数字电路逻辑设计第三章集成逻辑门.ppt

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1、F=AB,？,内部电路是什么样的，如何实现相应的逻辑功能？,内部电路不同，逻辑功能相同，如何正确使用？,？,知 识 回 顾,在数字集成电路的发展过程中,同时存在着两种器件的发展。一种是由三极管组成的双极型集成电路,例如晶体管晶体管逻辑电路(简称TTL电路)。另一种是由MOS管组成的单极型集成电路,例如NMOS逻辑电路和互补MOS(简称CMOS)逻辑电路。,第3章集成逻辑门,第3章集成逻辑门,TTL系列逻辑电路出现在19世纪60年代,它在此之前占据了数字集成电路的主导地位.随着计算技术和半导体技术的发展,19世纪80年代中期出现了CMOS电路。虽然它出现晚一些,但因为它有效地克服了TTL和ECL

2、集成电路中存在的单元电路结构复杂,器件之间需要外加电隔离,以及功耗大,影响电路集成密度提高的严重缺点,因而在向大规模和超大规模集成电路的发展中,CMOS集成电路已占有统治地位,而且这一优势将继续延伸。,内 容 概 述,双极型集成逻辑门,MOS集成逻辑门,按器件类型分,按集成度分,SSI（100以下个等效门）,MSI（103个等效门）,LSI（104个等效门）,VLSI（104个以上等效门）,基本逻辑门的基本结构、工作原理以及外部特性,第3章集成逻辑门,3.1 晶体管的开关特性3.2 基本逻辑门电路3.3 TTL集成逻辑门3.4 MOS逻辑门电路3.5 集成逻辑门电路的应用,3.1 晶体管的开关

3、特性,晶体二极管开关特性:晶体二极管是由PN结构成，具有单向导电的特性。在近似的开关电路分析中，晶体二极管可以作为一个理想开关来分析；在严格的电路分析中或者在高速开关电路中，晶体二极管则不能当作一个理想开关。,注意,数字电路中的二极管与三极管一、二极管伏安特性,3.1 晶体管的开关特性,(a)二极管电路表示,(b)二极管伏安特性,(1)加正向电压VF时，二极管导通，管压降VD可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。,二、二极管的开关特性,1二极管的静态特性,3.1 晶体管的开关特性,可见，二极管在电路中表现为一个受外加电压vi控制的开关。当外加电压vi为一脉冲信号时，二极管将随着脉冲电压的变化在“

4、开”态与“关”态之间转换。这个转换过程就是二极管开关的动态特性。,(2)加反向电压VR时，二极管截止，反向电流IS可忽略。二极管相当于一个断开的开关。,2二极管开关的动态特性,给二极管电路加入一个方波信号，电流的波形怎样呢？,ts为存储时间，tt称为渡越时间，trets十tt称为反向恢复时间。,反向恢复时间：trets十tt,产生反向恢复过程的原因：反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。,同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。,三、晶体三极管的开关特性,基本单管共射电路,单管共射电路传输特性,1.三极管稳态开

5、关特性,三、三极管的开关特性,三极管的三种工作状态,（1）截止状态：当VI小于三极管发射结死区电压时，IBICBO0，ICICEO0，VCEVCC，三极管工作在截止区，对应图（b）中的A点。三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压,此时，若调节Rb，则IB，IC，VCE，工作点沿着负载线由A点B点C点D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区，其特点为ICIB。三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏,（2）放大状态：当VI为正值且大于死区电压时，三极管导通。有,若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的V

6、CE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES0.3V。三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB IBS 电压条件为：集电结和发射结均正偏,（3）饱和状态：保持VI不变，继续减小Rb，当VCE 0.7V时，集电结变为零偏，称为临界饱和状态，对应图（b）中的E点。此时的集电极电流称为集电极饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电流，用IBS表示，有:,解：根据饱和条件IBIBS解题。,例 电路及参数如图所示，设输入电压VI=3V，三极管的VBE=0.7V。（1）若60，试判断三极管是否饱和，并求出IC和VO的值。,（2）将RC改为6.8kW，重复以上计算。,IBIBS 三极管饱和。,

7、IB不变，仍为0.023mA,IBIBS 三极管处在放大状态。,（3）将RC改为6.8kW，再将Rb改为60kW，重复以上计算。,由上例可见，Rb、RC、等参数都能决定三极管是否饱和。则该电路的饱和条件可写为：,即在VI一定（要保证发射结正偏）和VCC一定的条件下，Rb越小，越大，RC越大，三极管越容易饱和。在数字电路中总是合理地选择这几个参数，使三极管在导通时为饱和导通。,IBS0.029 mA,IBIBS 三极管饱和。,2三极管的动态特性,（1）延迟时间td 从输入信号vi正跳变的瞬间开始，到集电极电流iC上升到0.1ICS所需的时间（2）上升时间tr集电极电流从0.1ICS上升到0.9I

8、CS所需的时间。开通时间:（3）存储时间ts从输入信号vi下跳变的瞬间开始，到集电极电流iC下降到0.9ICS所需的时间。（4）下降时间tf集电极电流从0.9ICS下降到0.1ICS所需的时间。关断时间:,3.1 晶体管的开关特性,一、二极管与门和或门电路1与门电路,3.2 基本逻辑门电路,2或门电路,二、三极管非门电路,二极管与门和或门电路的缺点：（1）在多个门串接使用时，会出现低电平偏离标准数值的情况。（2）负载能力差,解决办法：将二极管与门（或门）电路和三极管非门电路组合起来。,三、DTL与非门电路,工作原理：（1）当A、B、C全接为高电平5V时，二极管D1D3都截止，而D4、D5和T导

9、通，且T为饱和导通，VL=0.3V，即输出低电平。（2）A、B、C中只要有一个为低电平0.3V时，则VP1V，从而使D4、D5和T都截止，VL=VCC=5V，即输出高电平。所以该电路满足与非逻辑关系，即：,3.2 基本逻辑门电路,3.3 TTL逻辑门电路,一、TTL与非门的基本结构及工作原理1TTL与非门的基本结构,2TTL与非门的逻辑关系,（1）输入全为高电平3.6V时。T2、T3导通，VB1=0.73=2.1（V），由于T3饱和导通，输出电压为：VO=VCES30.3V这时T2也饱和导通，故有VC2=VE2+VCE2=1V。使T4和二极管D都截止。实现了与非门的逻辑功能之一：输入全为高电平

10、时，输出为低电平。,2.1V,0.3V,该发射结导通，VB1=1V。所以T2、T3都截止。由于T2截止，流过RC2的电流较小，可以忽略，所以VB4VCC=5V，使T4和D导通，则有：VOVCC-VBE4-VD=5-0.7-0.7=3.6（V）实现了与非门的逻辑功能的另一方面：输入有低电平时，输出为高电平。综合上述两种情况，该电路满足与非的逻辑功能，即：,（2）输入有低电平0.3V 时。,1V,5V,3.6V,二、TTL与非门的开关速度,1TTL与非门提高工作速度的原理（1）采用多发射极三极管加快了存储电荷的消散过程。,（2）采用了推拉式输出级，输出阻抗比较小，可迅速给负载电容充放电。,2TTL

11、与非门传输延迟时间tpd,导通延迟时间tPHL从输入波形上升沿的中点到输出波形下降沿的中点所经历的时间。截止延迟时间tPLH从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的中点所经历的时间。与非门的传输延迟时间tpd是tPHL和tPLH的平均值。即,一般TTL与非门传输延迟时间tpd的值为几纳秒十几个纳秒。,三、TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力,1电压传输特性曲线：Vo=f（Vi）,1、电压传输特性,TTL“与非”门输入电压VI与输出电压VO之间的关系曲线，即 VO=f（VI）。,三、TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力,（1）输出高电平电压VOH在正逻辑体制中代表逻辑“1”的输出电压。VOH

12、的理论值为3.6V，产品规定输出高电压的最小值VOH（min）=2.4V。（2）输出低电平电压VOL在正逻辑体制中代表逻辑“0”的输出电压。VOL的理论值为0.3V，产品规定输出低电压的最大值VOL（max）=0.4V。（3）关门电平电压VOFF是指输出电压下降到VOH（min）时对应的输入电压。即输入低电压的最大值。在产品手册中常称为输入低电平电压，用VIL（max）表示。产品规定VIL（max）=0.8V。（4）开门电平电压VON是指输出电压下降到VOL（max）时对应的输入电压。即输入高电压的最小值。在产品手册中常称为输入高电平电压，用VIH（min）表示。产品规定VIH（min）=2V

13、。（5）阈值电压Vth电压传输特性的过渡区所对应的输入电压，即决定电路截止和导通的分界线，也是决定输出高、低电压的分界线。近似地：VthVOFFVON 即ViVth，与非门关门，输出高电平；ViVth，与非门开门，输出低电平。Vth又常被形象化地称为门槛电压。Vth的值为1.3V1.V。,2几个重要参数,Voff,VOH,Von,VOL,低电平噪声容限 VNLVOFF-VIL0.8V-0.4V0.4V高电平噪声容限 VNHVIH-VON2.4V-2.0V0.4V,TTL门电路的输出高低电平不是一个值，而是一个范围。同样，它的输入高低电平也有一个范围，即它的输入信号允许一定的容差，称为噪声容限。

14、,3抗干扰能力,四、TTL与非门的带负载能力,1输入低电平电流IIL与输入高电平电流IIH（1）输入低电平电流IIL是指当门电路的输入端接低电平时，从门电路输入端流出的电流。,可以算出：,产品规定IIL1.6mA。,（2）输入高电平电流IIH是指当门电路的输入端接高电平时，流入输入端的电流。有两种情况。,寄生三极管效应：如图（a）所示。这时IIH=PIB1，P为寄生三极管的电流放大系数。,由于p和i的值都远小于1，所以IIH的数值比较小，产品规定：IIH40uA。,倒置的放大状态：如图（b）所示。这时IIH=iIB1，i为倒置放大的电流放大系数。,（1）灌电流负载,2带负载能力,当驱动门输出低

15、电平时，电流从负载门灌入驱动门。当负载门的个数增加，灌电流增大，会使T3脱离饱和，输出低电平升高。因此，把允许灌入输出端的电流定义为输出低电平电流IOL，产品规定IOL=16mA。由此可得出:,NOL称为输出低电平时的扇出系数。,（2）拉电流负载。,NOH称为输出高电平时的扇出系数。,产品规定IOH=0.4mA。由此可得出：,当驱动门输出高电平时，电流从驱动门拉出,流至负载门的输入端。拉电流增大时，RC4上的压降增大，会使输出高电平降低。因此，把允许拉出输出端的电流定义为输出高电平电流IOH。,一般NOLNOH，常取两者中的较小值作为门电路的扇出系数，用NO表示。,五、TTL与非门举例7400

16、,7400是一种典型的TTL与非门器件，内部含有4个2输入端与非门，共有14个引脚。引脚排列图如图所示。,六、TTL门电路的其他类型,1非门,2或非门,3与或非门,在工程实践中，有时需要将几个门的输出端并联使用，以实现与逻辑，称为线与。普通的TTL门电路不能进行线与。为此，专门生产了一种可以进行线与的门电路集电极开路门。,4集电极开路门（OC门）,TTL与非门电路,4、集电极开路的TTL“与非”门（OC门）,（一）OC门的结构,当输入端全为高电平时，T2、T5导通，输出F为低电平；,输入端有一个为低电平时，T2、T5截止，输出F高电平接近电源电压VC。,OC门完成“与非”逻辑功能,逻辑符号：,

17、输出逻辑电平：低电平0.3V高电平为VC（5-30V）,（二）OC门实现“线与”逻辑,负载电阻RL的选择,（自看）,4、集电极开路的TTL“与非”门（OC门）,（三）OC门应用-电平转换器,OC门需外接电阻，所以电源VC可以选5V30V，因此OC门作为TTL电路可以和其它不同类型不同电平的逻辑电路进行连接。,4、集电极开路的TTL“与非”门（OC门）,应用实例,解：,请同学画出实现电路！,第三章 集成逻辑门,5、三态逻辑门（TSL）,（一）三态门工作原理,1,0,输出F端处于高阻状态记为Z。,Z,第三章 集成逻辑门,低电平使能,高电平使能,（二）三态门的应用,1.三态门广泛用于数据总线结构,任

18、何时刻只能有一个控制端有效，即只有一个门处于数据传输，其它门处于禁止状态。,（二）三态门的应用,2.数据的双向传输,当E=0时，门1工作，门2禁止，数据从A送到B；,E=1时，门1禁止，门2工作，数据从B送到A。,5.74LS系列为低功耗肖特基系列。674AS系列为先进肖特基系列，它是74S系列的后继产品。774ALS系列为先进低功耗肖特基系列，是74LS系列的后继产品。,七、TTL集成逻辑门电路系列简介174系列为TTL集成电路的早期产品，属中速TTL器件。274L系列为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。374H系列为高速TTL系列。474S系列为肖特基TTL系列，进一步提高了速度。如图示

19、。,3.3 TTL逻辑门电路,NMOS反相器,NMOS门电路,CMOS门电路,3.4 MOS逻辑门电路,一、NMOS反相器,数字逻辑电路中的MOS管均是增强型MOS管，它具有以下特点：,当|UGS|UT|时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合,当|UGS|UT|时，管子截止，相当于开关断开,设电源电压VDD=10V，开启电压VT1=VT2=2V,1.A输入高电平VIH=8V时，,2.A输入低电平VIL=0.3V时，,电路执行逻辑非功能,T1、T2均导通，输出为低电平VOL 0.3V;,T1截止T2导通，电路输出高电平VOH=VDD-VT2=8V。,3.4 MOS逻辑门电路,二、NMOS与非

20、门电路,工作原理：,T1和T2都导通，输出低电平;,2.当输出端有一个为低电平时，,与低电平相连的驱动管就截止，输出高电平。,电路“与非”逻辑功能：,注：,增加扇入，只增加串联驱动管的个数，但扇入不宜过多，一般不超过3。,1,1,通,通,0,1.当两个输入端A和B均为高电平时,0,1,止,通,1,3.4 MOS逻辑门电路,负载管,工作管串联,三、CMOS电路,(一）CMOS反相器,PMOS,NMOS,工作原理：,1、输入为低电平VIL=0V时,VGS1VT1,T1管截止,|VGS2|VT2,电路中电流近似为零（忽略T1的截止漏电流）,VDD主要降落在T1上，输出为高电平VOHVDD,T2导通,

21、2、输入为高电平VIH=VDD时，T1通T2止，VDD主要降在T2上，输出为低电平VOL0V。,实现逻辑“非”功能,3.4 MOS逻辑门电路,三、CMOS门电路,(二）CMOS传输门,工作原理：,TN和TP均截止，VI由0VDD变化时，传输门呈现高阻状态，相当于开关断开，CL上的电平保持不变，这种状态称为传输门保存信息,VI在VTVDD范围变化时TP导通,即VI在0VDD范围变化时，TN、TP中至少有一只管子导通，使VO=VI，这相当于开关接通，这种状态称为传输门传输信息,VI由0（VDD-VT）范围变化时TN导通,3.4 MOS逻辑门电路,三、CMOS门电路,(二）CMOS传输门,工作原理：

22、,1.当C 为低电平时，TN、TP截止传输门相当于开关断开，传输门保存信息，,2.当C为高电平时，TN、TP中至少有一只管子导通，使VO=VI，这相当于开关接通，传输门传输信息。,由此可见传输门相当,于一个理想的开关，且是一个双向开关。,3.4 MOS逻辑门电路,三、CMOS门电路,(三）CMOS模拟开关,电路图,1.电路结构,2.逻辑符号,3.4 MOS逻辑门电路,（四）CMOS门电路,1.与非门,二输入“与非”门电路结构如图,当A和B为高电平时:,1,0,1,0,1,1,当A和B有一个或一个以上为低电平时:,电路输出高电平,输出低电平,电路实现“与非”逻辑功能,3.4 MOS逻辑门电路,三

23、、CMOS门电路,2.“异或”门,当A=B=0时,0,0,1,1,0,当A=B=1时，,1,1,1,1,0,TG接通，C=B=1，反相器2的两只MOS管都截止，输出 F=0。,输入端A和B相同,得：输入端A和B相同，输出 F=0,（四）CMOS门电路,3.4 MOS逻辑门电路,2.“异或”门,输入端A和B不同,当A=1，B=0时,1,0,0,0,1,输出 F=1,当A=0，B=1时,0,1,1,0,1,输出 F=1,得：输入端A和B不同，输出 F=1,（四）CMOS门电路,3.4 MOS逻辑门电路,2.“异或”门,输入端A和B不同,输出 F=1,输入端A和B相同,输出 F=0,由此可知：该电路

24、实现的是“异或”的逻辑功能。,（四）CMOS门电路,3.4 MOS逻辑门电路,四、CMOS电路的特点,1.功耗小：CMOS门工作时，总是一管导通另一管截止，因而几乎不由电源吸取电流其功耗极小;,2.CMOS集成电路功耗低内部发热量小，集成度可大大提高;,3.抗幅射能力强，MOS管是多数载流子工作，射线辐 射对多数载流子浓度影响不大;,4.电压范围宽：CMOS门电路输出高电平VOH VDD，低电平VOL 0V;,5.输出驱动电流比较大：扇出能力较大，一般可以大于50;,6.在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好.,3.4 MOS逻辑门电路,1CMOS逻辑门电路的系列（1）基本的CM

25、OS4000系列。（2）高速的CMOSHC系列。（3）与TTL兼容的高速CMOSHCT系列。2CMOS逻辑门电路主要参数的特点（1）VOH（min）=0.9VDD；VOL（max）=0.01VDD。所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大。（2）阈值电压Vth约为VDD/2。（3）CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。（4）CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门；（5）因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，可达50。,五、CMOS逻辑门电路的系列及主要参数,TTL与CMOS接口,

26、CMOS 与TTL接口,3.5 集成逻辑门电路的应用,TTL和CMOS电路带负载时的接口问题,一、TTL与CMOS接口,CMOS同TTL电源电压相同都为5V，则两种门可直接连接。,提高TTL门电路的输出高电平，阻值由几百到几千欧姆,注：,TTL门电路高电平典型值只有3.4V，CMOS电路的输入高电平要求高于3.5V。因此在TTL门电路输出端与电源之间接一电阻Rx,3.5 集成逻辑门电路的应用,二、CMOS与TTL接口,CMOS门的驱动能力不适应TTL门的要求，可采用专用的CMOSTTL电平转换器,当用CMOS驱动TTL时,3.5 集成逻辑门电路的应用,（b）用TTL门电路驱动5V低电流继电器，

27、其中二极管D作保护，用以防止过电压。,三、TTL和CMOS电路带负载时的接口问题,1对于电流较小、电平能够匹配的负载可以直接驱动。（a）用TTL门电路驱动发光二极管LED，这时只要在电路中串接一个约几百W的限流电阻即可。,2带大电流负载,（a）可将同一芯片上的多个门并联作为驱动器，如图（a）所示。,（b）也可在门电路输出端接三极管，以提高负载能力，如图（b）所示。,三、TTL和CMOS电路带负载时的接口问题,（2）对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比如直接接地；也可以与有用的输入端并联使用。,四、多余输入端的处理,（1）对于与非门及与门，多余输入端应接高电平，比如直接接电源正端，或通过一

28、个上拉电阻（13kW）接电源正端；在前级驱动能力允许时，也可以与有用的输入端并联使用。,3一端消去或加上小圆圈，同时将相应变量取反，其逻辑关系不变。,2任一条线一端上的小圆圈移到另一端，其逻辑关系不变。,混合逻辑中逻辑符号的变换,1逻辑图中任一条线的两端同时加上或消去小圆圈，其逻辑关系不变。,小 结,Logic family,Bipolar,MOS,RTL,DTL,ECL,TTL,I2L,PMOS,CMOS,NMOS,本章小结 1最简单的门电路是二极管与门、或门和三极管非门。它们是集成逻辑门电路的基础。2目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由NPN型三极管组成，简称TTL集成电路；另一

29、类由MOSFET构成，简称MOS集成电路。3TTL集成逻辑门电路的输入级采用多发射极三级管、输出级采用达林顿结构，这不仅提高了门电路的开关速度，也使电路有较强的驱动负载的能力。在TTL系列中，除了有实现各种基本逻辑功能的门电路以外，还有集电极开路门和三态门。4MOS集成电路常用的是两种结构。一种是NMOS门电路，另一类是CMOS门电路。与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数大，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字集成电路的发展方向。5为了更好地使用数字集成芯片，应熟悉TTL和CMOS各个系列产品的外部电气特性及主要参数，还应能正确处理多余输入端，能正确解决不同类型电路间的接口问题及抗干扰问题。,