uCE控制的区域,该区域内,uCEUCES(饱和压降)。此时,发射结正偏,集电结正偏。,UCES,硅管UCES0.3V,锗管UCES0.1V,输出特性曲线的三个区域:,晶体管
5、工作在放大状态时,输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB,即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC。,晶体管的三个工作区域,NPN型,PNP型,中间电位为B,B,B,与B脚相差0.6V0.7V为E脚,是硅管;相差0.2V0.3V为E脚,是锗管,E,E,剩下的为C脚,C,C,硅管,锗管,NPN,PNP,【例6.1.3】已知工作在放大区,今测得它们的管脚对地电位如下图所示,试判别三极管的三个管脚,说明是硅管还是锗管?是NPN还是PNP型三极管?,6.1.3 晶体管的共射特性曲线,6.1.4 晶体管的主要参数,A点对应的iC=6mA,iB=40A,1.电流放大系数,估算时,可
6、认为,,故可以混用。,A,3DG6的输出特性,值的求法:,在A点附近找两个uCE相同的点C和D,所以,对应于C点,iC=8.8mA,B=60A;,对应于D点,iC=3.3mA,iB=20A,,iC=8.8-3.3=5.5mA,,iB=60-20=40A,,共射交流电流放大系数,A,3DG6的输出特性,C,D,6.1.4 晶体管的主要参数,2.极间反向电流ICBO、ICEO,ICEO=(1+)ICBO,由图可见,ICEO不单纯是一个PN结的反向电流,所以,大的三极管的温度稳定性较差,ICBO是少数载流子电流,受温度影响很大,ICBO越小越好。,6.1.4 晶体管的主要参数,c-e间击穿电压,最大
7、集电极电流,最大集电极耗散功率,PCMiCuCE,3.极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO,6.1.4 晶体管的主要参数,安全工作区,例如,3DG4的PCM=300mW根据iCuCE=300mW,可以计算出功率损耗线上的点:uCE=5V时iC=60mA;uCE=l0V时iC=30mA;uCE=15V时,iC=20mA;uCE=20V时,iC=l5mA;uCE=30V时,iC=l0mA;uCE=40V时,iCE=7.5mA等等。在输出特性坐标上找出这些点,并将它们连成一条曲线即为最大功率损耗线,如图所示。,3DG4的安全工作区,曲线的左下方均满足此之此PCPCM条件。,6.1.4 晶体管的
8、主要参数,讨论一,由图示特性求出PCM、ICM、U(BR)CEO、。,uCE=1V时的iC就是ICM,U(BR)CEO,6.1.4 晶体管的主要参数,VBB、Rb:使UBE Uon,且有合适的IB。,VCC:使UCEUBE,同时作为负载的能源。,Rc:将iC转换成uCE(uO)。,动态信号作用时:,输入电压ui为零时,晶体管各极的电流、b-e间的电压、管压降称为静态工作点Q,记作IBQ、ICQ(IEQ)、UBEQ、UCEQ。,共射,1.电路的组成及各元件的作用,一、基本共射放大电路的工作原理,6.2 放大电路的组成和工作原理,输出电压必然失真!设置合适的静态工作点,首先要解决失真问题,但Q点几
9、乎影响着所有的动态参数!,为什么放大的对象是动态信号,却要晶体管在信号为零时有合适的直流电流和极间电压?,2.设置静态工作点的必要性,饱和失真,底部失真,截止失真,顶部失真,动态信号驮载在静态之上,与iC变化方向相反,要想不失真,就要在信号的整个周期内保证晶体管始终工作在放大区!,输出和输入反相!,3、基本共射放大电路的波形分析,二、如何组成放大电路,静态工作点合适:合适的直流电源、合适的电路参数。动态信号能够作用于晶体管的输入回路,在负载上能够获得放大了的动态信号。对实用放大电路的要求:共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。,1.组成原则,问题:1.两个电源2.信号源与放大电路不“共
10、地”,共地,且要使信号驮载在静态之上,静态时,,动态时,b-e间电压是uI与VCC的共同作用的结果。,将两个电源合二为一,有直流分量,有交流损失,(1)直接耦合放大电路,2.两种实用放大电路,(2)阻容耦合放大电路,耦合电容的容量应足够大,即对于交流信号近似为短路。其作用是“隔离直流、通过交流”。,静态时,C1、C2上电压?,C1、C2为耦合电容!,2.两种实用放大电路,(2)阻容耦合放大电路,动态时,,uBEuIUBEQ,信号驮载在静态之上。负载上只有交流信号。,讨论:试用PNP型管分别组成直接耦合和阻容耦合共射放大电路。,二、如何组成放大电路,放大电路分析,静态分析,动态分析,确定静态工作
11、点Q(IBQ、ICQ、UCEQ),确定电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro等,静态值是直流,故用直流通路来分析计算,静态值确定后分析信号的传输情况,只考虑电流和电压的交流分量(信号分量),放大电路的分析方法,静态分析的方法,1.估算法2.图解法,动态分析的方法,1.微变等效电路2.图解法,6.3 放大电路的分析,6.3.1 放大电路的直流通路和交流通路,1.直流通路:Us=0,保留Rs;电容开路;电感相当于短路(线圈电阻近似为0)。2.交流通路:大容量电容相当于短路;直流电压源相当于短路(内阻为0)。,直流流过的路径,交流流过的路径,画法:,列晶体管输入、输出回路方程,将UBEQ作为已
12、知条件,令ICQIBQ,可估算出静态工作点Q。,直流通路,1.直流通路,1.直流通路:Us=0,保留Rs;电容开路;电感相当于短路(线圈电阻近似为0),(一)基本共射放大电路的直流通路和交流通路,交流通路,2.交流通路,2.交流通路:大容量电容相当于短路;直流电压源相当于短路(内阻为0),(一)基本共射放大电路的直流通路和交流通路,1.直流通路,1.直流通路:Us=0,保留Rs;电容开路;电感相当于短路(线圈电阻近似为0),(二)阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路,交流通路,2.交流通路,2.交流通路:大容量电容相当于短路;直流电压源相当于短路(内阻为0),(二)阻容耦合单管共射放大
13、电路的直流通路和交流通路,1.用直流通路计算静态值(估算Q点),直流通路,6.3.2 静态分析,当VCCUBEQ时,,UBEQ硅管:0.6V0.7V,锗管:0.2v0.3V,已知:VCC12V,Rc3k Rb600k,100。Q?,列输入回路方程,首先,画出直流通路,在输入回路确定 IBQ,UBEQ,输入回路负载线,2.用图解法确定静态值,IBQ,直流负载线,列输出回路方程(直流负载线),在输出回路确定 ICQ,UCEQ,斜率-1/Rc,2.用图解法确定静态值,减小Rc阻值,Rc1/Rc VCC/Rc 负载线与曲线的交点右移。,电路参数对输出特性上Q点的影响,Rb1/Rb VBB/Rb 静态工
14、作点上移(饱和区)。,uBE(V),iB(A),0,Q,VBB,M,Q2,VBB/Rb,Rb对Q点的影响,Q3,N,Rb 静态工作点下移(截止区)。,电路参数对输出特性上Q点的影响,1.微变等效电路法,放大电路的微变等效电路,就是把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路,即把晶体管线性化,等效为一个线性元件。,a.晶体管的微变等效电路,动态分析(Au、Ri、Ro),当输入信号比较小时,二极管可以进一步用它的小信号电路模型代替,其微变电阻rbe,在共发射极连接时,其一般电路模型可由图(b)描述。输入端是一个二极管,输出端则是受控电流源iB,1.微变等效电路法,晶体管的微变等效电路,a
15、.晶体管的微变等效电路,当 0.1mA IEQ 5mA时,与Q点有关,IEQ为静态时的发射极电流mA,UT称为热电压,常温下取值26(mV),rbb称为晶体管的基区体电阻,可查手册得到,近似取值300,交流通路,微变等效电路,(b)放大电路的微变等效电路,根据,则电压增益为,(可作为公式),输出电压与输入电压相位相反。,求电压放大倍数(电压增益),Ri是放大电路的输入电阻,也是信号源的负载电阻,也就是从放大电路输入端看进去的交流等效电阻。,如果Ri小,则:1.放大电路将从信号源取用较大电流,增加信号源的负担;2.经过信号源内阻Rs 和Ri分压,实际加到Ri上的电压ui减小,从而减小了uo,对上
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- 晶体三极管 及其 放大 电路
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