单晶制绒工艺培训.ppt
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1、单晶制 绒 工 艺 培 训,工 艺 部,主要内容,制绒目的制绒原理RENA制绒工艺流程工艺常见问题以及解决方法制绒工序岗位职责注意事项,制绒目的,消除表面硅片表面有机沾污(HF)和金属杂质(HCL)去除硅片表面的机械损伤层,减少表面复合中心 在硅片表面形成绒面,增加太阳光的吸收减少反射,增加PN结面积,提高短路电流(Isc),最终提高电池光电转换效率 绒面不仅仅是腐蚀坑洞,也是改善表面态的有效手段,绒面制作不好表面态难以补偿,悬挂键大幅度增加,少子寿命复合严重,Isc的提高几乎不可能。,多晶硅切割过程,切割过程中会形成机械损伤层,约10微米,陷光原理,光在光滑半导体薄片表面 陷光原理图 上的反
2、射、折射和透射 当入射光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收,从而增加吸收率。,在绒面硅片上制成PN结太阳电池,它有以下特点:,绒面电池比光面电池的反射损失小,如果再加减反射膜,其反射率可进一步降低。入射光在光锥表面多次折射,改变了入射光在硅中的前进方向,不仅延长了光程,增加了对红外光子的吸收,而且有较多的光子在靠近PN结附近产生光生载流子,从而增加了光生载流子的收集几率。在同样尺寸的基片上,绒面电池的PN结面积比光面大得多,因而可以提高短路电流,转换效率也有相应提高。绒面也带来了一些缺点:一是工艺要求提高了;二是由于它减反射的无选择性,不能产生电子空穴对的有
3、害红外辐射也被有效地耦合入电池,使电池发热;三是易造成金属接触电极与硅片表面的点接触,使接触电阻损耗增加。,好的织构化效果,7,很好的织构化可以加强减反射膜的效果,左图中蓝色线为抛光后的Si的反射图,经过不同织构化处理之后的反射图。右图为在织构后再沉积SiNx:H薄膜的反射光谱图。,8,二、制绒原理,单晶制绒利用低浓度碱溶液对硅片的不同晶面各项异性腐蚀形成金字塔结构。化学反应如下:,9,腐蚀速率快慢由下列三个反应速度来决定。1、腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速率;2、腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反应的反应速率;3、生成物从被腐蚀物表面离开的速率。,10,腐蚀的反应物和生成物是利用腐蚀液之浓度梯度
4、然产生的扩散现象来达到传质的目的。所以,1、3又可称为扩散限制溶解过程(diffusionlimited dissolution),通过搅拌可以提高。2的速率取决于腐蚀温度、材料、腐蚀液种类及浓度,和搅拌方式无关,被成为反应限制溶解过程(reactionrate limited dissolution)。各向异性就是由化学反应的各向速率不同造成的。,原理各项异性原因,11,Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2,1、水分子的屏蔽效应(screening effect)阻挡了硅原子与OH根离子的作用,而水分子的屏蔽效应又以原子排列密度越高越明显。2、在111晶面族上,每个硅原子具有三个
5、共价健与晶面内部的原子健结及一个裸露于晶格外面的悬挂健,100晶面族每一个硅原子具有两个共,111,100,价健及两个悬挂健,当刻蚀反应进行时,刻蚀液中的OH会跟悬挂健健结 而形成刻蚀,所以晶格上的单位面积悬挂健越多,会造成 表面的化学反应自然增快。,原理-腐蚀速度差别形成金字塔,12,较快的腐蚀速度,较慢的腐蚀速度,原理-各因素分析,硅的刻蚀速率与表面原子密度、晶格方向、掺杂浓度、腐蚀液成分、浓度、温度、搅拌等参数有关NaOH浓度无水乙醇或异丙醇浓度制绒槽内硅酸钠的累计量制绒腐蚀的温度制绒腐蚀时间的长短槽体密封程度、乙醇或异丙醇的挥发程度,13,原理-各因素分析,14,反应控制过程,扩散控制
6、过程,原理-各因素影响,温度越高腐蚀速度越快腐蚀液浓度越高腐蚀速度越快IPA浓度越高腐蚀速率越慢Na2SiO3浓度越高腐蚀速率越慢,15,原理-氢氧化钠影响,16,0.5%,1.5%,5.5%,原理-温度影响,17,80,85,90,原理IPA影响,18,0,5,10,什么样的是“好的”金字塔,19,小而均匀,布满整个硅片表面,20,Low density texture,High density texture,21,怎样得到“好”的金字塔,关键:降低硅片表面/溶液的界面能,两个方面实现:1、提高硅片表面的浸润能力,如添加IPA或者把硅片进行酸或碱的腐蚀。2、减少溶液的张力,如添加添加剂。添
7、加剂有很多极性或非极性的功能团来降低腐蚀液表面的张力。,添加剂的作用,22,单晶和多晶绒面,单晶绒面 多晶绒面 显微镜下观察绒面,三、RENA制绒工艺流程,上料,单晶制绒设备,26,27,28,工艺流程,粉色:称重;蓝色:预清洗,红色:制绒绿色:漂洗黄色:酸洗米色:烘干,工艺监控指标,金字塔大小:控制在3-5微米测量工具:RENA设备自带称重功能通过计算可以将制绒前后减薄量转换为金字塔大小,工艺监控指标,反射率:单晶制绒后反射率控制在11%-13%反射率测试:反射率测试仪在工艺使用时用反射率测试仪测试确定工艺方案,在生产中要观察制绒后硅片的亮度,进行适当的调整。,30,工艺配比,预清洗:氢氧化
8、钠/氢氧化钠+双氧水制绒槽:氧化钠:1%2%IPA:3%7%温度:78-85酸洗:盐酸+氢氟酸,31,中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液,HF可去除硅片表面氧化层(SiO2),形成疏水表面,便于吹干,HCl中的Cl-有携带金属离子的能力,可以用于去除硅片表面金属离子,反应如下:SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O,酸洗槽作用,单晶制绒不良,33,雨点,水印,花篮印,白斑,IPA浓度不够,增加IPA浓度,1.硅酸钠含量太高2.漂洗效果不理想,补纯水换液,1.新花篮2.花篮与硅片接触过于紧密,高浓度碱液浸润,绒面未完全覆盖硅片,1.提高碱浓度2.延长时间,单晶不良,34,金字塔覆盖不完全,硅片
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