模拟电路课件第一章.ppt

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1、1,模拟电子技术,电子科学与工程学院黄丽亚,2,两种信号,模拟信号（Analog signal）:指幅度的取值是连续的（幅值可由无限个数值表示）。声音、温度、压力转化的电信号。时间上离散的模拟信号是一种抽样信号。数字信号（Digital signal）：指幅度的取值是离散的，幅值表示被限制在有限个数值之内。如计算机处理的二进制信号等。,3,“模电”与“数电”,现代电子信息系统一般是模/数混合系统两头是“模拟”，中间是“数字”输入部分是“模拟”：检测、微弱信号放大中间部分是“数字”：信号传输和处理输出部分是“模拟”：功率驱动、发射可见“重数字轻模拟”是不全面、不明智的。模电和数电就像人的两条腿，

2、缺一不可。,4,这门课的特点,涉及的基础知识广博：高等数学、电路分析、信号与系统等，有人戏称“魔鬼电路、模糊电路”之称。,注重动手能力：培养硬件工程师，是一门经验性较强的学科，精通模电的人才奇缺。,一门“工程应用性”课程：有人说：“近似估算是电子电路的灵魂”、“不会近似寸步难行”足以说明这个问题。,5,学习“过三关”,第一关：“器件关”（入门基础）第二关：“近似关”（工程估算的分析方法）第三关：“动手关”（实践应用）外加第四关：“EDA关”（设计开发）,6,送给大家三句话,“十年磨一剑，硬件打天下！”“IT风云变换，IC独领风骚”“让EDA的翅膀飞起来！让EDA的轮子转起来！”,7,考试成绩评

3、定,平时 10%期中 20%期末 70%,8,1、黄丽亚 杨恒新编著.模拟电子技术基础M.北京：机械工业出版社,2009 2、电子电路教研室.模拟电子电路B补充讲义(修订版)南京邮电大学校内印刷,2009,教材,9,参考书,1 康华光.电子技术基础M（模拟部分）(第五版).北京：高等教育出版社,20062 华成英 童诗白.模拟电子技术基础M（第四版）.北京：高等教育出版社,20063 谢嘉奎.电子线路M（线性部分）(第四版）.北京：高等教育出版社,1999（2004年印刷）.4 谢嘉奎.电子线路M（非线性部分）(第四版）.北京：高等教育出版社,1999（2004年印刷）.,10,第一章 晶体二

4、极管及其基本电路,1-1 半导体物理基础知识,导体,半导体,绝缘体,物质,半导体的特性：1导电能力介于导体和绝缘体之间；2导电能力随温度、光照或掺入某些杂质而发生显著变化。,11,硅原子（Silicon）,锗原子（Germanium）,-本征半导体,硅原子,锗原子,惯性核,电子,图1.1.1 常见半导体材料的原子结构和简化模型,2 8 4,2 8 18 4,+14,+32,一 本征半导体硅和锗的共价键结构,12,图1.1.2 单晶硅和锗共价键结构示意图,共价键中的电子，受所属原子核的束缚，不能参与导电。,本征半导体：纯净的（未掺杂）单晶半导体称为本征半导体。,13,载流子(Carrier)指半

5、导体结构中获得运动能量的带电粒子。绝对零度（-273OC）时晶体中无自由电子相当于绝缘体。有温度环境就有载流子本征激发。,二、半导体中的载流子,14,在一定的温度下，或者受到光照时，使价电子获得一定的额外能量，一部分价电子就能够冲破共价键的束缚变成自由电子本征激发。,+4,+4,+4,+4,自 由 电 子,空 穴,束 缚 电 子,图1.1.3 本征激发产生电子和空穴,15,1、空穴的运动可以看成一个带正电荷的粒子的运动。2、一个空穴的运动实际上是许多价电子作相反运动的结果。但是一个空穴运动所引起的电流的大小只与空穴的多少有关，与多少个价电子运动无关。,16,结论,本征激发 和温度有关会成对产生

6、电子-空穴对-自由电子(Free Electron)带负电荷-空 穴(Hole)带正电荷-宏观上看，晶体仍然是电中性的两种载流子（带电粒子）是半导体的重要概念。,17,+4,+4,+4,+4,图1.1.3 本征激发产生电子和空穴,复合：由于正负电荷相吸引，自由电子会填入空穴成为价电子，同时释放出相应的能量，从而消失一对电子、空穴，这一过程称为复合。,18,本征激发:一分为二，载流子浓度增加。,复合:合二为一，载流子浓度减少。,载流子浓度：载流子浓度越大，复合的机会就越多。在一定温度下，当没有其它能量存在时，电子、空穴对的产生与复合最终达到一种热平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度一定。,19,

7、本征载流子浓度：,式中：ni、pi 分别表示电子和空穴的浓度（-3）；T为热力学温度（K）；EG0为T=0K（-273oC）时的禁带宽度（硅为1.21eV，锗为0.78eV）；k为玻尔兹曼常数（8.6310-6V/K）；A0为与半导体材料有关的常数（硅为3.871016-3，锗为1.761016-3）。,20,本征载流子浓度：,1、对温度非常敏感：随着T的增加，载流子浓度按指数规律增加。,2、导电能力如何？在T=300K的室温下，本征硅（锗）的载流子浓度=1.431010-3（2.381013-3），本征硅（锗）的原子密度=51022-3（4.41022-3）。室温下只有极少数原子的价电子(三

8、万亿分之一)受激发产生电子、空穴对。导电能力很弱。,21,1-1-2 杂质半导体（掺杂半导体）,在本征半导体中掺入微量的元素（称为杂质），会使其导电性能发生显著变化。杂质半导体。根据掺入杂质的不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体。,22,一、N型半导体,+4,+4,+4,束缚电子,杂质半导体中形成大量的自由电子。由于自由电子的浓度增加，与空穴（本征激发产生的）复合的机会也增加，因此空穴浓度相应减少。,施主原子,23,一、N型半导体,+4,+4,+4,束缚电子,施主原子,在N型半导体中：自由电子多数载流子，简称多子；空穴少数载流子，简称少子。,24,一、N型半导体,+4,+4,+4,束缚

9、电子,施主原子,问题：N型半导体是带正电还是带负电？,25,答：N型半导体是电中性的。虽然自由电子数远大于空穴数，但由于施主正离子的存在，使正、负电荷数相等，即自由电子数=空穴数+施主正离子,问题：N型半导体是带正电还是带负电？,26,+4,+4,+4,束缚电子,二、P型半导体（Positive type）,在P型半导体中：空穴多数载流子，简称多子；自由电子少数载流子，简称少子。,27,+4,+4,+4,束缚电子,二、P型半导体（Positive type）,P型半导体是电中性的。空 穴 数=自由电子数+受主负离子,28,三、杂质半导体的载流子浓度,多子的浓度在杂质半导体中，杂质原子所提供的多

10、子数远大于本征激发的载流子数。结论：多子的浓度主要由掺杂浓度决定。,少子的浓度少子主要由本征激发产生，因掺杂不同，会随多子浓度的变化而变化。,29,结论：在热平衡下，多子浓度值与少子浓度值的乘积恒等于本征载流子浓度值ni的平方。,对N型半导体，多子nn与少子pn有,30,对P型半导体，多子pp与少子np有,31,掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下:,1、T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.41010/cm3,3、本征硅的原子浓度:4.961022/cm3,以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。,2、掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度:n

11、=51016/cm3,杂质对半导体导电性的影响,32,小结,1.本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，另一种载流子少。2.多子浓度主要取决于杂质的含量，它与温度几乎无关；少子的浓度则主要与本征激发有关，因而它的浓度与温度有十分密切的关系。,33,思考题与习题,导体、半导体和绝缘体的区别和在电子线路以及集成电路制造中的作用？说明半导体材料的特性及其应用解释本征半导体、杂质半导体的区别？解释N型半导体与P型半导体的区别？为什么说这两种半导体仍然对外呈电中性？解释杂质半导体的多子浓度和少子浓度各由何种因素决定的？,34,1-2 PN结,PN结是半导体器件的核心，可以

12、构成一个二极管。,P,N,本征硅的一边做成P型半导体，一边做成N型半导体。交界处形成一个很薄的特殊物理层。PN结,35,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,P,N,1.2.1 PN结的形成,由于扩散运动，使接触面附近的空穴和电子形成不能移动的负离子和正离子状态，这个区域称为空间电荷区（耗尽层）。,空间电荷区,内电场,UB,36,PN 结的形成步骤,扩散运动,PN结很窄（几个到几十个 m)。,PN结又称为势垒区、阻挡层。,37,问题：达到动态平衡时，在 PN结流过的总电流为多少，方向是什么？,多子的扩散电流方向为从左到右，少子的漂移电流方向从右到左。两者在动态平衡时，大小

13、相等，而方向相反，所以流过PN结的总电流为零。,多子扩散电流方向,少子漂移电流方向,38,半导体中的电流,在导体中，载流子只有一种：自由电子。在电场作用下，产生定向的漂移运动形成漂移电流。在半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。电场作用下的漂移电流两种类型的电流 浓度差导致的扩散电流,39,对称PN结：如果P区和N区的掺杂浓度相同，则耗尽区相对界面对称，称为对称结,不对称PN结：如果一边掺杂浓度大（重掺杂），一边掺杂浓度小（轻掺杂），这样形成的PN结称为不对称结,此耗尽区主要伸向轻掺杂区一边，,40,问题：为什么PN结伸向轻掺杂区？,答：轻掺杂区的施主正离子（或受主负离子）的排列稀疏，重掺杂区

14、的施主正离子（或受主负离子）的排列紧密。如上图，两边电荷量相等，所以会伸向轻掺杂区。,41,P,N,耗尽区,内电场,UB-U,图1-9 正向偏置的PN结,+,-,E,R,U,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,1.2.2 PN结的单向导电特性,动画演示,42,PN结加正向电压,外加的正向电压大部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响。PN结呈现低阻性，有较大的正偏电流。,43,图1-10 反向偏置的PN结,E,R,P,N,耗尽区,内电场,UB+U,-,+,U,

15、+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,二、P结加反向电压,动画演示,44,PN结加反向电压,外加的反向电压大部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流。PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。,45,PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。

16、结论：PN结具有单向导电性。,46,三、PN结电流方程,图1-11 PN结的伏安特性,IS为反向饱和电流(10-15A)。,UT=k T/q,温度电压当量，,式中：k为玻尔兹曼常数（8.6310-6V/K）；T为热力学温度(K);q为单位电子电荷量(库伦),UT的物理意义:穿越PN结的电荷与电压之间的关系。当T=300K(室温)时,UT=26mV,47,-U(BR),当u为正，且u UT时,当u为负时,且|u|UT时,PN结外加正电压时，流过电流为正电压的e指数关系。,PN结外加负电压时流过电流为饱和漏电流。,四、PN结伏安特性,48,PN结的温度特性,温度特性反映在伏安特性上为：温度升高，正

17、向特性向左移，反向特性向下移。,-U(BR),T,49,1.保持正向电流不变时，温度每升高1，结电 压减小约22.5mV，即,u/T-(22.5)mV/,2.温度每升高10，反向饱和电流IS增大一倍。,T,-U(BR),T,PN结温度特性的定量关系,50,1-2-3 PN结的击穿特性,当对PN结 外加反向电压超过一定的限度，PN结会从反向截止发展到反向击穿。反向击穿破坏了PN结的单向导电特性。利用此原理可以制成稳压管。U(BR)称为PN结的击穿电压。有两种击穿机理：齐纳击穿和雪崩击穿。,T,-U(BR),T,51,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,P,N,空间电荷区,

18、齐纳击穿,52,+,+,+,+,P,N,空间电荷区,雪崩击穿,53,一般来说，对硅材料的PN结，UBR7V时为雪崩击穿；UBR 5V时为齐纳击穿；UBR介于57V时，两种击穿都有。,54,击穿的可逆性,电击穿是 可逆的（可恢复，当有限流电阻时）。电击穿后如无限流措施，将发生热击穿现象。热击穿会破坏PN结结构（烧坏）热击穿是 不可逆 的。,55,1-2-4 PN结的电容特性,PN 结的耗尽区与平板电容器相似，外加电压变化，耗尽区的宽度变化，则耗尽区中的正负离子数目变化，即存储的电荷量变化。,一、势垒电容CT,56,多子扩散在对方区形成非平衡少子的浓度分布曲线偏置电压变化分布曲线变化非平衡少子变化

19、电荷变化。,二、扩散电容CD,57,图112 P区少子浓度分布曲线,58,结电容Cj=CT+CD,结 论,因为CT和CD并不大，所以在高频工作时，才考虑它们的影响。,正偏时以扩散电容CD为主，Cj CD，其值通常为几十至几百pF；,反偏时以势垒电容CT为主，Cj CT,其值通常为几至几十pF。（如：变容二极管）,59,1.3 半导体二极管及其基本电路,PN结加上电极引线和管壳就形成晶体二极管。,图1.3.1 晶体二极管结构示意图及电路符号,P区,N区,（a）结构示意图,（b）电路符号,60,1-3-1 二极管特性曲线,二极管特性曲线与PN结基本相同，略有差异。,图1-14 二极管伏安特性曲线,

20、硅 二 极 管,61,1.3.1 二极管的伏安特性曲线,图1-14 二极管伏安特性曲线,硅:UD(on)=0.7V；,1.导通电压或死区电压,锗:UD(on)=0.3V。,2.曲线分段：,指数段（小电流时）、直线段（大电流时）。,一、正向特性,二、反向特性,反向电压加大时，反向电流也略有增大。,62,一、直流电阻,图1-15 二极管电阻的几何意义,ID,UD,Q1,RD=UD/ID,RD 的几何意义：,Q2,(a)直流电阻RD,Q点到原点直线斜率的倒数。,RD不是恒定的，正向的RD随工作电流增大而减小，反向的RD随反向电压的增大而增大。,定义：是二极管所加直流电压UD与所流过直流电流ID之比。

21、,1.3.2 二极管的主要参数,63,一、直流电阻,图1-15 二极管电阻的几何意义,ID,UD,Q1,RD=UD/ID,Q2,(a)直流电阻RD,定义：是二极管所加直流电压UD与所流过直流电流ID之比。,1-3-2 二极管的主要参数,正向电阻：几百欧姆；,反向电阻：几百千欧姆；,64,二、交流电阻,二极管在其工作状态(I DQ,UDQ)下的电压微变量与电流微变量之比。,(b)交流电阻rD,rD 的几何意义:Q(IDQ,UDQ)点处切线斜率的倒数。,65,二、交流电阻,(b)交流电阻rD,66,例：已知D为Si二极管，流过D的直流电流ID=10mA，交流电压U=10mV，求室温下流过D的交流电

22、流I=?,10V,D,R,0.93K,U,ID,解：交流电阻,交流电流为：,67,三、最大整流电流 I F,四、最大反向工作电压 URM,五、反向电流IR,允许通过的最大正向平均电流。,通常取U(BR)的一半，超过U(BR)容易发生反向击穿。,未击穿时的反向电流。IR越小，单向导电性能越好。,68,六、最高工作频率 f M,需要指出，手册中给出的一般为典型值，需要时应通过实际测量得到准确值。,工作频率超过 f M时，二极管的单向导电性能变坏。,69,1.3.3 半导体二极管的电路模型,由于二极管的非线性特性，当电路加入二极管时，便成为非线性电路。实际应用时可根据二极管的应用条件作合理近似，得到

23、相应的等效电路，化为线性电路,非线性,近似,线性,70,一、理想模型,可以把二极管想象为一个开关，导通相当于开关闭合，截止相当于开关打开。,应用最为广泛。,71,二、恒压降模型,理想二极管串联电压源的模型,硅管：UD(on).7 V 锗管：UD(on).3 V,72,三、折线模型,理想二极管串联电压源和电阻rD(on)的模型,rD(on)一般为几十欧姆。,73,一、二极管整流电路,1.3.4 二极管基本应用电路,74,图1-17 二极管半波整流电路及波形,(b)输入、输出波形关系,二极管近似为理想模型,思考：二极管近似为恒压降模型的电路输出？,75,ui,思考：二极管近似为恒压降模型的电路输出

24、？,76,二、二极管限幅电路,又称为：“削波电路”。能够把输入电压变化范围加以限制，常用于波形变换和整形。,77,图1.3.11 二极管限幅电路,恒压降等效电路,二极管近似为恒压降模型,78,图1-20 二极管上限幅电路及波形,(b)输入、输出波形关系,2.7,-5,二极管近似为恒压降模型,当u i 2.7V,V导通，uo=E+0.7=2.7 V,当u i 2.7V时,V截止，即开路，uo=u i。,2.7,恒压降等效电路,79,三、二极管开关电路,可以用来构成数字电路门电路。,输入数字量时为与逻辑。,5V,输入只有0V或5V。,80,1.稳压二极管的正向特性、反向特性与普通二极管基本相同，区

25、别仅在于反向击穿时，特性曲线更加陡峭。,一、稳压二极管的特性,1.4 特殊二极管,1.4.1 稳压二极管,81,图1-21 稳压二极管及其特性曲线,(a)电路符号,i/mA,u/V,IZmax,0,UZ,IZmin,(b)伏安特性曲线,2.稳压管在反向击穿后，能通过调节自身电流，实现稳定电压的功能。,电压几乎不变，为UZ。,即当,82,i/mA,u/V,IZmax,0,UZ,IZmin,(b)伏安特性曲线,二、稳压二极管主要参数,1、稳压电压 UZ:指管子长期稳定时的工作电压值。,2、额定功耗 PzPZ=UZIZmax,3、稳定电流 IzIZminIZIZmax,4、动态电阻 rz：工作点处的

26、交流电阻，一般为几欧姆到几十欧姆（越小越好）,5、温度系数,83,所谓稳压指当Ui、RL变化时，UO保持恒定。,三、稳压二极管稳压电路,稳压原理：,UO基本不变；,若Ui不变，RL,Iz,IL,UO基本不变。,若RL不变，Ui,Iz,IL不变,84,限流电阻R的选择：,选择R的限制条件：当Ui、RL变化时，Iz应满足IzminIzIzmax,设外界条件为:UiminUiUimax；RLminRLRLmax,85,分析过程：根据电路：,Iz何时取最大值？,ui=Uimax，RL=RLmax,86,87,Iz何时取最小值？,ui=Uimin，RL=RLmin,88,Rmin R Rmax,因此，可

27、得限流电阻的取值范围是：,89,小 结,2.PN 结是现代半导体器件的基础。它具有单向导电性、击穿特性和电容特性。,1.N型半导体中，电子是多子，空穴是少子；P型半导体中，空穴是多子，电子是少子；多子浓度由掺杂浓度决定，少子浓度很小且随温度的变化而变化。,3.半导体二极管由一个PN结构成，大信号应用时表现为开关特性。,4.利用PN 结的击穿特性可制作稳压二极管。用稳压二极管构成稳压电路时，首先应保证稳压管反向击穿，另外必须串接限流电阻。,90,1.6习题讲解,V2导通，V1截止，UO5V。,二极管等效为理想模型,V1导通，V2截止，UO=0V。,V1导通，V2导通UO=1.98V。,91,作 业,1.1,1.7,1.9,1.4,1.11（1）（2）,1.3,1.10,