数字电子基础TTL和CMOS门电路.ppt
《数字电子基础TTL和CMOS门电路.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《数字电子基础TTL和CMOS门电路.ppt(83页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、本章内容,二极管,三极管,TTL门电路,MOS管,CMOS门电路,南京大学金陵学院肇莹,Diode,The structure of Silicon and Germanium atom,二极管,硅和锗半导体的结构,纯净的硅或锗半导体,二极管,纯净半导体又叫“本征半导体”,自由电子,空穴,共价键中的电子,二极管,在纯净半导体中,电子和空穴是成对出现的,纯金半导体中的电流非常小,大概10-9A),成为正离子,N型半导体,多数载流子是电子,少数载流子空穴的浓度与温度有关,多数载流子的浓度与温度无关,多余电子,磷,磷称作“施主杂质”,+4,+4,+4,硼,空穴,负离子,P型半导体,多数载流子是空穴,
2、少数载流子电子的浓度与温度有关,多数载流子空穴的浓度与温度无关,与掺杂浓度有关,少数载流子电子,+4,硼是受主杂质,P型半导体,掺杂的半导体处于电中性状态,掺杂的半导体称作“非本征半导体”,耗尽层,阈值,二极管的VI特性曲线,正向偏置,反向偏置,击穿电压,雪崩击穿,P,N,+,-,P,N,+,-,R,VD,二极管的开关特性曲线,二极管的动态特性,R,VD,理想状态下,实际上,三极管的工作状态,饱和:,截止,二极管与门,0,1,0,功能表,二极管或门,1,1,0,真值表,“0”,“1”,“1”,“0”,三极管非门,1,A,F,逻辑函数:F=A,TTL 非门(74x),=5V,VIH=3.4V V
3、IL=0.2V,TTL 非门(74x),=5V,0.9V,负载电流,TTL 非门(74x),=5V,4.1V,2.1V,TTL 非门(74x),传输特性曲线,TTL 非门(74x),传输特性曲线,VOH,Typical value=3.4V,Usually 2.4V is OK,VOL,Typically 0.3V,0.8V is OK,TH(Threshold 阈值),TTL 非门(74x),高电平输出特性(TTL非门),低电平输出特性(TTL非门),TTL 非门输入特性,输入电流,TTL非门输入特性,VO2,Ri,VO1,Vi2,驱动负载的能力(TTL 非门),灌电流负载,T4 截止,T5
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 数字 电子 基础 TTL CMOS 门电路

链接地址:https://www.31ppt.com/p-6165410.html