微电子制造概论考试复习提纲.ppt
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1、微电子制造概论,复习提纲,题目类型,1:名词解释(英文缩写翻译,解释)(每题4分,5题,共20分)2:填空(每空2分,10空,共20分)3:简答(每题510分,5题,共45分)4:分析计算(每题15分,1题,共15分),每章主要知识点,1、半导体原理2、半导体器件原理3、半导体设计基础4、半导体制造基础5、芯片互联和封装技术6、无源元件制造技术7、PCB设计和制造技术8、SMT技术基础,1、半导体物理基础,1.1 半导体的能带理论(分析导体、绝缘体、半导体的区别)1.2 半导体的载流子(种类、特点)1.3 本征半导体和本征激发1.4 杂质半导体的种类,p型和n型半导体的类型区别,主要掺入杂质的
2、种类,多数载流子和少数载流子,施主杂质和受主杂质,补偿效应,1、半导体物理基础,1.5 载流子迁移(漂移)运动和扩散运动1.6 载流子浓度,费米能级的意义1.7 非平衡载流子:热平衡和非热平衡的区别,非平衡载流子载流子的特点,载流子的复合(种类,寿命,复合中心),2、半导体器件原理,2.1 pn结:pn结的形成,内电场,空间电荷区,pn结的电流电压特性,击穿的种类和原因;2.2 双极型晶体管(三极管):种类(pnp、npn),结构,分析其能够产生电流放大的条件,分析其开关特性的条件和原因2.3 场效应管晶体管(MOS管):场效应的原理,MOS管的结构,增强型和耗尽型、n沟道和p沟道-不同MOS
3、管的工作开启电压条件2.4 CMOS管的结构,3、半导体设计基础,3.1 逻辑电路基础:基本逻辑运算(与,或,非,与非,或非)的运算法则、真值表、逻辑图(符号)、逻辑表达式、时序图,简单逻辑电路3.2 CMOS门电路:非电路,与非电路,或非电路,其他的逻辑电路转换为上面的三种电路的组合,3、半导体设计基础,3.3 集成电路的设计流程3.4 集成电路的版图设计:3.4.1 什么是关键尺寸(CD)?3.4.2 什么是基于“”的设计准则?3.4.3 什么是按比例缩小原则?有什么用?3.4.4 什么是摩尔定律?有什么用?3.5 集成电路的系统设计:3.5.1 设计方法有哪些?3.5.2 什么是ASIC
4、?PAL?GAL?FPGA?,4、半导体制造基础,4.1 半导体级别硅的生产工艺4.2 单晶硅锭的生长工艺4.2.1 CZ拉伸法:原理,拉伸设备的结构4.2.2 悬浮区熔法:原理,设备结构4.2.3 两种方法的优缺点4.3 晶圆(wafer,硅圆片)的制造工艺4.4 洁净室的分类标准,4、半导体制造基础,4.5、氧化工艺:氧化工艺的种类(优缺点),适用于哪些应用;4.6、化学气相淀积(CVD):定义、种类4.6.1 外延:定义,外延的方法,外延的应用4.6.2 氮化硅:作用,主要工艺4.6.3 多晶硅:作用,主要工艺4.7、金属化:4.7.1 金属化的主要作用,材料4.7.2 金属化工艺:蒸发
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