传感器35章磁敏传感器.ppt
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1、传感器技术及应用机械09,20112012第二学期2012年3月,5.6 磁敏传感器,半导体磁敏传感器:可将磁场强度参数转变为电参数的传感器。种类:霍尔传感器、磁敏电阻传感器、磁敏二极管、磁敏晶体管等。特点:可实现非接触检验,寿命长、可靠性高。从直流(0Hz)到高频(数十GHz)其特性完全一样。不仅能够测量运动磁场强度,也能测量静止的磁场。能够使器件小型化和集成化。,一、霍尔元件,霍尔电压形成的定性说明(a)磁场为0时,电子在半导体中的流动;(b)磁场不为0,电子在劳伦兹力作用下发生偏转;(c)电荷积累达到平衡时,电子在流动,二、磁敏电阻,磁敏电阻是一种电阻随磁场而变化的磁敏元件,也称MR元件
2、。它的理论基础为磁电阻效应。1、工作原理磁电阻效应:将载流导体(金属或半导体)置于外磁场中,不但产生霍尔效应(电势或电场),同时电阻也会随磁场而变化。这种现象成为磁敏电阻效应,简称磁电阻效应。,2.作用机理,外磁场改变了导体载流子迁移的路径,致使与外界电场同方向的电流分量减小,等价于电阻增大,磁敏元件,载流子迁移率,几何形状,物理磁阻效应,几何磁阻效应,电阻率相对变化,电阻相对变化,(1)物理磁阻效应,具有两种载流子的材料通电后,电子和空穴电流密度分别为 jn 和jp,总电流密度j,无外磁场H时,j=jn+jp,有外磁场H时,jn 与 jp 背向偏转,j jn+jp相当于增大,磁敏电阻材料,当
3、材料中仅存在一种载流子时,磁阻效应几乎可以忽略,此时霍尔效应更为强烈。在电子和空穴都存在的材料(如InSb)中,则磁阻效应很强。一般使用N型InSb(锑化铟)和InSbNiSb半导体材料做成磁阻器件。,(2)几何磁阻效应,无外磁场时,电流密度矢量j与电场一致有外磁场时,j与合成电场方向有一夹角,在电极处,合成电场E与金属电极面垂直在极板附近 j 出现偏角,只在电极附近偏转,增大磁阻效应途径:,缩短电流路径l,增大电极长度w,减薄磁阻材料d(a)用薄膜技术制作在基片上,典型厚度是20m,(b)矩形磁阻元件,横向宽度w 比纵向长度 l 大40倍,(c)把W l 的扁平器件串联起来栅格磁阻器件。,科
4、比诺圆盘,中心和边缘为两电极不存在横向霍尔电场和电势磁敏电阻变化更加明显,栅格磁阻器件,在LW长方形磁阻材料上面制作许多平行等间距的金属条(即短路栅格),相当于许多扁条状磁阻串联。零磁场电阻约100,栅格金属条在100根以上。栅格磁阻器件既增加了零磁场电阻值、又提高了磁阻器件的灵敏度。,磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的,且受温度影响较大;因此,使用磁敏电阻时必须首先了解如下图所示的持性曲线。然后,确定温度补偿方案。,磁阻元件的电阻值与磁场的极性无关,它只随磁场强度的增加而增加,磁阻元件的温度特性不好,在应用时,一般都要设计温度补偿电路。,4、磁阻式传感器应用磁阻效应角度传感器,测量原理输出电压与
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