基本半导体分立器.ppt

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1、电子技术基础模拟电子技术,第一章 基本半导体分立器件,1.1 半导体的基本知识与PN结1.2 半导体二极管1.3 特殊二极管1.4 半导体三极管1.5 场效应晶体管,1.1 半导体的基本知识与PN结,1.1.1 半导体的基本特性1.1.2 本征半导体1.1.3 杂质半导体 1.1.4 PN结的形成与单向导电性,1.1.1半导体的基本特性,导体：电阻率小于10-4.cm，很容易导电，称为导体.如铜、铝、银等金属材料；绝缘体：电阻率大于1010.cm，很难导电，称为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料；半导体：电阻率在10-3109.cm，导电能力介于导体和绝缘体之间，例如硅(Si)和锗(Ge)等半导

2、体材料；,半导体材料制作电子器件的原因?,不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是在于半导体材料具有热敏性、光敏性和掺杂性。,半导体材料制作电子器件的原因?,1、热敏性：是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加，例如纯净锗从20升高到30时，电阻率下降为原来的1/2；2、光敏性：半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性；例如硫化镉薄膜在暗处：电阻为几十M。光照：电阻下降为几十K3、掺杂性：是半导体导能力，因掺入适量的杂质而发生很大的变化，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼杂质，电阻率下降到原来的几万分之一，利用这一特性，可以制造出不同性能不同用途的半导体器件。,+14,2,8,

3、4,+32,2,8,18,4,硅(锗)的原子结构,硅,锗,硅(锗)的原子结构简化模型,1.1.2 本征半导体,Si,Ge,1.1.2 本征半导体,1、本征半导体的原子 结构把非常纯净的原子结构排列非常整齐的半导体称为本征半导体。,共价键,1.1.2 本征半导体,A硅原子电子数为14，最外层电子为四个，是四价元素,B、硅原子结合方式是共价键结合：(i)每个价电子都要受到相邻两个原子核的束缚;(ii)半导体的价电子既不象导体的价电子那样容易挣脱成为自由电子，也不象绝缘体中被束缚，所以其导电能力介于导体与绝缘体之间,1、本征半导体的原子结构共价键结合，以硅原子为例,+4,+4,+4,+4,+4,+4

4、,+4,+4,+4,共价键,2、本征半导体的激发与复合,A、本征激发 电子、空穴对的产生,B、电子与空穴的复合,D、最后达到动态的平衡,C、空穴是可以移动的，其实是共价键的电子依次填补空穴，形成空穴的移动,I,IP,IN,空穴电流,电子电流,3、自由电子的运动与空穴的运动,外电路电流,图1-5 本征半导体中载流子的导电方式,半导体中两种载流子：带正电荷的空穴,带负电荷的自由电子,外电场,它们在外电场的作用下，会出现定向运动,本征半导体,3、自由电子的运动与空穴的运动,1、共价键中的电子依次填补空穴，形成空穴的运动；2、半导体中两种载流子：(1)一是带负电荷的自由电子；二是带正电荷 的空穴，它们

5、在外电场的作用下，会出现 定向运动(2)在外电场作用下形成电子流IN和空穴流IP(3)在外电路中总电流I=IN+IP,1.1.2 本征半导体,4、本征激发产生的载流子数量仍然很少，本征半导体导电能力很差，不能直接用于制造晶体管，只有在本征半导体中掺入适量的杂质，极大提高其导电性能，成为杂质半导体，才能用于制造各种半导体器件,1.1.3杂质半导体,1、N型半导体 N-type Semiconductor2、P型半导体 P-type Semiconductor,+4,+4,+4,+5,+4,+4,1、N型半导体,磷原子,空穴是少子,电子是多子,硅原子,A、在四价的本征硅中掺入微量的五价磷。B、磷原

6、子失去一个电子自身成不能移动的带正电荷的离子，称为施主杂质。掺入一个磷原子就提供一个自由电子,所以电子是多子.C、N型半导体中,电子是多子,空穴是少子 I=IP+ININD、整块的半导体仍为中性,+4,+4,+4,+3,+4,+4,2、P型半导体,硅原子,硼原子,A、在四价的本征硅中掺入微量的3价硼B、硼原子在共价键留下一个空位，相邻硅原子中的价电子容易移过来填补个空位。硼原子接受一个电子，成为带负电的离子，称受主杂质；在相邻硅共价键中产生一个带正电的空穴C、P型半导体中：空穴是多子；电子是少子 I=IP+INIPD、整块的半导体仍为中性,空穴是多子,电子是少子,1.1.4 PN结的形成与单向

7、导电性,P型区,N型区,(1)多子的扩散运动产生空间电荷区建立内电场,(2)随着内电场由弱到强得建立,少子漂移从无到有,逐渐加强,而扩散运动逐渐减弱,形成平衡的PN结。,1、PN结(PN Junction)的形成,多子的扩散,多子的扩散,1.1.4 PN结的形成与单向导电性,P型区,N型区,1、PN结(PN Junction)的形成,2、PN结的单向导电性,(1)正向偏置(forward bias外加正向电压)(2)反向偏置(reverse bias外加反向电压),(1)、外加正向电压(正向偏置forward bias),P,N,内电场,外电场,IF=I多子 I少子 I多子,A、正向偏压的接法

8、：P区接高电位，N区接低电位,B、正向偏压削弱内电场，有利多子的扩散运动，使PN结空间电荷区变窄；,C、正向偏压时，PN结为导通状态，外电路电流IF很大，PN结呈现的正向电阻很小,I多子,PN结为导通状态,P,N,内电场,IR=I少子 0,A、反向偏压的接法：P区接低电位，N区接高电位,B、反向偏压内电场增强，不利多子扩散运动，有利于少子的漂移运动，形反向电流IR，IR很小，硅管为纳安数量级，锗管为微安数量级。,C、反向偏压，使PN结空间电荷区变宽。,D、反向偏压PN结为截止状态，外电路电流接近为O，PN结呈现的反向电阻很大,(2)外加反向电压(反向偏置reverse bias）,I少子,PN

9、结为截止状态,1.2半导体二极管(Semiconductor Diode),1.2.1二极管的结构与类型1.2.2二极管的伏安特性曲线与近似模型1.2.3二极管主要参数1.2.4二极管在电子技术中的应用简介,1.2.1二极管的结构与类型,构成：PN 结+引线+管壳=二极管(Diode),分类：,按结构分,点接触型,面接触型,平面型,1、结构与类型,1.2.1二极管的结构与类型,（常见二极管的结构和外型）,2、特点与用途,1.2.2二极管的伏安特性曲线与近似模型,1、伏安特性曲线 通过二极管的电流随外加偏压的变化规律，称为二极管的伏安特性。以曲线的形式描绘出来，就是伏安特性曲线。,正向偏压,反向

10、偏压,图1-12 二极管的伏安特性,锗管,硅 管,1.2.2二极管的伏安特性曲线与近似模型,硅管,锗管,死区电压,1、正向特性加正向偏压UF A、UF较小时，IF较小 B、UF大于死区电压时，IF迅速增加，并按指数规律上升。如图中A段所示 C、当二极管电流变化很大时，二极管两端电压几乎不变，硅管约0.60.7V，锗管约0.20.3V，分别作为正向工作时两端直流压降得估算值。,2、反向特性加反向偏压UR A、反向电流IR是少子漂移运动引起，所以数量小，几乎不变，又称为反向饱和电流IS。B、当温度升高，IS增加 C、硅管IS小于1uA，锗管为几十到几百uA。,3、击穿特性 当UR继续增大，并超过某

11、一个特定电压值时，IR将急剧增大，这种现象称为击穿，这时对应的电压叫击穿电压UBR。,1、伏安特性曲线,1.2.2二极管的伏安特性曲线与近似模型,IF,UF,图1-13 二极管的近似模型,2、二极管的近似模型(1)理想模型 A、正向导通，管压降为0，即UF=0，视二极管为短路；B、反向截止，电流为0，即IF=0，视二极管为开路(2)恒压降模型A、正向导通时二极管 管压降为恒定值：硅管0.7V 锗管0.3V B、反向截止，IF=0C、当 IF1 mA时，恒压降模型的近似精度还是相当高的。,IF,UF,硅管,1、最大整流电流IF 指二极管在一定温度下，长期允许通过的最大正向平均电流2、反向击穿电压

12、UBR 管子反向击穿时的电压值称为反向击穿电压UBR。一般手册上给出的最高反向工作电压URM约为反向击穿电压的一半,1.2.3二极管主要参数,1.2.3二极管主要参数,3、反向电流IR（反向饱和电流IS)这个值越小，则管子的单向导电性就越好。,1.2.3二极管主要参数,4、结电容与最高工作频率fM PN 结的电容效应(1)PN结加电压后，其空间电荷区会发生变化，这种变化造成的电容效应称为结电容。(2)结电容越大。二极管的高频单向导电性越差。(3)fM就是二极管仍然保持单向导电性的外加电压 最高频率。,IF/mA,0.2,0.6,0.4,0.8,UF/V,5、二极管的温度特性,1.2.3二极管主

13、要参数,T 升高时，UD(on)以(2 2.5)mV/C 下降,输入曲线左移当温度 升高10 C时，IR增加一倍,IR/A,UD(on),半导体具有热敏性，温度变化,使二极管参数发生变化，使二极管工作不稳定。,IF/A,1.2.4二极管在电子技术中的应用简介,1、整流应用 利用二极管单向导电性把大小和方向都变化的正弦交流电变为单向脉动的直流电,Ui,Uo,t,t,截止,导通,Ui,Uo,VD,RL,(a)二极管整流电路;(b)输入与输出波形,1、整流应用,2、限幅的应用,利用二极管单向导性，将输出电压限定在要求的范围之内，称为限幅。,导通,截止,导通,截止,2、限幅的应用,uo,ui,t,-3

14、,t,+3,-5,uo/v,ui/v,+5,E1 3v,3v E2,（a）双向限幅电路;（b）输入与输出波形,Ui3V:VD1导通,VD2截止U0=3V,Ui-3V:VD2导通,VD1截止 U0=-3V,-3VUi3V:VD1、VD2都截止 U0=Ui,1.3 特殊二极管,1.3.1 稳压二极管1.3.2 发光二极管与光敏二极管1.3.3 变容二极管,1.3.1 稳压二极管,1、稳压二极管伏安特性曲线及其工作原理 稳压管的稳压作用在于：在反向击穿区内，反向电流IZ有很大变化，而稳压管两端电压UZ几乎保持不变。只要IzminIZIZmAX，稳压管既不损坏，又可使稳压管两端电压几乎保持不变。,符号

15、,UZ就是稳压二极管的反向击穿电压,1.3.1 稳压二极管,2、稳压管的主要参数(1)稳定电压UZ UZ就是稳压管的反向击穿电压,如2DW7，UZ（6.16.5V之间）(2)最小稳定电流IZmin,稳压二极管正常工作时 IZ IZmin.IZmin约为几mA以上(3)最大的稳定电流IZM和最大的耗散功率PZM IZ IZmax,PZM=UZ IZMAX,1.3.1 稳压二极管,2、稳压管的主要参数(4)动态电阻 rz 动态电阻是反映稳压二极管 稳压性能好坏的重要参数，rz越小，反向击穿区曲线越陡，稳压效果就越好。,例：已知稳压管稳压值UZ=6V,稳定电流最小值IZmin=5mA，求uo1,uo

16、2各为多少？,（a）若uo1=UZ=6V，则IZ1=（10V-6V)/500=8mA IZmin=5mA,稳压管处于反向击穿状态，稳压输出，则uo1=6V(b)若uo1=UZ=6V，则IZ2=（10V-6V)/2K=2mAIZmin=5mA，稳压管未击穿，则uo2=(RL/RL+R)10V=5V.,1.3.2 发光二极管与光电二极管,1、发光二极管 简称“LED”是英文 Light Emitting Diode的缩写。其电路及符号，如图1-19(1)、工作原理：发光二极管也具有单向导电性。当外加反向偏压，二极管截止不发光,当外加正向偏压，二极管导通，因流过正向电流而发光(2)、发光机理：是由于

17、正偏时，电子空穴复合释放出能量所致，发光颜色与材料及掺杂元素有关。(3)、发光二极管工作电流一般约为几至几十mA，正向电压降约为1.53V。,1.3.2 发光二极管与光电二极管,2、光电二极管(1)、光电二极管也叫光敏二极管，也具有单向导电性(2)、光电二极管的PN结被封装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管子顶部，可以直接受到光的照射。(3)、正偏时光电二极管的光敏特性不明显，反偏时，光电二极管处于截止状态：没有光照时，PN结反向电阻大，反向电流小；有光照射时，PN结附近产生光生电子空穴对，它们在偏压作用下,作定向运动,宏观上形成了光电流。,发光二极管,光敏二极管,1.3.2 发光二极管与光电二

18、极管,3、应用于远距离光电传输,图1-21 远距离光电传输的原理,1.3.3 变容二极管,1、变容二极管，就是结电容随反向电压的增加而减小的二极管。2、结电容由势垒电容CB和扩散电容CD两部分组成。3、PN结（二极管）高频等效电路。4、结电容最大值可能为5300pf,1.4半导体三极管,1.4.1 三极管的结构与类型1.4.2 三极管的基本工作原理1.4.3 三极管的特性曲线1.4.4 三极管的主要参数1.4.5 温度对三极管参数的影响,1.4.1三极管的结构与类型,半导体三极管是电子电路重要器件,它通过一定的工艺,将两个PN结结合在一起,由于两个PN结的相互影响,使三极管具有电流放大作用.从

19、二极管发展到三极管,这是一个质得飞跃.1、分类 按材料分：硅管；锗管 按功率分：小功率管；中功率管；大功率管 按结构分：NPN；PNP,2、NPN和PNP管的结构示意及符号,PN结,PN结,发射区,发射极emitter,基区,基极base,集电区,集电极collector,集电结,发射结,NPN 型,(1)符号中的箭头方向是三极管的实际电流方向,符号,(2)三极管有三个区：发射区发射极e；基区基极b；集电区集电极c。,(3)发射区掺杂浓度远高于基区掺杂浓度，基区很薄且掺杂的浓度低；而集电结面积比发射结面积大得多，所三极管的发射极与集电极不能对调使用。,2、NPN和PNP管的结构示意及符号,PN

20、结,PN结,发射区,发射极emitter,基区,基极base,集电区,集电极collector,集电结,发射结,PNP 型,(1)符号中的箭头方向是三极管的实际电流方向,符号,(2)三极管有三个区：发射区发射极e；基区基极b；集电区集电极c。,(3)发射区掺杂浓度远高于基区掺杂浓度，基区很薄且掺杂的浓度低；而集电结面积比发射结面积大得多，所三极管的发射极与集电极不能对调使用。,图1-25 常见三极管的外形,图1-25 常见三极管的外形,发射结正偏,集电结反偏,1.4.2三极管的基本工作原理,1、三极管内的载流子的传输过程（以NPN为例）,电源接法:UBB 使发射结正偏 UBE=0.7V0 UC

21、C 使集电结反偏 UBC 0 为了达到这个目的,要保证 UCCUBB,（2）电子在基区的扩散与复合，形成基极电流IB。因为基区很薄，且掺杂浓度低，电子只有一小部份被基区的空穴复合，大部份电子很快到达集电结边缘。,(1)由于发射结正偏，因此高掺杂浓度的发射区中的多子（自由电子）越过发射结，向基区扩散，形成发射极电流IE。,（3）由于集电结反偏，扩散到集电结边缘的电子，很快被吸引越过集电结，形成集电极电流IC。,2、电流分配关系,Rb,UBB,IC,IE,IB,（以NPN为例）,三极管内的载流子运动规律,发射极电流IE在基区分为基区内的复合电流IB和继续向集电极扩散的电流IC两个部分，IC与IB的

22、比例，取决于制造三极管时的结构和工艺，管子制成后，这个比例基本上是个定值。定义三极管的直流电流放大系数为IC与IB的比值，即,_,2、电流分配关系,Rb,UBB,IC,IE,IB,（以NPN为例）,图1-26 三极管内的载流子运动规律,ICEO=(1+)ICBO叫做穿透电流,当ICBO较小时,可以忽略不计,得IC=IB,表明IC与IB成正比关系,越大,IB控制IC得能力越强,2、电流分配关系,（以NPN为例）,图1-26 三极管内的载流子运动规律,_,_,Rb,UBB,IC,IE,IB,_,三极管电路的三种基本组态,共发射极接法：发射极作为公共端；共集电极接法：集电极作为公共端；共基极接法：基

23、极作为公共端。,输入回路,输出回路,(1)无交流信号 UBB接输入回路,使发射结正偏 UCC接输出回路,使集电结反偏 在这种偏置下产生IE、IC、IB.IC=IB,这是对直流电流的放大作用.,3、三极管的电流放大作用,UBB,UCC,RC,RB,如图所示称为三极管的共发射极放大电路。因为这个电路中包含由三极管的基极b与发射极e构成的输入回路和由集电极c与发射极e构成的输出回路，三极管的发射极作为输入和输出回路的公共端，所以称为共发射极放大电路。,三极管的共发射极放大电路,(2)加入交流信号后A.Ic是IB的倍,三极管对IB有放大作用,越大,控制能力越强,所以三极管是一个有电流放大的电流控制元件

24、.B.Ic在RC上产生的输出电压Uo,而Uo比Ui大约大几十倍,可以得到电压放大。,3、三极管的电流放大作用,UBB,UCC,RC,RB,1.4.3三极管的特性曲线,什么叫三极管的特性曲线？三极管伏安特性曲线是指三极管各电极电 压与各电极电流之间关系的曲线，它是管子内 部载流子运动规律的外部体现。,1.4.3三极管的特性曲线,输入回路,输出回路,1、输入特性曲线:(1)是研究当UCE=常数 时，UBE 和iB之间的关系曲 线，用函数关系式表示为:,(1)UBE 和iB之间的关系曲线(2)用 UCE=1V 的输入特性曲线来代表UCE1V 所有输入特性曲线(3)输入特性的死区电压：硅管约为0.5V

25、；锗管约为0.1V。发射结正偏导通后：硅管 UBE=0.7V；锗管 UBE=0.3V,1、输入特性曲线,20,0.4,0.6,0.8,100,60,80,40,0.2,1.4.3三极管的特性曲线,2、输出特性曲线:(1)是研究当 iB=常数 时，UCE和iC之间的关系曲线，用函数表示为:,输入回路,输出回路,2、输出特性曲线,(2)输出特性曲线,当UCE较小时起始部份很陡，当UCE 略有增加，iC 增加很快，当UCE1V 以后，再增加UCE、iC 增加不明显。(3)如改变IB 则得到另一条输出特性曲线。,（a）输入特性曲线;（b）输出特性曲线,图1-28 三极管的输入、输出特性曲线,3、把输出

26、特性曲线划分成三个区,5,10,15,20,饱和区,截止区,放大区,击穿区,(3)饱和区 区域：uCE 0.7v 以左部分 条件：发射结正偏，集电结正偏。uBE0,uBC0 特点：失去放大能力，即iCiB不成立,即iB不能控制iC 的变化。,(1)截止区：区域：iB0 输出特性曲线以下的区域为截止区 条件：发射结、集电结均反偏 uBE0,uBC0。特点：iB=0时，iC iE=ICEO=0，三极管CE间为开路。,(2)放大区 区域：iB0 以上多条的输出特性曲线。条件：发射结正偏，uBE0,集电结反偏，uBC0 特点：(A)有放大特性：iCiB(B)有恒流特性：iC与uCE无关。,【例2-1】

27、测得三只晶体管的直流电位如图(a)、(b)、(c)所示，试判断它们的工作状态。,解：图(a)中发射结正偏，集电结也正偏，所以该管工作在饱和状态。图(b)中发射结正偏集电结反偏，所以该管工作在放大状态。图2(c)中晶体管发射结反偏，集电结也反偏，所以该管工作在截止状态。,例2-2 如图所示晶体三极管工作在线性放大状态，试判断三极管是NPN型管还是PNP型管，并区分发射极E、基极B、集电极C三个电极。,1.4.4 三极管的主要参数,1、电流放大系数（1）共发射极直流电流放大系数（2）共发射极交流电流放大系数（3）输出特性曲线近于平行等距，且ICEO很小时，,（4）共基极直流电流放大系数（5）共基极

28、交流电流放大系数（6)当ICBO很小时,1.4.4 三极管的主要参数,2、极间反向电流（1）集电极基极间反向饱和电流ICBO A、发射极开路（IE=0）时，基极和集电极之间的反向电流称ICBO B、硅管 ICBO1A锗管 ICBO=10A 左右 C、ICBO越小，管子质量越好。,1.4.4 三极管的主要参数,2、极间反向电流(2)集电极发射极间的反向电流ICEO A、基极开路时（IB=0），集电极与发射极之间加反向电压时，从集电极穿过基区流到发射极的电流称ICEO B、ICEO=（1+）ICBO C、要求ICEO越小越好。,全,1.4.4 三极管的主要参数,3、极限参数(1)基极开路时，集电极

29、与发射极之间的反向击穿电压U(BR)CEO。使用时三极管各电极间的电压不要超过U(BR)CEO就可以了。(2)集电极最大允许电流ICM。IC。ICM 就是表示下降到额定值的1/32/3时的IC值，正常工作时，iCICM。(3)集电极最大允许耗散功率PCM=iCuCE。在的输出特性曲线上，做出三极管临界损耗线，如图,iC/mA,U(BR)CEO,ICEO,ICM,安,工,作,区,PCM=iCuCE,损,过,耗,区,输出特性曲线,1.4.5 温度对三极管参数的影响,1、温度对ICBO的影响 温度每升高10，ICBO就增加一倍。2、温度对的影响 三极管的电流放大系数随温度升高而增大。三极管每升高1，

30、相应地增大0.513、温度对发射结正向电压降UBE的影响 当温度上升1，UBE电压下降(22.5mV/),1.5 场效应管,前面研究的三极管,空穴和电子均参与了导电,是双极型器件，是电流控制器件。而场效应管（FET，Field Effect Transistor）只有一种载流子多子参与导电,所以是一种单极型器件.它具有输入阻抗高的特点,同时受温度和辐射影响较小,又便与集成化,也成为当今集成电路发展的重要方向。,1、结型场效应管的结构和类型类型:N 沟道 JFET P 沟道 JFET,1.5.1 结型场效应管,结构：在一块掺杂浓度较低的N型硅片两侧，制作两个高浓度的P区，形成两个P区（用P+表示

31、），把它连接在一起，引出一个电极为栅极g，中间N型半导材料两端各引出一个电极分别叫源极s和漏极d。s、d极可以互换使用，中间的N区域流过电流，所以称为导电沟道.g、s、d三个极分别与三极管b、e、c极相对应。符号图中的箭头表示由P区(栅极)指向N区(沟道)的方向。,P+,P+,耗尽层,g(Gate),d(Drain),N,N 沟道JFET,s(Source),N沟道,1.5.2绝缘栅场效应管。,IGFET（Insulated Gate Field Effect Transistor）IGFET是目前应用最广泛的金属氧化物半导体（MetalOxideSemiconductor）绝缘栅场效应管，简

32、称为MOSFET或MOS管。因为它的栅极处于绝缘状态，所以叫绝缘栅场效应管。它是利用半导体表面的电场效应工作的，也称为表面场效应器件。MOS管输入电阻更高，可达1015以上，并且便于集成，是目前发展很快的一种器件。,增强型MOS场效管,绝缘栅场效应管也有N沟道和P沟道两种，每一种又分为增强型和耗尽型两种。(1)结构与电路符号,P 型衬底,(掺杂浓度低),用扩散的方法制作两个 N 区,在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层,用金属铝引出源极 S 和漏极 D,在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G,S-源极 Source,G-栅极 Gate,D-漏极 Drain,耗尽层,（a）增强型NMOSFET的结构;（

33、b）增强型NMOSFET的电路符号;（c）增强型PMOSFET的电路符号,（a）,（b）,（c）,箭头方向是表示由P（衬底）指向N（沟道），符号中的断线表示当 uGS0时，导电沟道不存在。,双极型和场效应型三极管的比较,3、场效应管使用注意事项,（1）不要使栅极悬空，即使不用时，也要用金属导 线将三个电极短接起来。焊接时，应把电烙铁 断开电源后再行焊接，以免感应击穿栅极。（2）结型场效应管栅压不能接反，否则PN结正偏，栅流过大，使管子损坏。（3）可以用万用表测结型场效应管的PN结正、反电 阻，但绝缘栅管不能用万用表直接去测三个电 极,应该用接地良好的专门仪器才能测试管子的好坏。（4）场效应管S

34、和D极可以互换使用，但有些产品出厂 时，已把S极和衬底连在一起，这时D、S就不能 互换。,1.5.3 场效应管与三极管的特点比较,s,g,d,iD,s,g,d,iD,0 uDS/V,iD/mA,uGS=0v,1v,3v,uGS/V,iD/mA,3v 0,IDSS,结型场效应管,沟道,沟道,P,N,uGS/V,iD/mA,3v,IDSS,UGS(off),UGS(off),1.5.3 场效应管与三极管的特点比较,增强绝缘栅场效应管,沟道,沟道,P,N,O uDS/V,iD/mA,uGS=6 V,5 V,4 V,3 V,s,g,d,衬底,iD,s,g,d,衬底,iD,3,O,uGS/v,iD/mA,3,uGS/v,iD/mA,UGS(th),O,UGS(th),1.5.3 场效应管与三极管的特点比较,耗尽型绝缘栅场效应管,沟道,沟道,P,N,s,g,d,衬底,iD,iD,s,g,d,衬底,uGS/V,iD/mA,4 O,uGS/V,iD/mA,O,4,UGS(off),UGS(off),IDSS,IDSS,