存储器、存储管理和高速缓存技术.ppt
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1、微机原理,第4章 存储器、存储管理和高速缓存技术,本章重点:,存储器在微型机系统中的连接、宽度扩充和字节扩充 微型机中存储器的层次化结构32位微型机系统中的内存组织高速缓存的全相联、直接映象和组相联三种组织方式高速缓存的数据更新方法高速缓存控制器的功能,4.1 存储器和存储器件,4.1.1 存储器的分类 存储器根据用途和特点可以分为两大类:(1).内部存储器,简称为内存或主存 快速存取 容量受限制(2).外部存储器,简称为外存容量大速度慢,半导体存储器的分类,双极型RAM 随机存储器(RAM)SRAM MOS型RAM DRAM,PROM 只读存储器(ROM)EPROM EEPROM主存储器 快
2、擦型存储器,4.1 存储器和存储器件,4.1.2 微型计算机内存的行列结构字节为基本单位常用单位有KB、MB、GB和TB1KB1 024B1MB1 024KB1GB1 024MB1TB1 024GB,32行32列矩阵和外部的连接,4.1 存储器和存储器件,4.1 存储器和存储器件,4.1.3 选择存储器件的考虑因素 易失性 只读性 存储容量 速度 功耗,4.1.4 随机存取存储器RAM,主要特点:既可读又可写 分类:RAM按其结构和工作原理分为:静态RAM即SRAM动态RAM即DRAM,SRAM和DRAM,SRAM速度快不需要刷新片容量低功耗大 DRAM 片容量高需要刷新,4.1.5 只读存储
3、器ROM,ROM的特点:只许读出不许写入 ROM器件的优点:结构简单,所以位密度高。具有非易失性,所以可靠性高,ROM的分类,根据信息的设置方法,ROM分为5种:掩膜型ROMMOS型双极型 可编程只读存储器PROM可擦除可编程只读存储器EPROM可用电擦除的可编程只读存储器E2PROM闪烁存储器(flash memory),闪烁存储器的特点:,非易失性可靠性高速度大容量擦写灵活性,4.2 存储器在系统中的连接,4.2.1 存储器和CPU的连接考虑 高速CPU和较低速度存储器之间的速度匹配问题。CPU总线的负载能力问题。片选信号和行地址、列地址的产生机制。,存储器的寻址方法存储器芯片与CPU地址
4、总线连接时,要根据内存的地址分配连接,以实现CPU在某一时刻只能唯一地选中某一内存单元,这称为寻址。要完成寻址功能必须进行两种选择:首先要选择存储器芯片,这称为片选。然后再从该芯片中选择出某一存储单元,这称为字选。,片选,字选,4.2 存储器在系统中的连接,4.2.2 存储器芯片片选信号的构成方法:全译码法部分译码法线选法,线选法,D0D7,CPU,A0A9,A10,A11,D0D7,1KBROM,_CE,A0A9,D0D7,1KBRAM,_CE,A0A9,特点简单 地址可能重叠 地址不连续,D0D7,CPU,A0A9,A11,D0D7,1KBROM,_CE,A0A9,D0D7,1KBRAM,
5、_CE,A0A9,部分译码法,译码器,特点地址重叠地址连续,全译码法,D0D7,CPU,A0A9,A11,D0D7,1KBROM,_CE,A0A9,D0D7,1KBRAM,_CE,A0A9,译码器,A10,A12,A13,A14,A15,特点地址唯一,不重叠地址连续,SRAM的连接举例,图 16Kb8静态RAM模块,存储模块,总线驱动器及外围电路,数据总线驱动器,地址总线驱动器,4个芯片的数据端并接,低电平,写入高电平,读出,4.2.3 DRAM和DRAM控制器的使用举例,动态RAM控制器8203和2164的连接关系,64K1b,行地址与列地址共用引脚,行地址选通信号,列地址选通信号,写信号,
6、写信号,DRAM控制器,片选,读/写周期开始,读:数据有效写:已完成写操作,外部刷新请求信号,可从外部控制刷新定时。,引入时钟信号,4.2.4 存储器的扩充,(1)存储器容量的扩充体现在两方面:数据宽度的扩充 字节数的扩充(2)数据宽度扩充和字节数扩充的方法,4.2.4 存储器的扩充,数据宽度的扩充:当使用的存储器芯片单元数目符合要求,但每单元的位数较少时,需要进行这种扩充。例如,使用(1K1)扩充1KB存储系统,就需要进行位扩充。,4.2.4 存储器的扩充,例:用2012(1k1位)组成1K8位RAM,D7D0,4.2.4 存储器的扩充,数据宽度扩充的方法各芯片的数据线分别接到数据总线的各位
7、上各芯片的地址线并接在一起,连到相应的地址总线各位;各芯片的控制线并接在一起,连到相应的控制线上,4.2.4 存储器的扩充,练习:用214(1k4位)组成1K8位RAM,D7D0,4.2.4 存储器的扩充,扩充存储器的字节容量:当使用的存储器芯片位数符合要求,但单元数目较少时,需要进行这种扩充。例如,使用6264(8K*8)扩充24KB存储系统,就需要进行字扩充。,选择以下芯片,将其扩充为24KB,D07,R/W,A012,4.2.4 存储器的扩充,扩充存储器的字节容量的方法:将各存储芯片片内地址线、数据线、读/写控制线并联,接到相应的总线上;将地址线的高位送地址译码器产生片选信号,接各存储芯
8、片的CS端,以选择芯片。,练习:利用以下芯片扩充到16KB,D07,A011,R/W,D07,R/W,A012,字位同时扩充的连接:上述两种方式的结合,1,数 D0据总线 D7,A0A9,A10,小型存储器设计的一般步骤:(1)根据系统实际装机存储容量,确定存储器在整个存储空间中位置。(2)选择合适的存储芯片。根据系统性能指标要求选择芯片类型(RAM或ROM)与型号。确定芯片数量:若存储容量为MN位,所用芯片容量为LK位,则系统字、位同时扩展需(M/L)(N/K)个芯片。(3)画地址位图。即按系统所提供地址总线对所设计存储空间进行地址编码,分出低位地址线选择片内各单元,高位地址线确定片选择译码
9、逻辑。(4)画出所设计存储器原理图,需要时指明每片地址范围。图中包括地址线连接及译码电路、数据线连接、读/写控制线连接及其控制逻辑电路等。,例:用全译码法设计一个12KB的主存储器系统。其低8KB为EPROM芯片,选用2片4K8的2732A芯片。高4KB为SRAM芯片,选用两片2K8位的6116芯片。主存储器系统的地址范围为0000H2FFFH。系统提供16为地址线、8根数据线。系统需要2片2732,2片6116。2732有12条地址线,6116有11条地址线,因此除了使用74LS138外,还需要一些辅助电路来形成片选信号。根据题意,各存储器芯片的地址范围如下:2732(1):0000H0FF
10、FH2732(2):1000H1FFFH6116(1):2000H27FFH6116(2):2800H2FFFH 画地址位图,以获得译码关系和每片地址范围。画连接图,_CE,D0D7,CPU,A0A11,A12,A13,A14,A15,_MREQ,_RD,_WR,VCC,A11,1,1,1,在逻辑上验证所设计的连接线是正确的:首先应保证,当执行读/写指定地址范围内的内存单元的操作时,确实能选中该芯片和该单元。其次,应保证当没有执行读/写指定地址范围内的内存单元的操作时,特别是此时访问的地址在系统中确实对应了某个物理器件,确实不会选中该芯片和该单元。,完成该图中地址线、数据线和控制线的连接,要求
11、EPROM的地址从1000H开始,RAM的存储空间与EPROM的存储空间连续,EPROM为低地址,RAM为高地址。扩充后RAM的地址范围是多少?EPROM的地址范围是多少?扩展的存储空间共有多少个字节?,CBA,4.3 存储器的体系结构,4.3.1 层次化的存储器体系结构 1 层次化总体结构 层次化:把各种速度不同、容量不同、存储技术也可能不同的存储设备分为几层,通过硬件和管理软件组成一个存储空间。层次化的优点:解决了容量、速度与价格之间的矛盾。,存储器的层次化总体结构,价格,高,低,容量,小,大,速度,快,慢,2 内存的分区结构,内存分为:1.基本内存区(conventional memor
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