功率晶体管和二极管.ppt

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1、第八章功率晶体管和二极管,引言,功率电子学的发展特征是器件的发展 慢速SCR-高速开关器件 应用场合更为广阔 二极管/晶体管/GTR/MOS/IGBT,第八章功率晶体管和二极管,基本要求：了解各种常用的功率晶体管和二极管的基本特性和定额参数，为设计功率电路正确选择功率器件打下基础学习内容：功率二极管：大功率晶体管：GTR大功率双极型功率晶体管（Bipolar Junction Transitor,BJT）MOSFET金属氧化物半导体场效应管IGBT绝缘栅晶体管,第一节功率二极管,功率二极管不可控器件Power Diode:结构简单工作可靠自20世纪50年代就获得应用快恢复二极管和肖特基二极管：

2、分别在中高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位,第一节功率二极管,功率二极管的工作原理基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样以半导体PN结为基础，由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的,第一节功率二极管,N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。P区主要为空穴即为多子，N区的多子为电子；交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区的多子向另一区的扩散运动，到对方区内成为少子，在界面两侧分别留下了带正、负电荷这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。,第一节功率二极管,空间电荷建立的电场被称为内电场或自建电场，其方向是阻止 扩散运动的，另一方面又吸引对方区内的少子（对本区

3、而言则为 多子）向本区运动，即漂移运动。?扩散运动和漂移运动既相互联系又是一对矛盾，最终达到动态平 衡，正、负空间电荷量达到稳定值，形成了一个稳定的由空间电 荷构成的范围，被称为空间电荷区，按所强调的角度不同也被称 为耗尽层、阻挡层或势垒区。,第一节功率二极管,当PN结外加正向电压时，外加电场与PN结的内电场方向相反，在外电场作用下P区的空穴和N区的电子将被吸引到耗尽层，使耗尽层变窄削弱，有利于多子扩散不利于少子漂流,第一节功率二极管,PN结外加反向电压时，外加电场与PN结内电场方向相同，在外电场的作用下，多子将离开PN结而位空间电荷区变宽，增强了内电场，因而有利于少于的漂移而不利于多子的扩散

4、。,二极管的伏安特性,PN结的理解特性,二极管的伏安特性,PN结的正向导通特性,二极管的伏安特性,PN结的反向偏置,正向特性,正向导通及反向截止,PN结的正向导通状态PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左 右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态PN结的反向截止状态PN结的单向导电性二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要 特征PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿,二极管正向特性,1.正向压降随耐压升高而升高2.正向压降随温度升高而降低3.正向压降的负温度系数对单个工作有利4.正向压降的负温度系数对并联不利,正向特性的负温度特性,二极管特性,符号:D导通机

5、理:PN结特性正向偏置特性反向偏置特性,二极管的开关特性,PN 结是P/N 型半导体结合区的空间电荷区空间电荷区-内电场-耗尽层当外加正电压，削弱内电场，注入电荷,形成正向电流正电压减小时，空间电场放出电荷，内电场增强,正向电流减小类似电容充放电,-二极管的动态特性中电容效应尤为关键,二极管的电容效应(1),两端电压变化，内电场重新建立,等效为Cb称之为”垫垒电容”Cb与PN结截面积成正比,这与电容基本定义一致,二极管的电容效应(2),二极管的电流变化,内部存储电荷变化空穴从P 区到N 区，电子从N 区到P 区电荷不完全复合,多余部份即为存储电荷当电流大,存储电荷增加；当电流小,放出电荷；表现

6、出电容特性将之等效为Cd,即扩散电容,PN结的电容效应：,PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电 容Cj，又称为微分电容。结电容按其产生机制和作用的差别 分为势垒电容Cb和扩散电容Cd势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。势垒电容的大小与PN结截面积成正 比，与阻挡层厚度成反比而扩散电容仅在正向偏置时起作用。在正向偏置时，当正向电 压较低时势垒电容为主，正向电压较高时扩散电容为结电容 主要成分结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作，应用时应加以注 意。,二极管结电容,Cj=Cb+Cd理解了二

7、极管的电容效应很容易理解其开关过程不能瞬间完成尤其在外加反压时，二极管的结电容必须先放电，经过一段恢复时间后，二极管才能恢复阻断Cj的存在导致二极管开关损耗增加,二极管开关特性,等效电路反向恢复特性(重点),几种反向恢复比较,反向恢复的影响,引起较大的损耗di/dt造成较大的电磁干扰以及尖峰电压限制了二极管的开关速度,二极管的类型,按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性有不同的分类应用时，应根据不同场合的不同要求，选择不同类型的功率二极管；性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的。普通二极管 trr大，适用于低频,如1 khz整流电路快恢复二极管 trr5 us

8、，开关二极管，用于高频整流/斩波和逆变,其中超快恢复trr50 ns肖特基二极管,二.功率二极管的主要类型,1.普通二极管（General Purpose Diode）又称整流二极管（Rectifier Diode）多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电中；其反向恢复时间较长，一般在5s以上，这在开关频率不高时并不重要；正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。,二.功率二极管的主要类型,2.快恢复二极管（Fast Recovery DiodeFRD）恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5s以下）的二极管，也简称快速二极管从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级

9、。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到2030ns。,3.肖特基二极管,以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（SchottkyBarrier Diode棗SBD），简称为肖特基二极管结构特殊:金属层+N,利用接触势垒的单向导电作用 结构/符号,不是完整的PN 结,肖特基二极管,肖特基二极管的优点*反向恢复时间很短（1040ns）*正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲*在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢 复二极管*其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高 肖特基二极管的弱点：当反向耐压提高时其正向压降也会高得不

10、能满足要求，因此多 用于200V以下；*反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽 略，而且必须更严格地限制其工作温度。,肖特基伏安特性的比较,肖特基应用场合,应用于高频/低压场合高频:因为其trr小低压:压降小,器件损耗小耐压等级低限制其在高输出电压的应用场合,.功率二极管的基本特性,1.静态特性主要指其伏安特性当功率二极管承受的正向电压大到一定值（门槛电压 UTO），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。功率二极管两端的电压UF即为其正向电压降。当二极管承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。,2.动态特性,动态特性棗因结电容的存在，状态转换有一个过渡过程，此

11、过程中的电压电流特性是随时间变化的开关特性：反映通态和断态之间的转换过程关断过程：须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态 在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲,反向恢复时间：trr=ta+tb,ta-势垒电容的放电时间；tb-扩散电容的放电时间；恢复特性的软度：下降时间与延迟时间的比值tb/ta，或称恢复系数(柔度系数)，用SF表示开通过程：二极管的正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于 接近稳态压降的某个值。这一动态过程时间被称为正向恢复 时间tfr。*需一定的时间来储存大量少子，达到稳态导通前管压降较 大*正向电流的上升会因器件自身的电感

12、而产生较大压降。电 流上升率越大，UFP越高,二.功率二极管的主要参数,1.正向平均电流IF(AV)额定电流：在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值（与SCR相同）正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的，因此使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。,二.功率二极管的主要参数,2.正向压降UF指功率二极管在指定温度下，流过某一特定的稳态正向电流时对应的正向压降；3.反向重复峰值电压URRM 对功率二极管所能重复施加的反向最高峰值电压 通常是其雪崩击穿电压UB的2/3 使用时，往往按照电路中功率二极管可能承受的反向最高

13、峰值电压的两倍来选定。,二.功率二极管的主要参数,4.最高工作结温TJM 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示 最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最 高平均温度 TJM通常在125175C范围之内5.反向恢复时间trrtrr=td+tf，关断过程中，电流降到0起到恢复反向阻断能力止的时间6.浪涌电流IFSM二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。,功率晶极管,一.双极型功率晶体管,功率晶体管（Giant TransistorGTR-巨型晶体管）耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction TransistorBJT），英文有时候也称为Pow

14、er BJT在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效,第二节功率晶体管,典型全控型器件：门极可关断晶闸管（GTO）-开关频率低，功率大；高频化的电力电子器件代表功率晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。,一.双极型功率晶体管,80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT 和功率MOSFET取代,功率晶体管分类,双极性功率晶体管:BJT:bipolar junction transistorGTR:电流控制型器件 场控晶体管:MOS场效应晶体管,绝缘栅晶体管,MOS控制晶闸管 电压型控制器件,双极型功率晶体管,结构:三层半导体,二个PN结 符号,NPN,P

15、NP,GTR的稳态特性,分类:共射,共基,共集特性:三区,截止/放大/饱和,GTR的参数,Ibs=Ics/式8-21过驱动系数ODF 式8-22驱动损耗:Ps 式8-23由于ODF过大,造成总损耗增加,应避免,一般采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为GTR的电流放大系数=Ic/Ib 反映了基极电流对集电极电流的控制能力,GTR的开关特性,PN结的电容同样也影响GTR的开关特性PN正偏时,有”势垒”电容和”扩散”电容PN反偏时,只有”势垒”电容,2.GTR的基本特性,(1)静态特性共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区,开关瞬态模型,参见图8-6,P142(了解)考

16、虑各极的等效电阻 将PN结电容加上 即可得到此瞬态开关模型,开关波形-开通状态,Ui:-U1-+U2;Ib:0-Ib2 Ib先给结电容Cbe充电;Ic在经过td(开通延时)后开始上升,双极型功率晶体管参数,电流放大倍数,正温度系数 Uces或导通电阻 电压额定值,开关波形-关断状态,Ib首先将基区过剩电荷抽走,Cbe仍然正偏,Q仍然导通经过存储时间Ts后,Q电流方开始下降再经过下降时间Tf后,才能关断,几个电压额定值,U(BR)cbo发射极开路时UcbmU(BR)cex基射极反偏时UcemU(BR)ces基射极短路时UcemU(BR)cer基射极有r时UcemU(BR)ceo基射极开路时Uce

17、m,几个时间的定义,1延迟时间2上升时间3存储时间4下降时间参见P144 页,几个电压额定值,BUcboBUceo/BUcer/BUces/BUcex 大小关系：BUceoR2),GTR的电流定额,集电极最大允许电流IcM通常规定为hFE下降到规定值的1/2-1/3时所对应的Ic实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点电流Ibm,Iem,G极E极同一平面正偏程度不一致边缘正偏程度中心正偏程度横向电场方向由边缘指向中心边缘出现电流热点正温度系数的电阻率热循环正偏二次击穿,正偏击穿问题,3)集电极最大耗散功率PcM最高工作温度下允许的耗散功率.产品说明书中给PcM时同时给出壳温TCPc

18、MT=(TjM-T)PcM/(TJM-Tc),正偏二次击穿特性,器件的基区宽度越高，越不易发生击穿器件的频率高,Is/b下降，容易发生器件的外加电压高，Is/b下降，容易发生选择低频器件，外加电压尽量低,GTR的二次击穿现象与安全工作区,一次击穿集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变二次击穿一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变,反偏二次击穿问题,G极E极同一平面反偏程度不一致 边缘反偏程度中心反偏程度 横向电场方向由中心指向边缘 中心出现电流热

19、点 正温度系数的电阻率 热循环反偏二次击穿,反偏二次击穿特性,与芯片结构有关 与Ube和Rb相关 Ube一定时，Rb越大，Es/b越大，不易发生 Rb一定时，Ube越小，Es/b越大，不易发生 防反偏击穿要求与关断动态指标存在矛盾，需要均衡考虑,达林顿连接,大电流GTR的小，Ibs过大 为获得较大，可将两晶体管组成复合管，即进行达林顿连接 为两级之乘积，起到放大作用 但Uces会有一定程度的增加,安全工作区,考虑电压电流功率二次击穿多个因素由四条曲线所围成的范围,安全工作区（Safe Operating AreaSOA）,最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界

20、线限定,场控半导体,场效应晶体管,也分为结型和绝缘栅型（类似小功率FieldEffect TransistorFET）通常指绝缘栅型的MOS 型（Metal OxideSemiconductor FET）-简称功率MOSFET（PowerMOSFET）特点用栅极电压来控制漏极电流-驱动电路简单，需要的驱动功率小-开关速度快，工作频率高-热稳定性优于GTR-电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置,MOSFET的种类,按导电机理不同可分为结型和绝缘珊型结型外加电场控制场效应晶体管栅源之间PN结耗尽层宽度变化来控制沟道电导绝缘栅型栅极G与其余两个电极之间是绝缘的，外加电场控

21、制半导体中感应电荷量的变化控制沟道电导的，所以称为绝缘栅型。导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管,MOSFET的种类,绝缘栅型MOSFET分为耗尽型和增强型耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道增强型对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道按导电沟道可分为P沟道和N沟道功率MOSFET主要是N沟道增强型（大功率MOSFET一般不用P沟道，空穴的迁移率比电子低，导通电阻大）,四个工作区,VGSVT时，可变电阻区（导通状态）当VGDVGS-VDSVT时，饱和区（恒流区，等效于晶体管的放大区！）击穿区：VDS增加到一定量，漏极PN击穿，漏电流迅速增大

22、,截止：栅源极间电压为零，漏源极间加正电源 P基区与N漂移区之间形成的PN结反偏，漏源极之间无电流流过导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子电子吸引到栅极下面的P区表面当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结消失，漏极和源极导电,功率MOSFET的结构,导电机理与小功率MOS管相同，结构上有较大区别小功率MOS管是横向导电器件功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）大大提高了MOSFET器

23、件的耐压和耐电流能力按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffusedMOSFET）,功率MOSFET的基本特性,1)静态特性转移特性:漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs,输出特性:MOSFET的漏极伏安特性,UGS控制ID,UDS与UGS，ID有关RDS=UDS/ID,导通电阻特性,*导通电阻与耐压几近成平方增长（式8-50）*导通电阻与电流和UGS均相关*通态电阻Ron具有正温度系数，对器件并联时的均流有利,

24、动态特性,开通时间ton=开通延迟时间td(on)+上升时间tr关断时间toff=关断延迟时间td(off)+下降时间tf,MOSFET的开关速度,MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系；使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度；MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速；开关时间在10100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的；场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。,功率MOSFET的主要参数,1)漏极电压UDS

25、功率MOSFET电压定额2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM功率MOSFET电流定额3)栅源电压UGS 栅源之间的绝缘层很薄，|UGS|20V将导致绝缘层击穿4)极间电容:极间电容CGS、CGD和CDS 厂家提供：漏源极短路时的输入电容Ciss、共源极输出电容Coss和反向转移电容Crss5)dUDS/dt限制,安全工作区,漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定一般来说，MOSFET不存在二次击穿问题；实用中仍应注意留适当的裕量。,绝缘栅双极晶体管(IGBT),GTR的特点双极型，电流驱动，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂MOSFET的优点单极型，电压

26、驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单绝缘栅双极晶体管（Insulated-gateBipolar TransistorIGBT或IGT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有良好的特性1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件,IGBT的结构和工作原理,三端器件：栅极G、集电极C和发射极EIGBT的结构IGBT比MOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的P+N结.IGBT具有很强的通流能力.,IGBT的原理,驱动原理与功率MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定导通：uGE大于

27、开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通导通压降：通态压降小关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断,IGBT的基本特性,1)IGBT的静态特性转移特性：开启电压UGE(th)输出特性（伏安特性）分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。uCE0时，IGBT为反向阻断工作状态,IGBT的动态特性,开通时间ton=开通延迟时间td(on)+电流上升时间tr关断时间toff=关断延迟时间td(off)+电流下降时间tf电流拖尾,IGBT的主要参数,1)最大集射极间电压UCES 由内部PNP晶体管的

28、击穿电压确定2)最大集电极电流包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP3)最大集电极功耗PCM 正常工作温度下允许的最大功耗,IGBT的特性和参数特点,(1)开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与MOSFET相当(2)相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力(3)通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域(4)输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似(5)与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点,IGBT的擎住效应和安全工作区,寄生晶闸管由一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成擎住效应（自锁效应）：ICM,duCE/dt限制,正偏安全工作区（FBSOA）最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定反向偏置安全工作区（RBSOA）最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定,