动态CMOS逻辑电路.ppt
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1、第七章 动态CMOS逻辑电路,动态逻辑电路的特点预充求值的动态CMOS电路多米诺CMOS电路时钟同步CMOS电路,静态电路 vs.动态电路,动态电路是指电路中的一个或多个节点的值是由存储在电容上的电荷来决定的;,静态电路是指电路的所有节点都有到地或到电源的电阻通路;,静态逻辑 vs.动态逻辑,静态逻辑,稳定的输入信号使MOS管保持在导通或截止状态,维持稳定的输出状态,信号可长期保持;,动态逻辑,即使撤掉输入信号,输出状态在一定时间内仍可保持,但最终不能长期保持。,撤掉输入信号,则输出信号不存在。,利用电容的存储效应来保存信息;,CMOS动态逻辑的特点,比CMOS逻辑晶体管数少,减小了芯片面积;
2、,提高电路工作速度;,比静态逻辑快,比类NMOS逻辑功耗低;,仍是CMOS逻辑,为无比逻辑;,动态逻辑 vs.CMOS逻辑,优点:,管子数少,面积小,速度快;,产生泄漏电流,影响动态节点的信号保持;,缺点:,出现电荷分享现象,造成信号丢失;,需要时钟信号控制电路的工作,增加设计难度;,预充求值动态逻辑 vs.类NMOS逻辑,可以说是在类NMOS电路的基础上发展起来的。,也是只用一个NMOS(或PMOS)逻辑块实现逻辑功能,而把另一逻辑块用单个PMOS(或NMOS)管代替。,不同的是负载管不是常通的,而是受时钟信号的控制;而且对逻辑功能块也增加了时钟信号的控制。,预充求值的动态CMOS电路,预充
3、求值动态电路的基本构成,把静态CMOS逻辑直接转换为类NMOS逻辑,再把类NMOS电路中的常通PMOS负载器件改换为由一时钟信控制的PMOS负载管。,(b)类NMOS电路,(a)CMOS静态电路,当 时,PMOS管导通,对输出节点的负载电容充电,使输出上升为高电平,在预充阶段电路并不实现要求的逻辑功能,这段输出是“不真”的。当 时,PMOS管截止,输出电平根据输入信号决定,这才是逻辑求值阶段,右图电路实现的是“或非”功能,若求值阶段A=B=0则下拉通路不通,输出保持预充的高电平;若求值阶段A、B中有一个信号为“1”,则下拉通路导通,输出结点电容放电,输出为低电平。问题:若预充阶段A、B中有一个
4、信号为高电平“1”,则下拉通路也导通,不仅会使电路有直流功耗,而且使输出达不到高电平,为了有足够高的高电平,PMOS管要有足够大的导电因子,这将增加电路面积。,求值晶体管,如不加该求值晶体管,则当时钟控制的PMOS器件在对输出充电的过程中,可能会在上拉路径和下拉路径之间产生竞争。,在下拉路径中增加一个用时钟控制的NMOS管,则只在PMOS器件被关闭之后才导通,才可实现逻辑求值;故,该NMOS管又称为求值晶体管。,预充-求值动态电路,预充求值动态电路的一般结构(富NMOS/富PMOS 电路),对于富NMOS电路 电路处于预充阶段,Mp导通对输出结点电容充电,由于Mn截止,下拉通路断开,使输出电平
5、为高电平。Mp截止,上拉通路断开,由于Mn导通,下拉通路可以根据输入信号求值,若A=B=1,则下拉通路导通,使输出放电到低电平,否则保持预充的高电平。用一对受时钟信号控制的NMOS管和PMOS管使上拉通路和下拉通路不能同时导通,因此是无比电路。,预充求值动态电路的一般结构(富NMOS电路),预充求值AOI动态门,预充-求值的动态CMOS与非门,预充求值电路中的电荷分享问题,对于预充-求值的动态电路,若输入信号在求值阶段变化,可能会引起电荷分享问题,使输出信号受到破坏。,对于预充-求值的动态电路,若输入信号在求值阶段变化,可能会引起电荷分享为题,使输出信号受破坏。对于上图电路,若要求在求值期间A
6、=1,B=0,使输出为高电平Vdd,如果信号A在 以后才从“0”变到“1”,则会由于电荷分享使输出高电平下降。当 时,电路处于预充阶段,Mp导通对输出结点充电,若A=B=0,则M1和M2都截止,中间结点电容C1不能被充电,Mp只对CL充电,使输出为Vdd。当 时,电路处于求值阶段,Mp截止,信号B仍然为0,M2截止,因此尽管Mn导通,下拉通路仍然断开,输出应保持为高电平。但是在求值阶段A信号从“0”变到“1”,使M1管导通,通过导通的M1,把CL和C1并联在一起。在预充阶段CL被充电使输出Vout=Vdd,而C1没被充电,V1=0,当两个电容并联以后,将使CL上存储的电荷向C1转移,最终达到静
7、电平衡,使V1和Vout达到一个共同的平衡电平Vf。由于在求值阶段Mp截止,不能对CL再充电,原来CL被预充的电荷现在要由CL和C1两个电容分享,这就是预充-求值动态电路的电荷分享问题。,预充求值电路的级连,当用多级动态逻辑门去实现复杂功能时,不能用富NMOS与富NMOS直接级联,对于富NMOS电路,输出节点预充的高电平可以使下一级电路中的NMOS管导通,可能引起误操作,破坏电路的正常输出。,上图是一个富NMOS的动态与非门和一个富NMOS的动态或非门级连的情况。在预充期间两个电路下拉通路都断开,Mp1和Mp2都导通,使结点电平V1和V2都达到高电平Vdd。在求值阶段,若A=B=1,C=0,应
8、该使V1=0,V2=Vdd。但是由于V1从预充的高电平下降到低电平要通过3个串联的NMOS管放电,V1下降需要一定的时间。在V1还没有下降到Vtn以前,M3管仍然导通,M3和Mn2构成了下拉通路使V2下降,当V1下降到低电平时,使M3管截止后,V2停止下降,但是在求值阶段Mp1和Mp2都截止,V2结点存储的电荷得不到补充,V2电平下降后不能再恢复到合格的高电平,影响了电路的正常工作,因此不能用富NMOS动态电路与富NMOS电路直接级连。,为了避免预充-求值动态电路在预充期间不真实输出影响下一级电路的逻辑操作,富NMOS与富NMOS电路不能直接级联,而是采取富NMOS和富PMOS交替级联的方法,
9、或者采用静态反相器隔离,即采用多米诺电路。,时钟信号的设计,动态短路必须有时钟控制。时钟信号的最高频率由电路的充、放电时间限制;时钟信号的最低频率受存储电荷保持时间限制。,与静态反相器上升时间相同,n,时钟频率的限制,要使电路正常工作,时钟信号为低电平时间必须大于电路上升时间;时钟信号为高电平时间必须大于电路的下降时间。如果时钟占空比为1:1,则半周期时间由充放电时间中较长的一个限制。,如果在求值时NMOS逻辑块不存在导通通路,输出为高,由于电路中存在各种泄漏电流,将输出节点电容上存储的电荷泄放,时间越长,电荷泄漏越多,高电平下降越显著。如果允许高电平下降20%,则由此可以限定输出最长保持时间
10、。,时钟信号的产生,真正的单向时钟电路中,不存在两相时钟偏移引起的信号竞争问题。但是会由于时钟信号延迟引起各个部分工作的不同步。对于小的局部电路模块,时钟信号线的Rc延迟很小,影响不大;但是对于整个芯片来说,时钟信号线的RC延迟将变得不可忽略,会严重影响整个数字系统的可靠工作。因此,对时钟信号线要精心设计。由于时钟信号要控制芯片上各部分电路工作,因此扇出系数非常大。为提高驱动能力,并避免由于负载不均匀引起到达各个电路的时钟延迟不一致,时钟信号必须经过多级反相器构成的缓冲器,而且采用树状结构。,多米诺(Domino)CMOS电路,多米诺(Domino)CMOS电路,多米诺CMOS电路由一级预充-
11、求值动态逻辑门加一级静态CMOS反相器构成。由于经过反相器输出,提高了输出驱动能力,也解决了富NMOS与富NMOS动态电路不能直接级联的问题。,多米诺(Domino)CMOS电路,=0是预充阶段,使V1为高电平,输出低电平;当=1时,若A=B=1,则M1,M2和MN1构成下拉通路导通,使V1放电到低电平,反相后输出高电平。若两个信号不全为高,则输出保持为低电平。,多米诺CMOS电路的特点,由于富NMOS多米诺电路在预充期间的输出为低电平,它不会使下级NMOS管导通,因此富NMOS的多米诺电路直接级联不会影响下一级电路正常工作。,时,所有PMOS负载管都导通,使每一级动态电路的输出结点都被充电到
12、高电平即V1=V2=V3=V4=Vdd。时,多米诺电路根据输入信号求值,若输入信号是A=B=C=D=E=1,第1级下拉通路导通,使V1下降到0;V1的低电平经过反相器反相后使第2级的M3导通,由于C=1,M4也导通,第2级下拉通路导通,使V2下降到0,V2的低电平反相后加到第3级的输入管,又使第3级下拉通路导通,引起V3下降,如此一级级连锁反应,就像推倒多米诺骨牌一样,也正是电路名称的由来。,在预充期间,V1和V2都达到高电平Vdd,由于预充期间多米诺电路的输出为低电平,使M3截止,中间结点电容Cy不能被充电,只有输出结点电容Cx被充电。在求值期间,若A=B=1,C=0,求值结果应该使V1=0
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