电工电子学第二版第六章.ppt
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1、电工电子学,第 六 章整流、滤波及稳压电路,主讲教师:龚军EAIL:,第六章 整流、滤波及稳压电路,本章内容,1.PN结的单向导电性,3.稳压二极管管的稳压原理,本章重点:,2.二极管的伏安特性,4.二极管的整流、滤波电路工作原理,单相桥式整流电路,u2的正半周 AD1RLD3B,uO=u2,u2的负半周 B D2RLD4 A,uO=-u2,四只管子如何接?,集成的桥式整流电路称为整流堆。,(1)工作原理,若接反了呢?,1、工作原理,电容滤波电路,u2 正半周,D1、D3导通,电源在给负载RL供电的同时也给电容充电,uC 增加,uo=uC。(oa段),uo,t,O,a,ucu2,D1、D3截止
2、,电容C通过RL放电,uo=uC。(ab段),b,注:放电的快慢取决于=RLC,愈大,放电愈慢,输出电压愈平缓,u2 负半周,u2uc D2、D4导通,电源又给电容充电,uC 增加,uo=uC。(bc段),c,u,Uo,+,+,稳压管稳压电路,R,C,+,Ui,DZ,+,稳压管稳压电路,稳压管工作在反向击穿区,由于两端电压不变,与负载并联 起到稳定负载电压作用,限制电流,实验内容,实验电路图,10uF,220V,17V,C2,D2,D1,D3,D4,C1,470uF,7805,RL,稳压,将7805接入电路,观察记录输出波形并记录在表,6-1 半导体的导电特性,知识准备:,物质按导电性能划分:
3、导体、绝缘体和半导体。,导体:一般是低价元素,如铜、铁、铝等金属,在外电场的作用下自由电子定向流动形成了电流。,导体具有较好的导电性。,绝缘体:一般为高价元素,如橡胶、塑料、惰性气体,绝缘体导电性差。,物质的导电性能取决于:原子结构,最外层电子数目越 少,导电性就越强。,6-1 半导体的导电特性,6-1-1 本征半导体,1、半导体导电特性 半导体:导电性 介于导体和绝缘体之间。典型半导体材料:硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。,(可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。,掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。,光敏
4、性:当受到光照时,导电能力明显变化(可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。,热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强,通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。,2 本征半导体,完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。,晶体中原子的排列方式,硅单晶中的共价健结构,共价健,共价键中的两个电子,称为价电子。,价电子,价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。,本征半导体的导电机理,这一现象称为本征激发。,空穴,温度愈高,晶体中产生的自由电子便愈多,自由电子和空穴成对出
5、现。,自由电子,在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)称为复合运动。,本征半导体的导电机理,当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分电流(1)自由电子作定向运动 电子电流(2)价电子递补空穴 空穴电流,注意:(1)常温下本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差;(2)温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。(3)相同条件下,本征半导体较一般半导体导电性弱很多。,自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。在一定温度下,载流子的
6、产生和复合达到动态平衡,半导体中载流子便维持一定的数目。,6-1-2 N型半导体和P型半导体(掺杂半导体),掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体。,掺入五价元素,多余电子,磷原子,在常温下即可变为自由电子,在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成掺杂半导体。因掺的的杂质不同分为:N型半导体和P型半导体。,在N 型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。掺入P元素越多,导电性越强。,6-1-2 N型半导体和 P 型半导体,掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。,掺入三价
7、元素,在 P 型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。,硼原子,空穴,无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。,在同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了PN结。,6-1-3 PN结的形成及其单向导电性,扩散运动:物质总是从浓度高度地方向浓度低的地方运动,称为扩散运动,气体,液体,固体,内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。,扩散的结果使空间电荷区变宽。,PN结的形成原理:,多子的扩散运动,少子的漂移运动,浓度差,P 型半导体,N 型半导体,空间电荷区称为 PN 结,扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡,空
8、间电荷区的厚度固定不变。,形成空间电荷区,注:PN结的结电容很小,P接正、N接负,IF,(三)PN结,2、PN结的单向导电性(1)PN结外加正向电压,PN结正偏,IR,P接负、N接正,(2)PN结外加反向电压,PN结反偏,总结:,结单向导电性,(一)基本结构和分类,6-2 半导体二极管,符号:P+,_N,PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。,思考:,1、N型半导体和P型半导体的多数载流子和少数载流子分别是什么?它们的浓度与什么有关?,2、P型半导体是否带正电?N型半导体是否带负电?,3、PN结如何形成?它为什么具有单向导电性?,(二)伏安特性,二极管阳极与阴极之间的电压与流过电流之间的关
9、系曲线,通常使用二极管时应保证其工作在正向导通或反向截止状态,故认为二极管正偏则导通,反偏则截止单向导电性,B,硅,正向:OA段(死区)硅管约0.5V,锗管约0.2V(死区电压)正向导通:硅管约0.7V,锗管约0.3V(导通电压或称管降)理想状态认为管降为0V,反向:OB段(截止区)I近似为0击穿区 管子被击穿,UB反向击穿电压,o,(三)主要参数,1.最大整流电流 IDM,二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。,2.反向工作峰值电压UDRM,是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压,一般是二极管反向击穿电压UB的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。,3
10、.反向峰值电流IDRM,指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,IDRM受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流较大,为硅管的几十到几百倍。,二极管在电子技术中有广泛的用途。,整流,(四)二极管的应用,利用其单向导通特性,可以实现以下电路:,限幅,实现逻辑电路,检波,将交流电转化成直流电,限制输出信号的幅度,实现逻辑运算(钳位),将调波信号的语音信号取出来,保护电路或在数字电路中作开关元件,电路如图,求:UAB,V阳=6 V V阴=12 V V阳V阴 二极管导通若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB=6V若考虑管降,UAB低于6
11、V一个管压降,为6.3或6.7V,例1:二极管的钳位作用,取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。,在这里,二极管起钳位作用。,(四)二极管的应用,1、二极管电路分析:先判断二极管的工作状态,导通截止,若 V阳 V阴或 UD为正,二极管导通若 V阳 V阴或 UD为负,二极管截止,若二极管是理想的,正向导通时管压降为零,二极管相当于导线;反向截止时二极管相当于开路。,分析方法:将二极管断开,分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。,总结:,两个二极管的阴极接在一起取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。,V1阳=6 V,V2阳=0 V,V1阴=V2
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- 电工 电子学 第二 第六
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