微波工程第五章无源微波电路.ppt
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1、1,5 无源微波电路,2,5.1 引言,微波系统是由馈线、无源微波电路、有源微波电路以及天线组成的。本章讨论无源微波电路中所用到的微波器件,结构应用传输线理论、导波理论和网络理论分析器件的工作原理和基本性能,并导出它们的散射参量。进一步掌握场与路相结合的分析方法。,3,微波铁氧体器件与其他微波器件相比有比较大的差异,主要是它对不同方向传输的导波呈现出不同的衰减特性和相移特性,称为不可逆特性或非互易特性。原因铁氧体材料在外加恒定磁场时呈现出各向异性。微波谐振腔和低频电路中的谐振回路是非常相似的,但又有所区别。本章讨论谐振腔的基本参数,分析金属矩形腔、圆柱腔和同轴腔的特点,微扰法是一种广泛应用的近
2、似方法,空腔微扰 如何应用微扰法研究空腔的微小形变对谐振频率的影响。,4,微波滤波器具有选频功能,在微波系统中得到了广泛的应用。按功率衰减的频率特性分类,可分为低通、高通、带通和带阻滤波器;按传输线类型分类,可分为波导型、同轴线型、微带线型等不同结构类型的滤波器。微波滤波器的综合设计。,5,5.2 匹配负载,匹配负载是微波系统中的一种终端器件。从能量的观点看,在理想的情况下它能吸收入射波的全部能量而不产生反射,故称作匹配负载。从网络的观点看,匹配负载为单端口网络,它只有一个散射参量,在理想的情况下s11=0。实际的匹配负载不可能是理想的,总有小量反射波。在精密的测试系统中,1.02的水平,在一
3、般的测试系统1.1的量级,大功率匹配负载还有一个非常重要的散热问题。小功率的矩形波导匹配负载:在一薄玻璃片上镀一层镍铬合金的金属膜电阻,薄玻璃片放置在矩形波导宽壁中央,其表面平行TE10波的电力线。这个带有金属膜电阻的薄片称作吸收片。为了在宽频带内获得较好的匹配性能,吸收片通常做成尖劈的形状,尖劈的长度一般为1-2个波长,这样,驻波系数可以做到。,6,图 5.1 匹配负载(a)、(b)矩形波导(c)、(d)同轴线 乳聚乙烯和碳粉、铁氧体的混合物热压成尖劈形或阶梯形可以制作成波导或同轴线匹配负载,结构如图。波阻,抗中都有一个共同的因子,。乳聚乙烯、碳粉和铁,氧体的混合物中含有改变和的成分,适当地
4、搭配几种,成分的比例以保证,,这就使得含有吸收材料,的波导或同轴线的波阻抗与空气填充的波阻抗相比是不变的。碳粉起吸收电磁能的作用。这种吸收材料制作成的匹配负载不必做得很长,也不一定做成薄片的形状。,7,大功率匹配负载通常采用水负载。流动的水作为吸收微波能量的物质,同时把热量带走。在进水口和出水口处要加微波泄漏抑制装置。,图 5.2大功率匹配水负载,无反射的微波暗室:尖劈形的吸收材料装在室内六壁上,用于模拟平面波和球面波,研究辐射和散射,8,5.3 波导接头和同轴接头,各种波导器件连接起来构成微波系统,这种连接主要依靠波导接头来实现。在此只限在TE10模的矩形波导,由TE10模波导内壁表面电流的
5、分布可知,波导宽壁中线附近有较强的纵向电流,因此要求波导在该处应有良好的接触。典型的波导接头有两种,一种称为平接头,或叫平法兰,如图5.3(a)所示。两个平接头相对连接,要保证两者之间相互对准和良好的机械接触,否则连接处会产生反射波和微波功率泄漏。,9,另一种称之为扼流接头,或叫扼流法兰,如图5.3(b)所示。一个扼流接头和一个平接头相对连,一段长度为/2的终端短路线的作用,使得波导宽壁中央虽无机械接触但却有良好的电接触。扼流接头明显的不足之处是工作频带较窄,故对于宽频带工作的波导系统,大都采用平接头连接。扼流接头主要用于大功率系统。同轴线之间的连接可由同轴接头实现,常用的同轴接头有N型、SM
6、A和平接头等。,10,图5.3(c)给出了N型同轴接头的结构示意图,为了连接的需要,N型接头有阴阳之分,左为阴接头,右为阳接头。,图 5.3 波导接头和同轴接头(a)波导平接头(b)波导扼流接头(c)N型同轴接头,11,5.4 短路器,短路器的功能与匹配负载恰好相反,它不吸收入射波的任何能量而使其产生全反射。短路器分为固定式短路器和可移式短路器两种类型,其中可移式短路器又称为短路活塞,而短路活塞又分为接触式短路活塞和扼流式短路活塞。接触式短路活塞用富有弹性的磷青铜片做成梳状接触片,由于接触点的频繁移动很容易使波导内壁磨损,如果在大功率时使用,在磨损处可能会引起打火现象。波导结构和同轴结构的接触
7、式短路活塞分别如图5.4(a)和(b)所示。,12,图 5.4 接触式短路活塞(a)波导结构(b)同轴结构,13,图5.5为同轴线S形扼流活塞结构,在此结构中,主要是利用传输线归一化阻抗1/4波长的倒置性来实现等效短路。,图5.5 同轴线S形扼流活塞,14,S形扼流结构,a点是短路点,a-b间是一段特性阻抗为Zc1的同轴线,其长度是1/4波长,所以b点是开路点,b-c间又是一段同轴线,其特性阻抗为Zc2,长度仍是1/4波长,所以c点是等效短路点。c点虽无机械接触,但等效短路,由于无机械接触,因而移动活塞时不会磨损金属内壁,这是它最大的优点。缺点是工作频带不够宽。除了上面分析的a-b-c这条路外
8、,还有a-b-c,这条路,它的原理是一样的。,15,图5.6 S形扼流活塞等效电路,16,根据上述阻抗变换关系,如能设法使得两段传输线的特性阻抗之间满足关系式,即使Za并不等于零,只要其数值比较小,仍能使Zc0。另一类可移短路器就是根据这样的原理制作的,例如图5.7所示哑铃形波导扼流式短路活塞。短路器作为单端口网络,只有一个散射参量,在理想条件下s11-1。,图 5.7波导扼流式短路活塞,17,5.5 衰减器,在微波系统中为了控制传输功率的大小,有必要在系统中接入衰减器。,5.5.1 吸收式矩形波导衰减器,吸收式矩形波导衰减器分为横向可调和垂直可调两种。吸收片是镀镍铬薄膜的玻璃片,吸收片移向波
9、导中央时衰减量加大,或吸收片从波导宽壁中央深入到波导中时衰减量加大。吸收式衰减器的技术指标有起始衰减量、最大衰减量和衰减器的输入驻波系数及工作频带等几项。,18,图 5.8 可调波导衰减器(a)横向(b)垂直,19,5.5.2 截止式衰减器,同轴型圆波导TE11模截止式衰减器结构示意图如图5.9(a)。,式中,当c时,近似为常数,与工作频率无关,即,衰减器的输入、输出端是同轴线,中间一段是圆波导,同轴线中工作模式为TEM波,圆波导中工作模式为TE11模,TE11模的截止波长c=3.41R,R是圆波导段的半径。若选择工作波长大于圆波导中TE11模的截止波长,使圆波导段处于截止工作状态,那么TE1
10、1模的场是衰减的场,其场的幅度沿z方向是指数衰减,20,图5.9 截止式衰减器(a)结构示意图(b)衰减量L随距离l 线性变化,21,重要特点:TE11模的截止波长可以精确计算,因而其衰减常数也可以精确计算,当实验进行定标时可提供参考数据。同轴线与圆波导的耦合是通过小环耦合来实现的,耦合的方式不同,起始衰减量也就不同,功率衰减与移动距离的关系,衰减量为,式中,L(0)是起始衰减量,近似为常数,所以L(l)与l成线性关系。当c时,很大,因此可具有很大的衰减量。截止式衰减器是一电抗性器件,工作在严重的失配状态。在截止式衰减器的输入端和输出端加入固定吸收式匹配元件,例如盘形金属膜电阻。,22,5.5
11、.3 旋转极化式衰减器,旋转极化式衰减器结构示意图如图5.10所示。,图5.10旋转极化式衰减器,衰减器由两端的方圆过渡波导和中间的圆波导段构成,在方圆过渡波导中,吸收片、平行于波导宽壁,而圆波导中的吸收片则可以绕纵轴旋转。输入矩形波导的TE10模,经过方圆过渡波导段后转换成圆波导中的TE11模,由于电场E的极化方向垂直于吸收片,故其能量基本上不衰减,此时吸收片起固定极化的作用。,23,当圆波导中的吸收片旋转为与水平面成角时,可将电场E1分解为与吸收片垂直的E1分量和平行的E2分量,其中E分量的能量被吸收片吸收,E1分量通过,如图5.11(b)所示。,E1分量的大小为,当圆波导中的TE11模传
12、输到吸收片处,其电场E1再次被分解为平行分量E2和垂直分量E1,如图5.11(c)所示。能通过的E1分量的大小为,24,图5.11 旋转极化式衰减器中各段电场示意图,25,可见这种衰减器的衰减量为,上式表明衰减量L是吸收片旋转角度的函数,因而可以用角度来定标衰减量,故旋转极化式衰减器是一种可以作为衰减量标准的精密衰减器。若该衰减器制作理想,即仅有吸收衰减而无反射衰减,将其当作二端口网络,相应的散射矩阵应为,26,5.6 模式抑制器,模式抑制器的功能是抑制传输线中不需要的模式,而让工作模式顺利通过。当传输线的工作频率高于某几种模式的截止频率时,在系统中可加入各种模式抑制器,以便实现单一模式传输。
13、圆波导TE01模式抑制器的结构示意图。细导线绕成半径不等的圆环,把它们同心地安装在圆波导的同一横截面上,由于环状导线平行于TE01模的电力线,所以TE01模被反射而不能通过。图5.12(b)为圆波导TM01模式抑制器结构示意图,细导线由圆心处辐射状安装,平行于TM01模的横向电力线。,27,图 5.12 模式抑制器结构示意图(a)TE01(b)TM01,图5.12(a)中的结构可以让TM01模顺利通过,故又名为TM01模式滤波器,而图5.12(b)中的结构又名为TE01模式滤波器。由图不难发现,对被抑制的模式,该结构破坏其边界条件,而对能通过的模式,该结构顺应其边界条件。,28,一段长度为l
14、的模式抑制器,可视作二端口网络,当其制作理想时,对被抑制的模式,其散射矩阵应为,而对顺利通过的工作模式,其作用如同一段均匀传输线,其散射矩阵应为,29,5.7 波导T形分支,5.7.1 E-T和H-T分支,在微波系统中,波导T形分支用来将功率进行分配或合成,常见的有E-T分支和H-T分支,分别如图5.13(a)和(b)所示。,图 5.13 波导T型分支(a)E-T分支(b)H-T分支,30,当分支波导在主波导的宽壁上,分支平面与主波导中TE10波的电场E平行时,这种分支称为E-T分支;如果分支波导在主波导的窄壁上,分支平面与主波导中TE10波的磁场H平行时,则称这种分支为H-T分支。定性将T型
15、分支看作三端口网络,对各臂进行编号,主波导的臂称作端口1和端口2,分支臂称作端口3,工作波型为TE10波,根据边界条件可以大致地画出T形分支中的电场分布。图5.14中的三张图画出了E-T分支中三种不同激励情况下的电场分布示意图,需要说明的是,在波导非均匀处的场是非常复杂的,这里仅是一种示意图。,31,图5.14(a):波从端口3输入时,端口1和2有等幅反相波输出;图5.14(b):端口1和2等幅反相激励时,端口3有输出;图5.14(c):端口1和2等幅同相激励时,端口3无输出。,图 5.14 E-T分支激励情况,功率分配,功率合成,32,对于H-T分支,三种激励情况:。图5.15(a)中波从端
16、口3输入时,端口1和2有等幅同相波输出;图5.15(b)中端口1和2等幅同相激励时,端口3有输出。图5.15(c)中端口1和2等幅反相激励时端口3无输出。,图 5.15 H-T分支激励情况,33,以上仅仅是根据场的概念所作的定性的判断推测,根据微波网络理论作进一步的分析 对于E-T分支,由于其结构的对称性,应有,因其是互易网络,必有,由图5.14(a)所示特性,应有,34,设在端口3上将网络本身调好匹配,即S33=0,则E-T分支的散射矩阵可以写成,由于网络无损耗,故应满足酉条件,即,35,sH的第一行乘以s的第一列,得,sH的第三行乘以s的第三列,得,(5.7.1),故,设,式中,为任意角,
17、它取决于端口1和3参考面的位置。,(5.7.2),36,sH的第 三行乘以s的第一列,得,所以,(5.7.3),将式(5.7.2)、(5.7.3)代入式(),得到,设,式中,为任意角,它取决于端口1和2参考面得位置。,37,移动参考面T1、T2和T3,且保持T1和T2对称移动,使在这组特定的参考面下,=0,E-T分支的散射矩阵成为,(5.7.4),用类似的方法可以求得H-T分支的散射矩阵为,(5.7.5),38,E-T分支和H-T分支的散射参量表明,当TE10波从端口1输入时,将有1/4的功率被反射回去,1/4的功率传送到端口2,1/2的功率传送到端口3,这是一种功率分配方式(s的第一列)另一
18、种功率分配方式如图5.14(a)和图5.15(a)所示,信号从端口3输入,将不存在反射波,端口1和2各得一半功率,称为三分贝功分器(s的第三行)。T形分支当作功率合成器使用的情况,但此时端口1和端口2的输入驻波比较大(=3),且端口1和2也不相互隔离(s11=s22=1/2,s12=s210),|=|S11|=|S22|,39,5.7.2 无耗互易三端口网络的性质 在求T分支的散射矩阵时,仅设其中的某一端口匹配(例如s33=0),这是因为对无耗互易三端口网络有如下性质。性质1 无耗互易三端口网络不可能同时实现匹配,即其散射参量sii(i=1,2,3)不可能全部为零。证明 采用反证法证明。假设
19、Sii 全为零,则,上式已经应用了互易条件,即Sij=Sji(i,j=1,2,3)。网络无损耗,满足酉条件,故有,40,展开上式得,(5.7.6)(5.7.7)(5.7.8)(5.7.9),式(5.7.9)要求S13=0或 S23=0,但不论是 S13=0,还是S23=0,都不能使式(5.7.6)、(5.7.7)、(5.7.8)同时成立,即说明前面的假设Sii(i=1,2,3)全为零不成立,亦即说明无耗互易三分支的三个端口不可能同时实现匹配。,1行,1列,1、2列,2行,2列,3行,3列,41,性质2 无耗互易三分支的两个端口不可能同时实现匹配,否则退化为二端口网络。证明 仍然采用反证法证明。
20、假设 s11=s22=0,则,网络无损耗,满足酉条件,故有,42,展开上式得,(5.7.10)(5.7.11)(5.7.12)(5.7.13)(5.7.14)(5.7.15),1、2,1、3,2、3,43,式(5.7.13)要求 s13=0 或者 s23=0,若 s13=0,代入式(5.7.15)有 s33*s 23=0,由于 s33 此时不能为零(由性质1),只能是s23=0,以上条件代入式(5.7.11)和式(5.7.12)得|s12|=1|s33|=1若s23=0 代入式(5.7.14)有 s33*s13=0,所以有s13=0,代入式(5.7.10)和式(5.7.12)得,若无耗互易三分
21、支的端口1和端口2同时实现匹配,则第3分支对外已被“封闭”,|S33|=1,对内已被隔离,S13=S23=0,而端口1和2之间实现全通,亦即此时的三分支已退化为一个二端口网络。,44,5.8 微带线功分器与合成器,图5.16所示为一个三分贝微带线功分器结构示意图。输入线和输出线的特性阻抗均为ZC,两段长度为g/4 的分支线特性阻抗,图5.16 三分贝微带线功分器,45,在分支线的末端A、B两点跨接一个电阻R,其值为2ZC。这种结构的功分器具有以下特性:当输出端口2和3接匹配负载时,输入端口1无反射,从端口1输入的功率被平分到端口2和3,且端口2和3相互隔离。假设端口2和端口3接匹配负载,经1/
22、4波长分支线的变换,在分支线的中央O点处并联后的电导为2Zc/Z12,若令此值等于端口1输入线的特性导纳1/ZC,则输入端口匹配,即 S11=0,无反射。由此得Z1=(2)1/2ZC。,46,由于两路结构的对称性,保证了两路功率平分。为了使端口2和端口3相互隔离,在两分支线的末端A、B两点处跨接电阻R,且R=2Zc。推导跨接电阻R 何以等于2Zc?设信号从端口2输入,端口1接匹配负载,改画成图5.17的形式。因为端口1接匹配负载,那么三端口网络等效为二端口网络,并且又可分解为两个二端口网络的并联。用导纳矩阵讨论网络并联问题比较方便。等效二端口网络的归一化导纳矩阵y 为两个导纳矩阵之和,即,其中
23、,yR 为串联电阻R的归一化导纳矩阵,yT 为两段g/4 线及中间并联阻抗ZC的T形网络的归一化导纳矩阵。,47,图 5.17 求隔离电阻R所用的等效二端口网络,(1),2(3),1(2),A,B,串臂阻抗归一化导纳,z=Z/ZC1,r=ZC2/ZC1,并臂阻抗归一化转移矩阵,y=YZC1,r=ZC2/ZC1,48,描述输入端口与输出端口之间的互导纳是矩阵元素y21(或y12),若希望端口1与2相互隔离,须使,(5.8.1),查表4.2可知,(5.8.2),而(y21)T 需设法求出,由转移矩阵的级联关系求得T形网络的aT,(5.8.3),其中ag/4 是四分之一波长线段的转移矩阵,aZc是并
24、联阻抗Zc的转移矩阵。查表4.2得ag/4 和aZc,并代入上式,得,(5.8.4),49,由转移矩阵与归一化导纳矩阵的换算关系,有,(5.8.5),将式(5.8.2)和式(5.8.5)代入式(5.8.1),得,(5.8.6),注意到,(5.8.7),当R满足上式时,经由R分到B点的电流与经由T形网络分到B点的电流相互抵消,从而使得功分器的端口2和端口3相互隔离。,,解得,50,一般情况下,Zc=50,故隔离电阻R=100。在微带电路中,通过在介质基片上蒸发镍铬合金实现电阻,更简单的是在A、B之间焊接一个片状微带电阻。若电阻存在寄生引线电感,则应将焊点位置后移微小距离,否则匹配和隔离性能变差。
25、图5.16中的三分贝微带线功分器因其是一个有损网络,故其三个端口可同时调好匹配。其散射矩阵为,(5.8.8),51,作为功分器的逆过程,若两路相同的信号从端口2和3同时输入时,则端口1的输出是这两路的功率之和,此时称之为功率合成器。由多个三分贝功分器对称地组合起来,可将输入功率一分为四,一分为八,.一分为2n输出。在许多情况下,要求两路功率不是等分,而是按一定的比例分配,这时两路结构将不再相同,具体来说两路传输线地特性阻抗不同,隔离电阻的数值也不相同。,52,5.9 魔T,5.9.1 从波导双T到魔T,波导双T分支由E-T分支和H-T分支组合而成,其结构如图5.18所示,各端口的编号如图中所示
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- 微波 工程 第五 无源 电路
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