材料科学基础(上海交大)-第5章.ppt
《材料科学基础(上海交大)-第5章.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《材料科学基础(上海交大)-第5章.ppt(180页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、,第5章材料的形变和再结晶,5.0概述5.1弹性和粘弹性5.2晶体的塑性变形5.3回复和再结晶5.4热变形与动态回复、再结晶5.5陶瓷材料变形的特点5.6高聚物的变形特点,重点与难点,弹性变形的特点和虎克定律;弹性的不完整性和粘弹性;比较塑性变形两种基本形式:滑移与孪生的异同点;滑移的临界分切应力;滑移的位错机制;多晶体塑性变形的特点;细晶强化与Hall-Petch 公式;,屈服现象与应变时效;弥散强化;加工硬化;形变织构与残余应力;回复动力学与回复机制;再结晶形核机制;再结晶动力学;再结晶温度及其影响因素;,影响再结晶晶粒大小的因素:晶粒的正常长大及其影响因素;一次与二次再结晶以及静态再结晶
2、的区别;无机非金属材料塑性变形的特点:高聚物塑性变形的特点。,学习方法指导:,。善于用图示法分析相关问题:滑移系中晶面和晶向的关系,单滑移、多滑移、交滑移等产生的晶体表面痕迹、弥散强化机制、变形量与强度的关系。利用本章内容中相互矛盾的两个方面理解相关知识点:一方面介绍了晶体塑 性变形的机制,而另 一个核心内容是材料的强化机制:一方面是晶体滑移的实 现,另一方面材料的强化这是强调阻碍位错滑移的因素。注意本章内容与其他章节内容之间的联系:本章除了晶体滑移的理论,还涉 及位错运动、晶界、相结构等重要知识点,要注重晶体滑移与其之间的联系。内容体系的建立遵循从特殊到普遍、从理论到应用的思路:本章材料变形
3、理 论的演变是从单晶体变形到多晶体。单相合金和多相合金,从位错运动的晶体 滑移到多晶体、固溶体和多相合金的强化。以驱动力为线索,理解重要概念及其区别:令变形金属在受热时发生的 回复、再结晶、品粒长大均需要驱动力,如回复与再结晶的驱动力是畸变能差,晶粒长大的驱动力是晶界能差。同时,根据工作是否具有驱动力判断其是否可 以通过再结晶的方式改 善性能等。,5.0概述,材料在加工制备过程中或是制成零部件后的工 作运行中都要受到外力的作用。材料受力后要发生变 形,外力较小时产生弹性变形;外力较大时产生塑性,变形,而当外力过大时就会发生断裂。,图5.1为低碳,钢在单向拉伸时的应力 一应变曲线。研究材料的变形
4、 规律及其微观机制,分析了解各种内外因素对变形的 影响,以及研究讨论冷变形材料在回复再结晶过程中 组织、结构和性能的变化规律,具有十分重要的理论 和实际意义,应力,。se,e 约3单1生极限J s 刻屈服强反J b 刻抗拉强反 J,b,,,,,b k 应变图 5.1 低碳钢在单向拉伸时的应力一应变曲线,5.1 弹性和粘弹性,5.1.1弹性变形的本质弹性变形是指外力去除后能够完全恢复的 那部分变形,可从原子间结合力的角度来了解 它的物理本质。,原子处于平衡位置时,,系系关关的的距离间距子和原力与用量作色町系子u 体原肌阻刷刷,!,二 一,工 U,U,山山-b一嗣,二,ur二内llti ll 门!
5、Ii t,、-,|力,-J丸/f-一,一,明|丁非,!|!以-,L川,M,|l,处 为 当 位 生 产 力 原 变 性,U 力,。,衡 产 将 外 其 的 弹,能 用 态 平 将 时,复 生 是,位 作 状 其 时 小 样 恢 产 就,,,互 的 离 大 减 这 会 所 这,一刊 相 定 偏 增 距,。,都,为,稳 将 距 间 刀 子 置 失,距 置 最 后 间 子 报 原 位 消,间 位 是 力 子 原 侣,衡 全,子 低 这 一党 原 力 后 平 完,原 曰取子力 斥 除 的 便 形,其 于 零 原 置 引 生 去 来 形 变,-r,T,b,弹性变形的特征和弹性模量,弹性变形的主要特征是:
6、(1)理想的弹性变形是可逆变形,力口载时 变形,卸载时变形消失并恢复原状。(2)金属、陶瓷和部分高分 子材料不论是加载或卸载时,只要在弹性变形范围内,其应力与应变之间都保持单值线性函数关 系,即服从虎克 CHooke)定律:,在正应力下,=E;,在切应力下,T=Gy;,式中,s,t 分别为正应力和切应力;e,g分别为正应变和切应变;E,G分别为弹性 模量(杨氏模量)和切变模量。弹性模量与切变弹性模量之间的关系为:,G=,E2(1-v)式中,v为材料泊松比,表示侧向收缩能力。,一般金属材料的泊松比在 5之间,高分子 材料则相对较大些。,弹性模量代表着使原子离开平衡位置的难 易程度,是表征晶体中原
7、子间结合力强弱的物 理量。金刚石一类的共价键晶体由于其原子间 结合力很大,故其弹性模量很高;金属和离子 晶体的则相对较低;而分子键的固体如塑料、橡胶等的键合力更弱,故其弹性模量更低,通 常比金属材料的低几个数量级。,(3)弹性变形量随材料的不同而异,多数金属材料仅在低于比例极限 Sp 的应力,范围内符合虎克定律,弹性变形量一般不超过,。.5%;而橡胶类高分子材料的高弹形变量则 可高达1000%,但这种变形是非线性的。,弹性的不完整性,多数工程上应用的材料为多晶体甚至为非 晶态或者是两者皆有的物质,其内部存在各种 类型的缺陷,弹性变形时,可能出现加载线与 卸载线不重合、应变的发展跟不上应力的变化
8、 等有别于理想弹性变形特点的现象,称之为弹 性的不完整性。弹性不完整性的现象包括包申格效应、弹性后效、弹性滞后和循环韧性等。,1.包申格效应,材料经预先加载产生少量塑性变形(小于 4%),而后同向加载贝IjSe升高,反向加载则 Se下降。此现象称之为包申格效应。它是多晶体 金属材料的普遍现象。,.弹后放一些实际晶体,在加载或卸载时,应变不是瞬时达到其平衡值,而是通过一种弛豫过程 未完成其变化的(图5.3)。这种在弹性极限Se 范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关 的现象称为弹性后效或滞弹性。,i;,恤,,峙回。,c恤,,(oj!l d,时间恒应力下的应力驰豫,图5.3,3.弹性滞后由于应变
9、落后于应力,在s-e曲线上使加 载线与卸载线不重合而形成 一封闭回线,称之,为弹性滞后。弹性滞后表明加载时消耗于材料的变形功 大于卸载时材料恢复所释放的变形功,多余的 部分被材料内部所消耗,称之为内耗,其大小即用弹性滞后环面积度 量。,粘弹性,变形形式除了弹性变形、塑性变形外还 有一种粘性流动。所谓粘性流动是指非晶态 固体和液体在很小外力作用下便会发生没有 确定形状的流变,并且在外力去除后,形变 不能回复。,纯粘性流动服从牛顿粘性流动定律:,as,a=阿一一,.dt式中为应力;为应变速率;称为 粘度系数,反映了流体的内摩擦力,即流体流动的难易程度,其单位为 Pa.so,一些非晶体,有时甚至多晶
10、体,在比较 小的应力时可以同时表现出弹性和粘性,这 就是粘弹性现象。粘弹性变形的特点是应变落后于应力。当加上周期应力时,应力一应变曲线就成 回线,所包含的面积即为应力循环-周所损 耗的能量,即内耗。,5.2 晶体的塑性变形,应力超过弹性极限,材料发生塑性变形,即产生不可逆的永久变形。5.2.1单晶体的塑性变形在常温和低温下,单晶体的塑性变形主要 通过滑移方式进行的,此外,尚有孪生和扭折等方式。,1.滑移,.滑移线与滑移带,当应力超过晶体的弹,性极限后,晶体中就会产生层片之间的相对滑 移,大量的层片间滑动的累积就构成晶体的宏 观塑性变形,金属单晶体拉伸如 图5.4 0对滑移线的观察也表明了晶体塑
11、性变形的 不均匀性,滑移只是集中发生在一些晶面上,而滑移带或滑移线之间的晶体层片则未产生变 形,只是彼此之间作相对位移而已(图5.5)。,精事搜,图 5.5滑移带形成示意图,图 5.4金属单晶体拉伸 后的实物照片,b.滑移系,塑性变形时位错只沿着一定的晶面和晶 向运动,这些晶面和晶向分别称为滑移面 和滑移方向。晶体结构不同,其滑移面和滑面喃喃陆和滑移方向往往是金属晶 体中原子排列最密的晶面和晶向。这是因为 原子密度最大的晶面其面问距最大,点阵阻 力最小,因而容易沿着这些面发生滑移;至 于滑移方向为原 子密度最大的方向是由于最 密排方向上的原子间距最短,即位错 b最小。,在其他条件相同时,晶体中
12、的滑移系愈多,滑移过 程可能采取的空间取向便愈多,滑移容易进行,它的塑 性便愈好。,据此,面心立方晶体的滑移系共有11143=12 个;.体心立方晶体可同时沿 110112123 晶面滑移;密排六方晶体的滑移系仅有(0001)13=3个。,由于滑移系数目太少,的好。,hcp 多晶体的塑性不如 fcc或bcc,面心立方,体心立方和密排六方精选实例的滑移面和滑移方 向见下表5.1:,表 5.1一些金属晶体的滑移面展滑移方向,品 体结构,金属举例滑移面Cu.Ag,Au.Ni.All l l1fAl(在高温)1 1UUI,滑移方向,面,.立,方,(100),(110),.,111011 112 111
13、231,-Fc,(111),体心立方,W,民110,Na(子 0.08-0.24 T,r,),1 1121,地,Na(于 0.26-0.501,),1 1101,(111),Na.K(于 O.8Tn.),123,(111),Nb,!II O l,(111),,B.eTe,1臼)Ol!,(1120),10001:,(1120)1123),Zn,i1122,-一一一一,Be,Re,Zr,l 10101,(1120)(1120),l 0001 1,密排六方,-一,,111221,1010)(1120)(1120),Mg,1 10 111,1 10101,(1120)(1120),Ti.Zr.1王f,
14、)1011100011,c.滑移的临界分切应力,晶体的滑移是在切应力作用下进行的,但其 中许多滑移系并非同时参与滑移,而只有当外力 在某一滑移系中的分切应力达到一定临界值时,该滑移系方可以首先发生滑移,该分切应力称为 滑移的临界分切应力。滑移的临界分切应力是 一个真实反映单晶体 受力起始屈服的物理量。其数值与晶体的类型、纯度,以及温度等因素有关,还与该晶体的加工 和处理状态、变形速度,以及滑移系类型等因素 有关,常见金属发生滑移的切应力见 表5.20,表 5.2-些金属晶体在生滑秽的|商界分相应为 纯度J喃情移丽滑移方向99,991111(l1Q)!1111(llO),金属温度It,i临界分回
15、应为lMFa,Ag,室祖,。.74,Al,窒祖,0.陌,cu,室温,99.9,1)111(11)1111(110),0.98,Ni,室沮,99.8,A,5,ffi,.、,室I,!1101,(111),FE,99,96,27.料,一且,Nb,室温,11101,(t11),33.8,i,Ti,室温,99.99,|四101,1120,13.7,100011,,理,地,室温,99,95,1l20,。.81,室温,100011,地,99.98,1l20,。.76,1000111,Mg,330,99.98,(ll20,OTM,3.92,地,330,.9S,1011,1120,例5.1,设为滑移面法线与外,
16、力F 中心轴的夹角,为滑移 方向与外力 F的夹角,则F在滑 移方向的分力为 Fco矶,而滑,移面的面积为 A/cos,于是 外力在该滑移面沿滑移方向的 分切应力 为(如 图5.6):,r=fm mA,,怯线,图5.6 例5.1示意图,F/A 为试样拉伸时横截面上的正应力当=c开始滑移-F/A=s,coscos称为取向因子或施密特因子,它是 分切应力 与轴向应力F/A 的比值,取向因子越大,则分切应力 越大。,对任一给定 角而言,若滑移方向是位于 F与 滑移面法线所组成的平面上,即+=900。则沿此 方向的 值较其他 的 值大,这时取向因子 coscos=cos,cos(900.)=1/2sin
17、2,故当 值 为450 时,取向因子具有最大值 0.50,.这就是说,当滑移面与外力方向平行,或 滑移方向与外力方向垂直的情况下不可能产 生滑移;而当滑移方向位于外力方向与滑移面法线 所组成的平面上,且=450。时,取向因子,达到最大值(0.匀,,s最小,即以最小的拉应,力就能达到发生滑移所需的分切应力值.通常,称取向因子大的为软取向;而取向 因子小的叫做硬取向,d.滑移时晶面的转动,单晶体滑移时,除滑移面发生相对位移外,往 往伴随着晶面的转动,对于只有一组滑移面的 hcp,这种现象尤为明显.图5.7 为单轴拉伸时晶体发生 转动的力偶作用机制。,晶体受压变形时也要发生晶面转动,但转动的 结果是
18、使滑移面逐渐趋于与压力轴线相垂直,如 图5.8。另外,单晶体拉伸变形过程见 图5.9。,图5.7 单轴拉伸时晶体转动的 力偶作用,图5.8 晶体受压时的晶面转动()压缩前(b)压缩后,(a),/捐移方向,央头,转胡,(b),F(c),图 5.9 单晶体拉伸变形过程b)自由滑移变形 c)受夹头限制的变形,a)原试样,e.多系滑移,对于具有多组滑移系的晶体,滑移首先 在取向最有利的滑移系(其分切应力最大)中进行,但由于变形时晶面转动的结果,另 一组滑移面上的分切应力也可能逐渐增加到 足以发生滑移的临界值以上,于是晶体的滑 移就可能在两组或更多的滑移面上同时进行或交替地进行,从而产生多系滑移。,f.
19、滑移的位错机制,实际测得晶体滑移的临界分切应力值较理 论计算值低3 4个数量级,表明晶体滑移并不 是晶体的一部分相对于另-部分沿着滑移面作 刚性整体位移,而是借助位错在滑移面上运动 来逐步地进行的。晶体的滑移必须在 一定的外力作用下才能 发生,这说明位错的运动要克服阻力。,位错运动的阻力首先来自点阵阻力。由 于点阵结构的周期性,当位错沿滑移面运动 时,位错中心的能量也要发生周期性的变化,如 图5.10 所示。,图5.10 位错滑移时核心能 量 的变化,图5.10 中1和2为等同位置,当位错处于这 种平衡位置时,其能量最小,相当于处在能 谷中。当位错从位置 1移动到位置2时,需要 越过一个势垒,
20、这就是说位错在运动时会遇,到点阵阻力。由于派尔斯,CPeierls)和纳巴,罗 CNabarro),首先估算了这 一阻力,故又称,为派一纳 CP-N)力p_2G/(I-v)xp(-2W/b)式中,b为滑移方向上的原子间距,d为,滑移面的面问距,表位错宽度。,v为泊松比,,W=d/(1叫代,由派一纳力公式可知,位错宽度越大,则派一纳力越小,这是因为位错宽度表示了 位错所导致的点阵严重畸变区的范围.宽度 大则位错周围的原子就能比较接近于平衡位 置,点阵的弹性畸变能低,故位错移动时其 他原子所作相应移动的距离较小,产生的阻 力也较小。,位错运动的阻力除点阵阻力外,位错 与位错的交互作用产生的阻力;运
21、动位错 交截后形成的扭折和割阶,尤其是螺型位 错的割阶将对位错起钉扎作用,致使位错 运动的阻力增加;位错与其他晶体缺陷如 点缺陷,其他位错、晶界和第二相质点等 交互作用产生的阻力,对位错运动均会产 生阻力,导致晶体强化。,2.孪生,孪生是塑性变形的另 一种重要形式,它 常作为滑移不易进行时的补充。.孪生变形过程当面心立方晶体在切应力作用下发生孪,生变形时,晶体内局部地区的各个 晶面沿着 112方向(图5.11a 的AC)彼此相对移动距离为的均匀切变。,(111),产生,图5.11面心立方晶体孪生变形示意图(a)孪晶面和孪生方向(b)孪生变形时原子的移动,这样的切变并未使晶体的点阵类型发 生变化
22、,但它却使均匀切变区中的晶体取向 发生变更,变为与未切变区晶体呈镜面对称 的取向。这一变形过程称为孪生。变形与未 变形两部分晶体合称为孪晶;均匀切变区与 未切变区的分界面(即两者的镜面对称面)称为孪晶界;发生均匀切变的那组晶面称为,孪晶面(即,(111)面);,孪生面的移动方向称为孪生方向。,b.孪生的特点,(1)孪生变形也是在切应力作用下发生的,并通常 出现于滑移受阻而引起的应力集中区,因此,孪 生所需的临界切应力要比滑移时大得多。(2)孪生是一种均匀切变,即切变区内与孪晶面平 行的每一层原子面均相对于其毗邻晶面沿孪生方 向位移了一定的距离,且每一层原子相对于孪生 面的切变量跟它与孪生面的距
23、离成正比。(3)孪晶的两部分晶体形成镜面对称的位向关系。,c.孪晶的形成,在晶体中形成孪晶的主要方式有三种:一是通过机械变形而产生的孪晶,也称为 变形孪晶或机械孪晶,它的特征通 常呈透镜状或片状;其二为生长李晶,它包括晶体自气态(如气相沉积)、液态(液相凝固)或固体中长大时形成的孪晶;,其三是变形金属在其再结晶返火过程中形 成的李晶,也称为退火孪晶,它往往以 相互平行的孪晶面为界横贯整个晶粒,是在 再结晶过程中通过堆垛层错的生长形成的。它实际上也应属于生长李晶,系从固体中生长过程中形成。,通常,对称性低、滑移系少的密排六方金 属如Cd,Zn,Mg等往往容易出现孪生变形。面心立方晶体中孪晶的形成
24、见 图5.12 0,.L.J-,L电n,.1.Bc.L A归.l.C.4CHA(b),.J.,.,L,日A,/,(a),图 5.12面心立方 晶体中孪 晶的形成,d.孪生的位错机制,由于孪生变形时,整个李晶区发生均匀 切变,其各层晶面的相对位移是借助 一个不全位错(肖克莱不全位错)运动而造成的,,孪生的位错极轴机制见 图5.130,生,通过位错增殖的极轴 机制形成,v,b 1,H,图 5.13 孪生 的位错极 轴机制,3.扭折,由于各种原因,晶体中不同部位的受力情况和 形变方式可能有很大的差异,对于那些既不能进 行滑移也不能进行孪生的地方,晶体将通过其他 方式进行塑性变形,相关实例见 图5.1
25、4和 图5.15 0为了使晶体的形状与外力相适应,当外力超过 某一临界值时晶体将会产生局部弯曲,这种变形 方式称为扭折,变形区域则称为扭折带。扭折变 形与孪生不同,它使扭折区晶体的取向发生了不 对称性的变化。扭折是一种协调性变形,它能引 起应力松弛,使晶体不致断裂。,eatta-E,tBEE-,LFh,rc-:-.-一、,F-,-,.-,t kt)J 川向(a)A,aaa-BEE,E-k,-v-d-VF-J,宇品扭析懵(b),(a),b),图 5.15 单晶铺被压缩时的扭折(a)扭折示意图(b)铺单晶中的扭折带,图 514伴随着形成孪晶 而产生 的扭折带,多晶体的塑性变形,实际使用的材料通常是
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 材料科学 基础 上海交大
链接地址:https://www.31ppt.com/p-6118958.html