传感器与检测技术实验.ppt
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1、传感器与自动检测技术实验,实验介绍,1.共5次实验,地点主教2103。请大家记好时间、地点。,2.实验3人一组,实验台上有组号,每组1本实验指导书,实验完成后请将实验指导书放好,不要带走。,3.实验报告纸每人5张,封面每人1张,实验课结束后交实验报告。,4.实验完成后,注意实验台断电,凳子摆放整齐,清理好实验元器件,注意实验室卫生。,实验一 压阻式压力传感器的压力测量实验(气源),(实验指导书10-12页),一、实验目的,了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。,二、实验内容,1.压阻式压力传感器的压力测量(实验八),2.扩散硅压阻式压力传感器差压测量(实验九),三、实验器件与单元,检
2、测技术实验台、压力传感器实验模板、三通连接导管(做完实验后不要动)、压力源,三、实验原理,扩散硅压阻式压力传感器在单晶硅的基 片上扩散出P型或N型电阻条,接成电桥。在压力作用下根据半导体的压阻效应,基片产生应力,电阻条的电阻率产生很大变化,引起电阻的变化.把这一变化引入测量电路,则其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。,1.实验进行前,首先要进行调零。,四、实验步骤,2.气源噪音较大,在做实验时注意轻轻操作。,3.气源接实验操作模板的高压嘴(右边)。,4.RW1(调整放大倍数),RW2(调零)。,5.根据步骤8进行标定实验,书上有错误。,五、实验数据记录与分析,1.根据实验指导书上的表格进行
3、数据记录,并分析数据。2.回答实验指导书思考题提出的问题。3.总结压阻式压力传感器的作用。4.根据实验九的提示,给出差压测量的方法。(教师检查后结束实验),实验二 金属箔式应变片,(实验指导书1-5页),电阻应变式传感器从1938年开始使用到目前,仍然是当前称重测力的主要工具.,如称重、压力扭矩、位移、加速度等传感器,常见的应用场合如各种商用电子称、皮带称、吊钩称、高炉配料系统、汽车衡、轨道衡等。,电阻应变式传感器最高精度可达万分之一甚至更高,除电阻应变片、丝直接用以测量机械、仪器及工程结构等的应变外,主要是与种种形式的弹性体相配合,组成各种传感器和测试系统。,一、实验目的,了解金属箔式应变片
4、的应变效应,比较单臂电桥、半桥、全桥工作原理和性能。,二、实验内容,1.单臂电桥性能实验(实验一)2.半桥性能实验(实验二)3.全桥性能实验(实验三),三、实验器件与单元,检测技术实验台、应变式传感器实验模板、砝码、导线(没有用PC机),四、实验原理,1.电阻丝在外力作用下(砝码)发生机械变形时,其阻值发生变化。描述电阻应变效应的关系式为:R/R=K.式中R/R为电阻丝电阻相对变化,K为应变灵敏系数,=L/L为电阻丝长度相对变化.金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件,通过它转换被测部位受力状态变化.,2.电桥是完成电阻到电压的比例变化,测取电压值。(1)单臂电桥:输出电压U
5、01=EK/4。(2)半桥:选用不同受力方向的应变片接入电桥作为邻边。当两片应变片阻值和应变量相同时,其桥路输出电压U02=EK/2。(3)全桥:将受力性质相同的两应变片接入电桥对边,不同的接入邻边,其桥路输出电压U03=KE。输出灵敏度比半桥又提高了一倍,非线性误差和温度误差均得到改善。(4)比较:量程不同,精度不同。,五、实验步骤(详见实验指导书),1.由于实验灵敏度高,根据步骤进行实验,首先要注意调零。,RW1(调到中间位置)RW4(调零后不要再动)-RW2(数字不跳变),2.如果线松的话,可以换一下,接线要全部接地。,3.砝码在放的时候要轻,尽量放到盘子的中间。,六、实验数据记录与分析
6、,1.根据实验指导书上的表格进行数据记录,并 分析数据。2.回答实验指导书思考题提出的问题。3.比较单臂电桥、半桥、全桥有什么不同?,实验三 直流激励时霍尔式传感器位移特性实验和霍尔电子称实验,(实验指导书20-21页,23页),一、实验目的,了解霍尔式传感器原理与应用。,二、实验内容,1.直流激励时霍尔式传感器位移特性实验(实验十六),2.霍尔传感器应用电子称实验(实验十九),三、实验器件与单元,检测技术实验台、霍尔传感器实验模板、测微头、数显单元、霍尔传感器、钢片、振动台、砝码,四、实验原理,霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应,但
7、是由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展,开始用半导体材料制作霍尔元件。霍尔传感器是一种当交变磁场经过时产生输出电压脉冲的传感器。脉冲的幅度是由激励磁场的场强决定的。因此,霍尔传感器不需要外界电源供电。,霍尔效应,磁场B,电场E,电场E作用:电子向右,洛仑兹力作用:电子向里,电子堆积反向电动势E1:受力向外,E1增强电子运动减缓,达到平衡,U=KIB,K:霍尔元件灵敏度。电流1mA,磁场1kG时的输出电压与元件材料性质和几何尺寸有关,根据霍尔效应,霍尔电势U=KIB,当霍尔元件处在梯度磁场中运动时,它就可以进行位移测量。(感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积),测
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