器件型号命名方法.ppt

《器件型号命名方法.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《器件型号命名方法.ppt（22页珍藏版）》请在三一办公上搜索。

1、元器件型号命名、规格参数标志方法,一、固定电阻器、固定电容器型号命名、规格参数标志方法,1、固定电阻器型号命名、规格参 数标志方法固定电阻器型号命名方法 第四部分：序号 第三部分：特征 第二部分：材料 第一部分：主称,固定电阻器规格参数标志方法 第四部分：允许偏差 第三部分：标称阻值 第二部分：额定功率 第一部分：元件型号,电阻器型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例R J 7 1 第四部分：序号 第三部分：特征（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）,规格参数标志示例 RJ710.1255101%第四部分：允许偏差（1%）第三部分：标称阻值（510）第二部分：额定功率（

2、1/8W）第一部分：元件型号（精密金属膜）,固定电容器型号命名方法 第四部分：序号 第三部分：特征 第二部分：材料 第一部分：主称,固定电容器规格参数标志方法 第四部分：允许偏差 第三部分：标称容值 第二部分：额定耐压 第一部分：元件型号,2、固定电容器型号命名、规格参数标志方法,电容器型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例C D 1 1 第四部分：序号 第三部分：特征（箔式）第二部分：材料（铝电解）第一部分：主称（电容器）,规格参数标志示例CD11-16V-100F-20 第四部分：允许偏差(20%）第三部分：标称容值（100F）第二部分：额定耐压（16V）第一部分：元件型号（CD11

3、）,二、贴片电阻器、贴片电容器型号命名、规格参数标志方法,1、贴片电阻器型号命名、规格参数标志方法贴片电阻器型号命名方法 第七部分：包装方式 第六部分：允许偏差 第五部分：标称阻值 第四部分：温度系数 第三部分：封装尺寸 第二部分：额定功率 第一部分：主称,贴片电阻器规格参数标志方法 第五部分：允许偏差 第四部分：标称阻值 第三部分：封装尺寸 第二部分：额定功率 第一部分：元件主称,贴片电阻器型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例R S-05 K 1002 F T 第七部分：包装方式（T：编带）第六部分：允许偏差（F1%）第五部分：标称阻值（1002：10K）第四部分：温度系数（K：10

4、0ppm/）第三部分：封装尺寸（05：0805）第二部分：额定功率（S：1/8W）第一部分：器件主称（R：电阻器）,规格参数标志示例R S-0805-5.1K-1%第五部分：允许偏差（1%）第四部分：标称阻值（5.1K）第三部分：封装尺寸（0805）第二部分：额定功率（S系列）第一部分：元件主称（R：电阻器）,2、贴片电容器型号命名、规格参数标志方法,贴片电容器型号命名方法 第九部分：包装方式 第八部分：个别规格 第七部分：允许偏差 第六部分：标称容值 第五部分：额定电压 第四部分：材质 第三部分：厚度 第二部分：封装尺寸 第一部分：产品型号,贴片电容器规格参数标志方法 第五部分：允许偏差 第

5、四部分：标称容值 第三部分：额定耐压 第二部分：封装尺寸 第一部分：元件型号,贴片电容器型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例GRM 18 8 R7 1C 225 K E15 D 第九部分：包装方式（D：纸编带）第八部分：个别规格（E15）第七部分：允许偏差（K：10%）第六部分：标称容值（2.2F）第五部分：额定电压（1C：16V）第四部分：材质（R7：X7R）第三部分：厚度（8：0.8mm)第二部分：封装尺寸（18：0603）第一部分：产品型号(GRM:普通陶瓷),规格参数标志示例CC41-1210-50V-22F-20 第五部分：允许偏差（20%）第四部分：标称容值（22F）第三部

6、分：额定耐压（50V）第二部分：封装尺寸（1210）第一部分：元件型号(CC41),三、固定小型电感器型号命名、规格参数标志方法,固定电感器型号命名方法固定小型电感器型号命名方法由下列四部分组成：第四部分：序号 第三部分：形式 第二部分：特征 第一部分：主称,固定电感器规格参数标志方法固定小型电感器规格参数标志方法由下列四部分组成：第四部分：允许偏差 第三部分：标称电感 第二部分：额定电流 第一部分：元件型号,固定小型电感器型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例L G X 1 第四部分：序号 第三部分：形式（小型）第二部分：特征（高频）第一部分：主称（电感器）,规格参数标志示例LGX1A

7、10H5%第四部分：允许偏差（5%）第三部分：标称电感（10H）第二部分：额定电流（50mA)第三部分：元件型号（高频小型电感）,四、小型贴片电感器型号命名、规格参数标志方法,贴片电感器型号命名方法 第十部分：包装 第九部分：电极 第八部分：特征 第七部分：允许偏差 第六部分：标称电感 第五部分：类型 第四部分：应用特性 第三部分：封装尺寸 第二部分：结构形式 第一部分：产品型号,贴片电感器规格参数标志方法 第五部分：允许偏差 第四部分：标称电感 第三部分：额定电流 第二部分：器件封装 第一部分：元件型号,小型贴片电感器型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例LQ H 32 M N 331

8、 K 2 3 L 第十部分：包装（L：编带）第九部分：电极（3：无铅焊剂）第八部分：特征（2：标准型）第七部分：允许偏差（K：10%)第六部分：标称电感（331：330H）第五部分：类型（N：标准型）第四部分：应用特性（M：薄膜型）第三部分：封装尺寸（32：1210）第二部分：结构形式（H：绕线型，铁氧体芯）第一部分：产品型号（LQ),规格参数标志示例 LQ-1210-65mA-330H-10%第五部分：允许偏差（10%）第四部分：标称电感(330 H)第三部分：额定电流（65mA)第二部分：器件封装（1210）第一部分：元件型号（LQ）,五、半导体分立器件型号命名、规格参数标志方法,1、半导

9、体分立器件型号命名、规格参数标志方法半导体分立器件型号命名方法 第五部分：规格号 第四部分：序号 第三部分：器件类别 第二部分：材料极性 第一部分：电极数目,半导体分立器件规格参数标志方法 第四部分：附加参数 第三部分：规格参数 第二部分：封装形式 第一部分：元器件型号,半导体分立器件型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例3 A D 50 C 第五部分：规格号（C）第四部分：序号（50）第三部分：器件类别（D：低频大功率）第二部分：材料极性（A：PNP型、锗材料）第一部分：电极数目（3：三极管）,规格参数标志示例1N4732A-（DO-41）-4.7V-1W 第四部分：附加参数（功率）第

10、三部分：器件参数（稳压值）第二部分：器件封装（DO-41)第一部分：器件型号(1N4732A）第四部分：附加参数（功率）第三部分：规格参数（稳压值）第二部分：器件封装（1206）第一部分：器件型号（1N4698）,型号命名示例CS 2 B 第五部分：规格号（B）第四部分：序号（2）第三部分：器件类别（场效应晶体管）,规格参数标志示例1N4698-1206-11V-1/2W 第四部分：附加参数(1/2W)第三部分：规格参数(11V)第二部分：封装尺寸（1206）第一部分：器件型号（1N4698),六、半导体集成电路型号命名、规格参数标志方法,1、半导体集成电路型号命名、规格参数标志方法半导体集成

11、电路型号命名方法 第五部分：器件封装 第四部分：温度范围 第三部分：品种代号 第四部分：器件类型 第五部分：符合国家标准,半导体分立器件规格参数标志方法 第二部分：器件封装 第一部分：器件型号,半导体集成电路型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例C F 741 C T 第五部分：器件封装（T：金属圆形）第四部分：温度范围（C：770）第三部分：品种代号（741）第二部分：器件类型（F：线性放大器）第一部分：符合国家标准（C）,规格参数标志示例ADC0809（DIP-28）第二部分：器件封装（DIP-28）第一部分：器件型号（ADC0809）,七、变压器型号命名、规格参数标志方法,1、中频

12、型号命名、规格参数标志方法中频变压器型号命名方法 第一部分：级数 第二部分：尺寸 第三部分：主称,中频变压器规格参数标志方法,第二部分：器件封装 第一部分：器件型号,中频变压器型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例TTF3 1 第三部分：级数（第一级）第二部分：尺寸（121216）第一部分：主称（磁性瓷心式调幅用 中频变压器）,规格参数标志示例TTF31（121216）第二部分：器件封装 第一部分：器件型号（DB-60-2）,2、低频型号命名、规格参数标志方法低频变压器型号命名方法 第一部分：序号 第二部分：功率 第三部分：主称,低频变压器规格参数标志方法 第二部分：器件封装 第一部分：器件型号,低频变压器型号命名、规格参数标志方法实例,型号命名示例DB602 第三部分：序号（2）第二部分：功率（60VA）第一部分：主称（DB：电源变压器）,规格参数标志示例DB602（器件封装）第二部分：器件封装 第一部分：器件型号（DB-60-2）,